跳转到内容

电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017：修订间差异

电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017 (查看源代码)

2025年6月17日 (二) 13:32的版本

添加4,294字节 、​ 2025年6月17日 (星期二)
无编辑摘要
焦雨桐（留言 | 贡献）
无编辑摘要
标签：移动版编辑 移动版网页编辑
刘佳明（留言 | 贡献）
无编辑摘要
标签：移动版编辑 移动版网页编辑
 
（未显示2个用户的2个中间版本）
第1行： 第1行：
{{国标文件|国标文件名=电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017}}
{{国标文件|国标文件名=电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017}}
== 标准状态 ==
<br>
当前标准：电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017
发布日期：2017-12-29
实施日期：2018-07-01
旧标准：电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB/T 17626.6-2008
发布日期：2008-05-20
实施日期：2009-01-01
废止日期：2018-07-01
== 1 范围 ==
== 1 范围 ==


第14行： 第31行：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。


IEC 60050(161) 国际电工词汇(IEV) 第161章：电磁兼容[International Electrotechnical Vo-
IEC 60050(161) 国际电工词汇(IEV) 第161章：电磁兼容[International Electrotechnical Vo- cabulary(IEV)—Chapter 161:Electromagnetic compatibility]
 
cabulary(IEV)—Chapter 161:Electromagnetic compatibility]


== 3 术语和定义 ==
== 3 术语和定义 ==
第41行： 第56行：


钳注入是通过电缆上的钳合式“电流”注入装置获得的。
钳注入是通过电缆上的钳合式“电流”注入装置获得的。




第126行： 第140行：
本部分所涉及的骚扰源，通常指来自射频发射机的电磁场，该电磁场可能作用于连接设备的整条电缆。虽然被干扰设备(多数是较大系统的 一 部分)的尺寸比骚扰信号的波长小，但与 EUT 相 连 的 输 入 线和输出线(例如电源线、通信线、接口电缆等)可能成为无源的接收天线网络和有用信号及无用信号的 传导路径。
本部分所涉及的骚扰源，通常指来自射频发射机的电磁场，该电磁场可能作用于连接设备的整条电缆。虽然被干扰设备(多数是较大系统的 一 部分)的尺寸比骚扰信号的波长小，但与 EUT 相 连 的 输 入 线和输出线(例如电源线、通信线、接口电缆等)可能成为无源的接收天线网络和有用信号及无用信号的 传导路径。


电缆网络间的敏感设备易受到流经设备的骚扰电流的影响。假设连接设备的电缆系统处于谐振的 方 式(A/4 和λ/2展开或折叠偶极子),由相对于参考地平面(板)具有150Ω共模阻抗的耦合/去耦装置 代表这种电缆系统。如果可能，EUT 连接在两个150Ω共模阻抗之间进行试验： 一 个提供射频信号源， 另 一 个提供电流回路。
电缆网络间的敏感设备易受到流经设备的骚扰电流的影响。假设连接设备的电缆系统处于谐振的 方 式(λ/4 和λ/2展开或折叠偶极子),由相对于参考地平面(板)具有150Ω共模阻抗的耦合/去耦装置 代表这种电缆系统。如果可能，EUT 连接在两个150Ω共模阻抗之间进行试验： 一 个提供射频信号源， 另 一 个提供电流回路。


该试验方法是使 EUT 处于骚扰源模拟实际发射机形成的电场和磁场中。这些骚扰场(电场和磁 场)是由如图1a)所示的试验装置产生的电压或电流形成的近区电场和磁场来近似表示的。
该试验方法是使 EUT 处于骚扰源模拟实际发射机形成的电场和磁场中。这些骚扰场(电场和磁 场)是由如图1a)所示的试验装置产生的电压或电流形成的近区电场和磁场来近似表示的。
第134行： 第148行：
耦合/去耦装置是根据6 . 2.1中给出的特性定义的。任何满足这些特性的耦合/去耦装置都可以使 用 。 附 录D 中 的CDN 仅 是一 些市场上销售的耦合/去耦网络的举例。
耦合/去耦装置是根据6 . 2.1中给出的特性定义的。任何满足这些特性的耦合/去耦装置都可以使 用 。 附 录D 中 的CDN 仅 是一 些市场上销售的耦合/去耦网络的举例。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图1 射频传导骚扰抗扰度试验.jpeg|400px]]


