焦雨桐
无编辑摘要
无编辑摘要 标签:移动版编辑 移动版网页编辑 |
无编辑摘要 标签:移动版编辑 移动版网页编辑 |
||
第42行: | 第42行: | ||
钳注入是通过电缆上的钳合式“电流”注入装置获得的。 | 钳注入是通过电缆上的钳合式“电流”注入装置获得的。 | ||
3.4 | 3.4 | ||
第124行: | 第124行: | ||
== 4 概述 == | == 4 概述 == | ||
本部分所涉及的骚扰源,通常指来自射频发射机的电磁场,该电磁场可能作用于连接设备的整条电缆。虽然被干扰设备(多数是较大系统的 一 部分)的尺寸比骚扰信号的波长小,但与 EUT 相 连 的 输 入 线和输出线(例如电源线、通信线、接口电缆等)可能成为无源的接收天线网络和有用信号及无用信号的 传导路径。 | |||
电缆网络间的敏感设备易受到流经设备的骚扰电流的影响。假设连接设备的电缆系统处于谐振的 方 式(A/4 和λ/2展开或折叠偶极子),由相对于参考地平面(板)具有150Ω共模阻抗的耦合/去耦装置 代表这种电缆系统。如果可能,EUT 连接在两个150Ω共模阻抗之间进行试验: 一 个提供射频信号源, 另 一 个提供电流回路。 | 电缆网络间的敏感设备易受到流经设备的骚扰电流的影响。假设连接设备的电缆系统处于谐振的 方 式(A/4 和λ/2展开或折叠偶极子),由相对于参考地平面(板)具有150Ω共模阻抗的耦合/去耦装置 代表这种电缆系统。如果可能,EUT 连接在两个150Ω共模阻抗之间进行试验: 一 个提供射频信号源, 另 一 个提供电流回路。 | ||
第176行: | 第172行: | ||
图 1 射频传导骚扰抗扰度试验 | 图 1 射频传导骚扰抗扰度试验 | ||
第282行: | 第278行: | ||
表 1 试验等级 | 表 1 试验等级 | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| -- | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| 频率范围150 kHz~80 MHz | | | | ! colspan="3" | 频率范围150 kHz~80 MHz | ||
| | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| U₀/V | U₀/dB(μV) | | | rowspan="2" | 等级 | ||
| 1 | 1 | 120 | | | colspan="2" | 电压(e.m.f.) | ||
|- | |||
| U₀/V | |||
| U₀/dB(μV) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 1 | |||
| 1 | |||
| 120 | |||
|} | |||
表1(续) | 表1(续) | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| -- | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| 频率范围150 kHz~80 MHz | | | | ! colspan="3" | 频率范围150 kHz~80 MHz | ||
| | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| U₀/V | U₀/dB(μV) | | | rowspan="2" | 等级 | ||
| 2 | 3 | 129.5 | | | colspan="2" | 电压(e.m.f.) | ||
| 3 | 10 | 140 | | |- | ||
| X | 指定 | | | | U₀/V | ||
| 注:X是一开放的等级,此等级应在专门的设备规范中规定。 | | | U₀/dB(μV) | ||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 2 | |||
| 3 | |||
| 129.5 | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 3 | |||
| 10 | |||
| 140 | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| X | |||
| colspan="2" | 指定 | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| colspan="3" | 注:X是一开放的等级,此等级应在专门的设备规范中规定。 | |||
|} | |||
试验时,在耦合装置的 EUT 端口上设置骚扰信号的试验电平(见6.4),该信号使用1 kHz 正 弦 波 调幅(80%调制度)来模拟实际骚扰影响。实际的幅度调制如图2所示。附录C 中给出选择试验等级 的指南。 | 试验时,在耦合装置的 EUT 端口上设置骚扰信号的试验电平(见6.4),该信号使用1 kHz 正 弦 波 调幅(80%调制度)来模拟实际骚扰影响。实际的幅度调制如图2所示。附录C 中给出选择试验等级 的指南。 | ||
第335行: | 第353行: | ||
——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平,可以包含 | ——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平,可以包含 | ||
在射频信号源中。 | 在射频信号源中。 | ||
第355行: | 第373行: | ||
表 2 试验信号发生器的特性 | 表 2 试验信号发生器的特性 | ||
'''此处表格以截图代替''' | |||
LPE/HPF | LPE/HPF | ||
第379行: | 第391行: | ||
80%AM | 80%AM | ||
图 3 试验信号发生器的配置 | 图 3 试验信号发生器的配置 | ||
第401行: | 第409行: | ||
表 3 耦合/去耦装置的主要参数 | 表 3 耦合/去耦装置的主要参数 | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| -- | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| 参数 | 频 段 | | ! rowspan="2" | 参数 | ||
| 0.15 MHz~24 MHz | 24 MHz~80 MHz | | ! colspan="2" | 频 段 | ||
| | | |- | ||
| 0.15 MHz~24 MHz | |||
| 24 MHz~80 MHz | |||
|- | |||
| style="vertical-align:middle;" | |Zce| | |||
| 150 Ω±20Ω | |||
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub> | |||
|} | |||
注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 , 则CDN 可 能 并 不 适 用 。 | 注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 , 则CDN 可 能 并 不 适 用 。 | ||
第443行: | 第458行: | ||
图 4 耦合/去耦原理图 | 图 4 耦合/去耦原理图 | ||
第486行: | 第500行: | ||
图 4 ( 续 ) | 图 4 ( 续 ) | ||
低频电感 | 低频电感 | ||
第518行: | 第532行: | ||
表 4 CDN 的 使 用 | 表 4 CDN 的 使 用 | ||
| | {| class="wikitable" style="vertical-align:middle;" | ||
| - | |- | ||
! 线缆类型 | |||
| 电源(交流和直流)和接地 | 交流电源线、工业用直流线、接地线 | CDN-Mx | ! 举例 | ||
| 屏蔽电缆 | 同轴电缆、LAN和USB接口 用电缆、音频系统用电缆 | CDN-Sx | ! C D N 类 型 | ||
| 非屏蔽平衡线 | ISDN线、电话线 | CDN-Tx | |- | ||
| 非屏蔽不平衡线 | 任何不属于其他几组的电缆 | CD N -AF x或CD N -Mx | | 电源(交流和直流)和接地 | ||
| 交流电源线、工业用直流线、接地线 | |||
| CDN-Mx (见图D.2) | |||
|- | |||
| 屏蔽电缆 | |||
| 同轴电缆、LAN和USB接口 <br />用电缆、音频系统用电缆 | |||
| CDN-Sx (见图D.1) | |||
|- | |||
| 非屏蔽平衡线 | |||
| ISDN线、电话线 | |||
| CDN-Tx (见图D.4、图D.5、图D.7和附录H) | |||
|- | |||
| 非屏蔽不平衡线 | |||
| 任何不属于其他几组的电缆 | |||
| CD N -AF x或CD N -Mx (见图D.3和图D.6) | |||
|} | |||
6.2.2.2 用于电源线的 CDN | 6.2.2.2 用于电源线的 CDN | ||
第530行: | 第559行: | ||
所有电源连接推荐使用CDN 。 对于高功率(电流≥16 A) 和/或复杂电源系统(多相或各种并联电 | 所有电源连接推荐使用CDN 。 对于高功率(电流≥16 A) 和/或复杂电源系统(多相或各种并联电 | ||
源电压)可选择其他注入方法。 | 源电压)可选择其他注入方法。 | ||
第582行: | 第611行: | ||
对钳注入装置,耦合和去耦功能是分开的。由钳合式装置提供耦合,而共模阻抗和去耦功能是建立 | 对钳注入装置,耦合和去耦功能是分开的。由钳合式装置提供耦合,而共模阻抗和去耦功能是建立 | ||
在 AE 上的。就此而言,AE 是耦合/去耦装置的一部分(见图5)。需要注意的是,通过钳注入装置施加 给 AE 和 EUT 的注入电流是相同的,因此 AE 需不受试验电平的影响。 | 在 AE 上的。就此而言,AE 是耦合/去耦装置的一部分(见图5)。需要注意的是,通过钳注入装置施加 给 AE 和 EUT 的注入电流是相同的,因此 AE 需不受试验电平的影响。 | ||
第650行: | 第679行: | ||
注 2 :通常使电缆通过钳的中心位置,以使电容耦合最小。 | 注 2 :通常使电缆通过钳的中心位置,以使电容耦合最小。 | ||
以 | 以 | ||
第714行: | 第743行: | ||
图7 电流钳的性能评价电路示例 | 图7 电流钳的性能评价电路示例 | ||
6.2.3.3 电磁钳 | 6.2.3.3 电磁钳 | ||
第758行: | 第787行: | ||
适配器应置于参考地平面上,参考地平面的尺寸应超出测量配置的所有边界几何投影至少0.2 m。 图 8c) 给出测量原理,测得的插入损耗值应在(9.5±0.5)dB 的范围内(理论值9.5 dB 是由在50Ω系统 中测量的附加串联阻抗得到的)。建议在接收机的输入端口和信号源的输出端口上使用具有合适电压 驻波比(电压驻波比≤1.2)的衰减器。 | 适配器应置于参考地平面上,参考地平面的尺寸应超出测量配置的所有边界几何投影至少0.2 m。 图 8c) 给出测量原理,测得的插入损耗值应在(9.5±0.5)dB 的范围内(理论值9.5 dB 是由在50Ω系统 中测量的附加串联阻抗得到的)。建议在接收机的输入端口和信号源的输出端口上使用具有合适电压 驻波比(电压驻波比≤1.2)的衰减器。 | ||
第836行: | 第865行: | ||
图 8 验证耦合/去耦装置及150 Ω/50Ω适配器的基本特性的详细配置和部件 | 图 8 验证耦合/去耦装置及150 Ω/50Ω适配器的基本特性的详细配置和部件 | ||
第904行: | 第933行: | ||