Z CDN 系统的共模阻抗，Z 。=150 Ω
注：100 Ω电阻包含在CDN 中。左边输入端口由一个(无源)50 Ω负载端接，而右边输入端口由试验信号发生器的
源阻抗端接。
U₀ 试验信号发生器源电压(e.m.f.)
Uom EUT 与参考平面之间的共模电压
Iom 通过EUT 的共模电流
Jm 在EUT 的导电平面或其他导体上的电流密度
E,H 电场和磁场
a) 在EUT 附近由EUT 电缆上的共模电流产生的电磁场的示意图


EUT
图 1 射频传导骚扰抗扰度试验


Ⅱ
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图1续 使用CDN 的抗扰度试验布置示意图.jpeg|400px]]


100Ω
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图1续 使用注入钳的抗扰度试验布置示意图.jpeg|400px]]


u
T 端接50 Ω负载
T2 功率衰减器(6 dB)
CDN 耦合/去耦网络
注入钳电流钳或电磁钳
使用注入钳的抗扰度试验布置示意图
b ) 射频传导骚扰抗扰度试验布置示意图


E
图1(续)


U₀
== 5 试验等级 ==


试验信号 发生器
本部分规定，来自射频发射机发射的电磁场感应的传导骚扰抗扰度测量的频率范围为150 kHz~80 MHz。


100Ω
表1规定了以有效值(r.m.s.) 表示的未调制骚扰信号的开路试验电压(e.m.f.)。


50Ω
表 1 试验等级


Zce CDN 系统的共模阻抗，Z= 150 Ω
{| class="wikitable"
 
|- style="vertical-align:middle;"
注：100 Ω电阻包含在CDN 中。左边输入端口由一个( 无源)50 0负载端接，而右边输入端口由试验信号发生器的 源阻抗端接。
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
 
|- style="vertical-align:middle;"
U 。 试验信号发生器源电压(e.m.f.)
| rowspan="2" | 等级
 
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
Ueom EUT 与参考平面之间的共模电压
|-
 
| U₀/V
Icom 通过 EUT 的共模电流
| U₀/dB(μV)
 
|- style="vertical-align:middle;"
Jom 在 EUT 的导电平面或其他导体上的电流密度
| 1
 
| 1
E,H 电场和磁场
| 120
|}


a) 在 EUT附近由EUT电缆上的共模电流产生的电磁场的示意图


图 1 射频传导骚扰抗扰度试验


表1(续)


{| class="wikitable"
|- style="vertical-align:middle;"
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 等级
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
|-
| U₀/V
| U₀/dB(μV)
|- style="vertical-align:middle;"
| 2
| 3
| 129.5
|- style="vertical-align:middle;"
| 3
| 10
| 140
|- style="vertical-align:middle;"
| X
| colspan="2" | 指定
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="3" | 注：X是一开放的等级，此等级应在专门的设备规范中规定。
|}


试验时，在耦合装置的 EUT 端口上设置骚扰信号的试验电平(见6.4),该信号使用1 kHz 正 弦 波 调幅(80%调制度)来模拟实际骚扰影响。实际的幅度调制如图2所示。附录C 中给出选择试验等级 的指南。


注1:TEC 61000-4-3(2)也规定了用于确定电气和电子设备对辐射电磁能的抗扰度测量方法，覆盖了80 MHz 以上 的频率范围。产品委员会可决定选择比80 MHz 低的或高的上限频率(见附录B)。


射频信号源
注 2: 产品委员会可选择替代的调制方式。
 
试验信号发生器
 
T2
 
EUT
 
AE 2
 
CDN 2
 
h≥30 mm
 
0.1m±0.05m
 
0.1m≤L≤0.3m L
 
参考地平面
 
CDN 1


支撑
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图2 试验等级1 时耦合装置EUT 端口上的开路电压波形.jpeg|400px]]