c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz); | c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz); | ||
d) 利用记录的射频信号源电平Pgem、前向功率Por 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率; | d) 利用记录的射频信号源电平Pgem、前向功率Por 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率; | ||
第946行: | 第975行: | ||
图 9 电平调整配置 | 图 9 电平调整配置 | ||
第1,014行: | 第1,043行: | ||
如果 EUT 具有其他接地端子,允许时,应将这些端子通过CDN-M1 连接到参考地平面,见6.2.2.2 (即连接到CDN-M1 的 AE 端口,然后连接到参考地平面)。 | 如果 EUT 具有其他接地端子,允许时,应将这些端子通过CDN-M1 连接到参考地平面,见6.2.2.2 (即连接到CDN-M1 的 AE 端口,然后连接到参考地平面)。 | ||
如 果 EUT 带有键盘或手持附件,模拟手应放在键盘上或包裹在附件上然后再连接到参考地平面。 | 如 果 EUT 带有键盘或手持附件,模拟手应放在键盘上或包裹在附件上然后再连接到参考地平面。 | ||
第1,076行: | 第1,105行: | ||
EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。 | EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。 | ||
≥0.5m | ≥0.5m | ||
第1,218行: | 第1,247行: | ||
如果 EUT 有多个相同的端口(相同的输入或输出电子电路,负载,连接设备等),至少要选择其中 | 如果 EUT 有多个相同的端口(相同的输入或输出电子电路,负载,连接设备等),至少要选择其中 | ||
一个端口进行试验,以确保试验包含了所有不同类型的端口。 | 一个端口进行试验,以确保试验包含了所有不同类型的端口。 | ||
第1,294行: | 第1,323行: | ||
图13 使用一个 CDN 时二端口 EUT 的抗扰度试验布置示意图 | 图13 使用一个 CDN 时二端口 EUT 的抗扰度试验布置示意图 | ||
=== 7.6 当满足共模阻抗要求时的钳注入应用 === | === 7.6 当满足共模阻抗要求时的钳注入应用 === | ||
第1,329行: | 第1,353行: | ||
除 此 以 外 , 在 其 他 情 况 下 , 均 应 依 照 7 . 7 中 的 程 序 进 行 。 | 除 此 以 外 , 在 其 他 情 况 下 , 均 应 依 照 7 . 7 中 的 程 序 进 行 。 | ||
第1,443行: | 第1,467行: | ||
当使用钳注入且在AE 一侧不满足共模阻抗要求时,AE 的共模阻抗必须小于或等于EUT 的被测 | 当使用钳注入且在AE 一侧不满足共模阻抗要求时,AE 的共模阻抗必须小于或等于EUT 的被测 | ||
端口的共模阻抗,否则,在AE 端口应采取措施(例如,使用CDN-M1 或从AE 到地之间加150Ω电阻), 以满足此条件并防止谐振。本程序中,仅给出与7.6中提出的措施有关的差异。 | 端口的共模阻抗,否则,在AE 端口应采取措施(例如,使用CDN-M1 或从AE 到地之间加150Ω电阻), 以满足此条件并防止谐振。本程序中,仅给出与7.6中提出的措施有关的差异。 | ||
第1,493行: | 第1,517行: | ||
应按照试验计划进行试验。 | 应按照试验计划进行试验。 | ||
可以进行一些研究性的试验,以确立试验计划中的某些方面。 | 可以进行一些研究性的试验,以确立试验计划中的某些方面。 | ||
第1,555行: | 第1,579行: | ||
—合格/不合格判定的依据(基于通用标准,产品标准和产品类标准中规定的性能判据,或制造商 与买方之间的共识)。 | —合格/不合格判定的依据(基于通用标准,产品标准和产品类标准中规定的性能判据,或制造商 与买方之间的共识)。 | ||
附 录 A | 附 录 A | ||
第1,591行: | 第1,615行: | ||
注:若钳本身符合A.2定义的参数,也可以使用其他物理尽寸的锥飞例如对较大直径的电缆进行试验)。 | 注:若钳本身符合A.2定义的参数,也可以使用其他物理尽寸的锥飞例如对较大直径的电缆进行试验)。 | ||
单位为 mm | 单位为 mm | ||
第1,643行: | 第1,667行: | ||
图 A.1 举例:电磁钳的详细结构 | 图 A.1 举例:电磁钳的详细结构 | ||
第1,677行: | 第1,701行: | ||
钳参考点(第一个磁芯)与夹具垂直边缘之间的距离LA 和 LB 应为30 mm±5mm (见图 A.5)。参 考地平面的尺寸应超出试验布置的各边至少0.2 m。 | 钳参考点(第一个磁芯)与夹具垂直边缘之间的距离LA 和 LB 应为30 mm±5mm (见图 A.5)。参 考地平面的尺寸应超出试验布置的各边至少0.2 m。 | ||
100 mm | 100 mm | ||
第1,724行: | 第1,748行: | ||
阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。钳(即其注入端口)应端接50Ω负载并置于试验夹 具中,见图 A.6。 在阻抗测量中电磁钳被视为一个二端口装置,其特性可以使用网络分析仪在50Ω系 | 阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。钳(即其注入端口)应端接50Ω负载并置于试验夹 具中,见图 A.6。 在阻抗测量中电磁钳被视为一个二端口装置,其特性可以使用网络分析仪在50Ω系 | ||
统中测量其 S 参数 S 、Si ₂、S ₂₁和 S 2₂来表示。在测量之前,应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用 适当的校准套件使用标准直通、开路、短路匹配(TOSM )法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之 间长度带来的影响应通过矢量网络分析仪(VNA )的端口补偿或其他方式进行处理。 | 统中测量其 S 参数 S 、Si ₂、S ₂₁和 S 2₂来表示。在测量之前,应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用 适当的校准套件使用标准直通、开路、短路匹配(TOSM )法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之 间长度带来的影响应通过矢量网络分析仪(VNA )的端口补偿或其他方式进行处理。 | ||
第1,801行: | 第1,823行: | ||
…………………… (A.12) | …………………… (A.12) | ||
A.2.2.1.3 阻抗的计算 | A.2.2.1.3 阻抗的计算 | ||
第1,853行: | 第1,875行: | ||
3种不同电磁钳去耦系数曲线的典型实例见图A.8。 | 3种不同电磁钳去耦系数曲线的典型实例见图A.8。 | ||
电磁钳-去耦系数(TOSM/ABCD 转换) | 电磁钳-去耦系数(TOSM/ABCD 转换) | ||
第1,909行: | 第1,931行: | ||
图 A.9 耦合系数测量的归一化布置 | 图 A.9 耦合系数测量的归一化布置 | ||
EUT | EUT | ||
第2,035行: | 第2,057行: | ||
1 6 ) 计 算 : | 1 6 ) 计 算 : | ||
a[dB]=20log₁₀(ABS(S'21)) ……………………(A.16) | a[dB]=20log₁₀(ABS(S'21)) ……………………(A.16) | ||
第2,083行: | 第2,105行: | ||
表 B.1 试验频率范围扩展到80 MHz 以上时耦合/去耦装置的主要参数汇总表 | 表 B.1 试验频率范围扩展到80 MHz 以上时耦合/去耦装置的主要参数汇总表 | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| -- | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| 参数 | 频段 | | ! rowspan="2" | 参数 | ||
| 0.15 MHz~24 MHz | 24 MHz~80 MHz | 80 MHz~230 MHz | | ! colspan="3" style="text-align:center;" | 频段 | ||
| | | |- | ||
| 注1: | | 0.15 MHz~24 MHz | ||
| 24 MHz~80 MHz | |||
| 80 MHz~230 MHz | |||
|- | |||
| |Z<sub>ce</sub>| | |||
| 150 Ω±20Ω | |||
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub> | |||
| 150 Ω±60Ω | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| colspan="4" | 注1:Z<sub>ce</sub>的幅角以及EUT端口和AE端口之间的去耦系数均未单独规定,由AE端口对参考地平面开路或短路 时应满足|Z<sub>ce</sub>| 容差的要求来体现这些参数。 <br />注2:当使用钳注入法时,如果不满足AE的共模阻抗要求,则可能无法满足Z<sub>ce</sub>的要求。然而,若采用7.7的规 范,钳注入法可以提供能够接受的试验结果。 | |||
|} | |||
试验的起始频率取决于设备及其连接电缆是否能接收来自骚扰电磁场的大量射频能量。 | 试验的起始频率取决于设备及其连接电缆是否能接收来自骚扰电磁场的大量射频能量。 | ||
第2,102行: | 第2,134行: | ||
c) 设备连接到电网(电源),也通过控制、数据或通信电缆连接到其他隔离或非隔离设备。起始频 率为150 kHz。 | c) 设备连接到电网(电源),也通过控制、数据或通信电缆连接到其他隔离或非隔离设备。起始频 率为150 kHz。 | ||
2H/nnnF | 2H/nnnF | ||
第2,140行: | 第2,172行: | ||
图 B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率 | 图 B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率 | ||
附 录 C | 附 录 C | ||
第2,166行: | 第2,198行: | ||
在上述场所,骚扰源的强度很少超过试验等级所描述的典型电平值。在某些地点可能超过这些值, 例如,在同一建筑物中的高功率发射机或工、科 读设 备附 近 。此情况下,对房间或建筑物进行屏蔽以及 对设备的电源线和信号线滤波可能比规定全部设备 具 有免 受这些电平影响的能力更好。 | 在上述场所,骚扰源的强度很少超过试验等级所描述的典型电平值。在某些地点可能超过这些值, 例如,在同一建筑物中的高功率发射机或工、科 读设 备附 近 。此情况下,对房间或建筑物进行屏蔽以及 对设备的电源线和信号线滤波可能比规定全部设备 具 有免 受这些电平影响的能力更好。 | ||
附 录 D | 附 录 D | ||
第2,204行: | 第2,236行: | ||
图 D.1~ 图 D.7 给出了几种可能的CDN ,因为仅用一种 CDN 不可能满足所有功能要求。 | 图 D.1~ 图 D.7 给出了几种可能的CDN ,因为仅用一种 CDN 不可能满足所有功能要求。 | ||
输入端口 | 输入端口 | ||
第2,230行: | 第2,262行: | ||