AE 1
图 2 试验等级1时耦合装置 EUT 端口上的开路电压波形


L
== 6 试验设备及电平调整 ==


T
=== 6.1 试验信号发生器 ===


使用CDN 的抗扰度试验布置示意图
试验信号发生器包括在适当的注入点上以规定的信号电平将骚扰信号施加给每个耦合装置输入端口的 全部设备和部件。以下部件的典型组装可以是分立的，也可以是集成到一个或多个测量设备中的(见图3):


——射频信号源 G1: 能覆盖所规定的频段，用1kHz 正弦波调幅，调制度为80%。应能够手动控制(比如，频率，幅度和调制度);或在具有射频合成器的情况下，可对频率步进和驻留时间编程控制。


——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平，可以包含在射频信号源中。


射频信号源
—— 射频开关S1: 当测量 EUT 的抗扰度时，可以接通和断开骚扰信号的射频开关。可以包含在射 频信号源中。


试验信号发生器
—— 宽带功率放大器PA: 当射频信号源的输出功率不足时，需要加功率放大器。


L2
—— 低通滤波器LPF 和/或高通滤波器 HPF: 为避免干扰某些类型的EUT, 例如，(高次或亚)谐波可能对射频接收机产生干扰，需要时，应将它们加在宽带功率放大器PA 和衰减器 T2 之间。


AE 2 T
——衰减器 T2: 具有足够额定功率的衰减器(固有衰减≥6 dB) 。 提供衰减器是为了减小因耦合装 置失配引起的功率放大器的电压驻波比(VSWR)。


CDN
注：T2 可包含在CDN 中，如果宽带功率放大器的输出阻抗在任意负载条件下可保持在规范内，可省略它。


2
试验信号发生器的特性见表2。


0.1m±0.05 m支撑
表 2 试验信号发生器的特性


0.1m≤L≤0.3m
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表2 试验信号发生器的特性.jpeg|400px]]


L2≤0.3m (如果可能)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图3 试验信号发生器的配置.jpeg|400px]]


T
图 3 试验信号发生器的配置


CDN
=== 6.2 耦合/去耦装置 ===


1
6.2.1 概述


0.1m±0.05m 支撑
耦合/去耦装置用于将骚扰信号合适地(覆盖全部频率，在EUT 端口上具有规定的共模阻抗)耦合 到连接 EUT 的各种电缆上，并防止试验信号影响 EUT 以外的装置、设备和系统。


参考地平面
耦合/去耦装置可以组装在一个盒子内(称为 CDN 或电磁钳),或由几部分组成。


h≥30 mm
出于对试验重现性和保护AE 方面的考虑，首选的耦合/去耦装置是 CDN 。 表3中规定了耦合/去 耦装置的主要参数——在EUT 端口的共模阻抗 Z 。 如 果CDN 不适用或无法从市场上获得，可以使 用其他注入方法。7.4.1给出了选择合适的注入方法的规则。其他注入方法，由于其电气性能，不确定能满足表3中的参数。


注入钳
表 3 耦合/去耦装置的主要参数


{| class="wikitable"
|- style="vertical-align:middle;"
! rowspan="2" | 参数
! colspan="2" | 频 段
|-
| 0.15 MHz～24 MHz
| 24 MHz～80 MHz
|-
| style="vertical-align:middle;" | |Z|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω  Ω2a
|}


注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 ， 则CDN 可 能 并 不 适 用 。


AE 1
注 2 :Z 的 幅 角 以 及 EUT 端 口 和 AE 端 口 之 间 的 去 耦 系 数 均 未 单 独 规 定 ， 由AE 端 口 对 参 考 地 平 面 开 路 或 短 路 时应 满 足 | Z| 容 差 的 要 求 来 体 现 对 这 些 参 数 的 要 求 。


EUT
注 3 : 钳 的 详 细 信 息 见 附 录 A。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4 耦合去耦原理图.jpeg|400px]]