图 D.2 用 于 非 屏 蔽 电 源 线 的 CDN-M1/-M2/-M3 简化电路图示例(见6 .2 .2 .2) | 图 D.2 用 于 非 屏 蔽 电 源 线 的 CDN-M1/-M2/-M3 简化电路图示例(见6 .2 .2 .2) | ||
第2,258行: | 第2,290行: | ||
图 D.4 用 于 非 屏 蔽 平 衡 线 对 的 CDN-T2 简化电路图示例(见6 .2 .2 . 3) | 图 D.4 用 于 非 屏 蔽 平 衡 线 对 的 CDN-T2 简化电路图示例(见6 .2 .2 . 3) | ||
第2,274行: | 第2,306行: | ||
图 D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8 简化电路图示例(见6.2.2.4) | 图 D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8 简化电路图示例(见6.2.2.4) | ||
C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ,L -280pH 、La>>6 ml。 | C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ,L -280pH 、La>>6 ml。 | ||
第2,280行: | 第2,312行: | ||
图D.7 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3) | 图D.7 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3) | ||
附 录 E | 附 录 E | ||
第2,292行: | 第2,324行: | ||
表 E.1 获得10 V 试验电平所需的功率放大器输出功率 | 表 E.1 获得10 V 试验电平所需的功率放大器输出功率 | ||
| | {| class="wikitable" style="vertical-align:middle;" | ||
| - | |- | ||
! 注入装置 | |||
| CDN | 0 | 7 | | ! 最小耦合系数/dB ±1.5 dB | ||
| 电流钳绕组(匝数比5:1) | -14 | 176 | | ! PA输出端所需功率/W | ||
| 电磁钳 | -6 | 28 | | |- | ||
| 注:使用输出电平调整电路[见图9c]]可以测得3.6中定义的耦合系数。耦合系数是当使用耦合/去耦装置串联 | | CDN | ||
| 0 | |||
| 7 | |||
|- | |||
| 电流钳绕组(匝数比5:1) | |||
| -14 | |||
| 176 | |||
|- | |||
| 电磁钳 | |||
| -6 | |||
| 28 | |||
|- | |||
| colspan="3" | 注:使用输出电平调整电路[见图9c]]可以测得3.6中定义的耦合系数。耦合系数是当使用耦合/去耦装置串联 150Ω/50Ω适配器时所获得的输出电压Um与当使用两个串联的1502/50 Ω适配器时所获得的输出电压 之比。 | |||
|} | |||
附 录 F | 附 录 F | ||
第2,340行: | 第2,385行: | ||
AE 可以放置在提高的参考地平面上,但如果AE 通过 CDN 连接到EUT 时,则AE 不需要放置在 提高的参考地平面上。当使用直接注入法时,如果使用适当的去耦方式,AE 可以位于提高的参考地平 面之外。在使用钳注入替代 CDN 注入时,AE 必须放置在提高的参考地平面上。 | AE 可以放置在提高的参考地平面上,但如果AE 通过 CDN 连接到EUT 时,则AE 不需要放置在 提高的参考地平面上。当使用直接注入法时,如果使用适当的去耦方式,AE 可以位于提高的参考地平 面之外。在使用钳注入替代 CDN 注入时,AE 必须放置在提高的参考地平面上。 | ||
第2,378行: | 第2,423行: | ||
在使用水平提高的参考地平面的试验布置中给出的说明(例如,绝缘支架和 AE 的位置)也适用于 使用垂直参考地平面的试验布置。 | 在使用水平提高的参考地平面的试验布置中给出的说明(例如,绝缘支架和 AE 的位置)也适用于 使用垂直参考地平面的试验布置。 | ||
CDN | CDN | ||
第2,394行: | 第2,439行: | ||
图 F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例 | 图 F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例 | ||
附 录 G | 附 录 G | ||
第2,446行: | 第2,491行: | ||
1) 方括号中的数字参见附录G 结尾处的参考文献。 | 1) 方括号中的数字参见附录G 结尾处的参考文献。 | ||
试验电压等 级的不确定 度 | 试验电压等 级的不确定 度 | ||
第2,516行: | 第2,557行: | ||
图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例 | 图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例 | ||
G.3.3 扩展不确定度的影响量和计算示例 | G.3.3 扩展不确定度的影响量和计算示例 | ||
第2,572行: | 第2,613行: | ||
U | U | ||
表 G.1 CDN 电平调整程序 | 表 G.1 CDN 电平调整程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
表 G.2 CDN 试验程序 | 表 G.2 CDN 试验程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
注3:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或者试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量写人表G.1 和表G.2 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分,其 并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注4)。然而表 G.1 和表 G.2 包含试验信 号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详细的分 析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。 | 注3:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或者试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量写人表G.1 和表G.2 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分,其 并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注4)。然而表 G.1 和表 G.2 包含试验信 号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详细的分 析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。 | ||
第2,616行: | 第2,632行: | ||
RCAL——150 Q/50Ω适配器的不确定度。这种影响量通常可以从校准报告中获得。或者可以使 用网络分析仪测量插入损耗[见图8c]]。规定的插入损耗(9.5 dB) 的最大偏差及其校准不确定度应该 | RCAL——150 Q/50Ω适配器的不确定度。这种影响量通常可以从校准报告中获得。或者可以使 用网络分析仪测量插入损耗[见图8c]]。规定的插入损耗(9.5 dB) 的最大偏差及其校准不确定度应该 | ||
包括在表G.1 和 表G.2 。 如果校准证书只申明符合规定的容差,那么建议使用0 .5 dB。 | 包括在表G.1 和 表G.2 。 如果校准证书只申明符合规定的容差,那么建议使用0 .5 dB。 | ||
第2,682行: | 第2,698行: | ||
注11:符号包含在下面的缩写词解释中。 | 注11:符号包含在下面的缩写词解释中。 | ||
表 G.3 电磁钳电平调整程序 | 表 G.3 电磁钳电平调整程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
表 G.4 电磁钳试验程序 | 表 G.4 电磁钳试验程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
注12:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.3和表 G.4中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注13)。然而表 G.3 和表G.4 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。 | 注12:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.3和表 G.4中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注13)。然而表 G.3 和表G.4 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。 | ||
第2,727行: | 第2,718行: | ||
原则上,若干与前例(CDN 方法)相同的项目不再解释,可参考前例。 | 原则上,若干与前例(CDN 方法)相同的项目不再解释,可参考前例。 | ||
注15:在使用监视探头和应用电流限幅的情况下,附录G 未考虑7.7涉及的不确定度。此条件下,U。的值与电平 | 注15:在使用监视探头和应用电流限幅的情况下,附录G 未考虑7.7涉及的不确定度。此条件下,U。的值与电平 | ||
第2,759行: | 第2,750行: | ||
表 G 5 电流钳电平调整程序 | 表 G 5 电流钳电平调整程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
表 G.6 电流钳试验程序 | 表 G.6 电流钳试验程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
表 G.6 ( 续) | 表 G.6 ( 续) | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
注18:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路将LMC 或试验信号发 生器(TO 其 中一个影响量加入表G.5 和表G.6 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注19)。然而表G5 和表 G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释 | 注18:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路将LMC 或试验信号发 生器(TO 其 中一个影响量加入表G.5 和表G.6 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注19)。然而表G5 和表 G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释 | ||
第2,834行: | 第2,798行: | ||
注 23:符号包含在下面的缩写词解释中。 | 注 23:符号包含在下面的缩写词解释中。 | ||
表 G.7 直接注入电平调整程序 | 表 G.7 直接注入电平调整程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
表 G.8 直接注入试验程序 | 表 G.8 直接注入试验程序 | ||
'''此表格以截图代替''' | |||
注24:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.7 和表 G.8 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注25)。然而表 G.5 和表G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。 | 注24:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.7 和表 G.8 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注25)。然而表 G.5 和表G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。 | ||
第2,879行: | 第2,818行: | ||
原则上,若干与前例(如CDN 方法)相同的项目不再解释,可参考前例。 | 原则上,若干与前例(如CDN 方法)相同的项目不再解释,可参考前例。 | ||
*DD-* 夫耦装置和 AE 终端阻抗的合成不确定度。良好的去耦对 AE 终端阻抗影响较少,较差的 去耦会产生较大影响。这种影响量可以根据去耦单元的阻抗计算得到。 | *DD-* 夫耦装置和 AE 终端阻抗的合成不确定度。良好的去耦对 AE 终端阻抗影响较少,较差的 去耦会产生较大影响。这种影响量可以根据去耦单元的阻抗计算得到。 | ||
第2,909行: | 第2,848行: | ||
[3] ISO/IEC Guide 98-3:2008,测量不确定度 第3部分:测量中不确定度表示指南(GUM: 1995) | [3] ISO/IEC Guide 98-3:2008,测量不确定度 第3部分:测量中不确定度表示指南(GUM: 1995) | ||
附 录 H | 附 录 H | ||
第2,929行: | 第2,868行: | ||
表 H E 阻 抗的要求 | 表 H E 阻 抗的要求 | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| -- | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| 参数 | 频段 | | | ! rowspan="2" | 参数 | ||
! colspan="2" style="text-align:center;" | 频段 | |||
| Z | |- | ||
| 注:当按照7.7进行试验时,AE阻抗很可能低手表中的规定。关于钳座人时电流监视的更多信息请见7.7. | | | 0.15MHz—24MHz | ||
| 24 MHz~80 MHz | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| |Z<sub>ce</sub>| | |||
| 150 Ω±20Ω | |||
| 150Ω<sup>+</sup>60Ω<sub>-</sub>45Ω | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| colspan="3" | 注:当按照7.7进行试验时,AE阻抗很可能低手表中的规定。关于钳座人时电流监视的更多信息请见7.7. | |||
|} | |||
H.2.2 使用阻抗分析仪的测量布置 | H.2.2 使用阻抗分析仪的测量布置 | ||
第2,956行: | 第2,903行: | ||
表 H.2 用于 AE 阻抗测量的导出分压比 | 表 H.2 用于 AE 阻抗测量的导出分压比 | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| -- | |- style="vertical-align:middle;" | ||
| 参数 | 频段 | | ! rowspan="2" | 参数 | ||
| 0.15 MHz~24 MHz | 24 MHz~80 MHz | | ! colspan="2" style="text-align:center;" | 频段 | ||
| | | |- | ||
| 理 论 值 ( | Z | = | | 0.15 MHz~24 MHz | ||
| 电压上限值 | 0.116×U₀ (-18.7 dB) | 0.123×U₀ (-18.2 dB) | | | 24 MHz~80 MHz | ||
| 电压下限值 | 0.106×U₀ (-19.5 dB) | 0.097×U₀ (-20.2 dB) | | |- | ||
| 注:表H.2中的标称值没有考虑测量不确定度且所有阻抗都是纯电阻。这些标称值仅供参考,并非要求。 | | | |Z<sub>ce</sub>| | ||
| 150 Ω±20 Ω | |||
| 150 Ω<sup>+60 Ω</sup><sub>-45Ω</sub> | |||
|- | |||
| style="vertical-align:middle;" | 理 论 值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω) | |||
| 0.111×U₀ (-19.1 dB) | |||
| 0.111×U₀ (-19.1 dB) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 电压上限值 | |||
| 0.116×U₀ (-18.7 dB) | |||
| 0.123×U₀ (-18.2 dB) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 电压下限值 | |||
| 0.106×U₀ (-19.5 dB) | |||
| 0.097×U₀ (-20.2 dB) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| colspan="3" | 注:表H.2中的标称值没有考虑测量不确定度且所有阻抗都是纯电阻。这些标称值仅供参考,并非要求。 | |||
|} | |||
第3,006行: | 第2,970行: | ||
通过加载 AE, 试验电平U 。的分压比将发生变化,从而得出AE 阻抗。50Ω电压表上读到的电压 限值见表 H.3 。 需注意,这些数据是假定电流探头具有理想变换系数0 dB(V/A) 时得到的。如果探头 的变换系数不是0 dB(V/A), 应使用实际的变换系数修正电压读数。 | 通过加载 AE, 试验电平U 。的分压比将发生变化,从而得出AE 阻抗。50Ω电压表上读到的电压 限值见表 H.3 。 需注意,这些数据是假定电流探头具有理想变换系数0 dB(V/A) 时得到的。如果探头 的变换系数不是0 dB(V/A), 应使用实际的变换系数修正电压读数。 | ||
表 H.3 用于 AE 阻抗测量的导出分压比 | 表 H.3 用于 AE 阻抗测量的导出分压比 | ||
| | {| class="wikitable" | ||
| --- | |- style="text-align:center; vertical-align:middle;" | ||
| 参数 | 频段 | | ! rowspan="2" | 参数 | ||
| 0.15 MHz~24 MHz | 24 MHz~80 MHz | | ! colspan="2" | 频段 | ||
| |Z | 150 Ω±20Ω | 150 | |- | ||
| 理论值 | | 0.15 MHz~24 MHz | ||
| 电流上限值(假设探头变换系数为0 dB) | 0.003571×U₀ (-48.9 dB) | 0.003922×U₀ (-48.1 dB) | | | 24 MHz~80 MHz | ||
| 电流下限值(假设探头变换系数为0 dB) | 0.003125×U₀ (-50.1 dB) | 0.002778×U₀ (-51.1 dB) | | |- | ||
| 注:表H.3中的标称值没有考虑测量不确定度且所有阻抗都是纯电阻。这些标称值仅供参考,并非要求。 | | | |Z<sub>ce</sub>| | ||
| 150 Ω±20Ω | |||
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub> | |||
|- | |||
| style="vertical-align:middle;" | 理论值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)(假设探头变换系数为0 dB) | |||
| 0.003333×U₀ (-49.5 dB) | |||
| 0.003333×U₀ (-49.5 dB) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 电流上限值(假设探头变换系数为0 dB) | |||
| 0.003571×U₀ (-48.9 dB) | |||
| 0.003922×U₀ (-48.1 dB) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| 电流下限值(假设探头变换系数为0 dB) | |||
| 0.003125×U₀ (-50.1 dB) | |||
| 0.002778×U₀ (-51.1 dB) | |||
|- style="vertical-align:middle;" | |||
| colspan="3" | 注:表H.3中的标称值没有考虑测量不确定度且所有阻抗都是纯电阻。这些标称值仅供参考,并非要求。 | |||
|} | |||
第3,072行: | 第3,053行: | ||
——使用尽可能少的外部电缆; | ——使用尽可能少的外部电缆; | ||
——将 AE 电缆收拢靠近 AE, 将 AE 置于300 mm 的绝缘材料上以减小与参考地平面的耦合; ——使用光纤信号转换器连接到其他 AE。 | ——将 AE 电缆收拢靠近 AE, 将 AE 置于300 mm 的绝缘材料上以减小与参考地平面的耦合; ——使用光纤信号转换器连接到其他 AE。 | ||
第3,084行: | 第3,065行: | ||
按以上措施,若还是无法接近 ZAE≤150 Ω,如果可能,则尝试将AE 额外端接 CDN 来减小 ZAE。 另见表H.1 中的注。 | 按以上措施,若还是无法接近 ZAE≤150 Ω,如果可能,则尝试将AE 额外端接 CDN 来减小 ZAE。 另见表H.1 中的注。 | ||
附 录 I | 附 录 I | ||
第3,120行: | 第3,101行: | ||
端口的试验和试验结果的处理按照本部分正文所述执行。 | 端口的试验和试验结果的处理按照本部分正文所述执行。 | ||
第3,164行: | 第3,145行: | ||
图1.1 端只间注入试验布置的示例 | 图1.1 端只间注入试验布置的示例 | ||
附 录 J | 附 录 J | ||
第3,208行: | 第3,189行: | ||
对于在输出端有一个固定的低通滤波器的放大器,基波频率的上限是放大器规定的最大频率的三 | 对于在输出端有一个固定的低通滤波器的放大器,基波频率的上限是放大器规定的最大频率的三 | ||
分之一。 | 分之一。 | ||
第3,318行: | 第3,299行: | ||
试验频率应是J.4.2.3 中确定的所有不符合的频率。 | 试验频率应是J.4.2.3 中确定的所有不符合的频率。 | ||
衰减器 | 衰减器 | ||
第3,366行: | 第3,347行: | ||
以上两种情况都应符合6.1中的要求。 | 以上两种情况都应符合6.1中的要求。 | ||
参 考 文 献 | 参 考 文 献 |