图 4 耦合/去耦原理图


T2
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4续 直接注入到屏蔽电缆的原理图.jpeg|400px]]


L
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4续 CDN 法耦合到非屏蔽电缆的原理图.jpeg|400px]]


T 端 接 5 0 Ω 负 载
图 4 ( 续 )


T2 功率衰减器(6 dB)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4续去耦原理图.jpeg|400px]]


CDN 耦合/去耦网络
例：典型C =47nF (只对非屏蔽电缆),La5 okHo≥280 μH;
低频电感：在一个铁氧体环上绕17匝线圈，材料：NiZn,pR=1200;
高频电感：2～4个铁氧体环(形成一个管),材料：NiZn,μg=700。


注入钳 电流钳或电磁钳
d) 去耦原理图


使用注入钳的抗扰度试验布置示意图
图 4 ( 续 )


b) 射频传导骚扰抗扰度试验布置示意图
6.2.2 耦合/去耦网络(CDN)


图1(续)
6.2.2.1 概述


== 5 试验等级 ==
这些网络包含的耦合和去耦电路在一个盒子中。图4c)和图4d)给出了一些CDN 的典型原理图。 表4归纳了附录D 所述的一些不同类型 CDN 的使用方法。所选的 CDN 不应过分地影响功能信号(参 考图12所给建议)。在产品标准中可规定对这种影响的限制。


本部分规定，来自射频发射机发射的电磁场感应的传导骚扰抗扰度测量的频率范围为150 kHz~
表 4 CDN 的 使 用


80 MHz。
{| class="wikitable" style="vertical-align:middle;"
 
|-
表1规定了以有效值(r.m.s.) 表示的未调制骚扰信号的开路试验电压(e.m.f.)。
! 线缆类型
 
! 举例
表 1 试验等级
! C D N 类 型
 
|-
{| class="wikitable"  
| 电源(交流和直流)和接地
|- style="vertical-align:middle;"
| 交流电源线、工业用直流线、接地线
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
| CDN-Mx (见图D.2)
|- style="vertical-align:middle;"
|-
| rowspan="2" | 等级
| 屏蔽电缆
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
| 同轴电缆、LAN和USB接口 <br />用电缆、音频系统用电缆
| CDN-Sx (见图D.1)
|-
| 非屏蔽平衡线
| ISDN线、电话线
| CDN-Tx (见图D.4、图D.5、图D.7和附录H)
|-
|-
| U₀/V
| 非屏蔽不平衡线
| U₀/dB(μV)
| 任何不属于其他几组的电缆
|- style="vertical-align:middle;"
| CD N -AF x或CD N -Mx (见图D.3和图D.6)
| 1
| 1
| 120
|}
|}


6.2.2.2 用于电源线的 CDN


所有电源连接推荐使用CDN 。 对于高功率(电流≥16 A) 和/或复杂电源系统(多相或各种并联电源电压)可选择其他注入方法。


表1(续)
用 CDN-M1 (单线)、CDN-M2 (双线)、CDN-M3 (三线)或等效网络(见附录 D) 使骚扰耦合到电源 线。对三相电源系统可规定类似网络。耦合电路见图4c)。


{| class="wikitable"
不应由 EUT 的工作电流导致磁性材料的饱和而引起 CDN 的性能过度降低。无论如何，网络的结 构应该确保正向电流的磁效应可以被返回电流的磁效应相抵消。
|- style="vertical-align:middle;"
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 等级
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
|-
| U₀/V
| U₀/dB(μV)
|- style="vertical-align:middle;"
| 2
| 3
| 129.5
|- style="vertical-align:middle;"
| 3
| 10
| 140
|- style="vertical-align:middle;"
| X
| colspan="2" | 指定
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="3" | 注：X是一开放的等级，此等级应在专门的设备规范中规定。
|}


试验时，在耦合装置的 EUT 端口上设置骚扰信号的试验电平(见6.4),该信号使用1 kHz 正 弦 波 调幅(80%调制度)来模拟实际骚扰影响。实际的幅度调制如图2所示。附录C 中给出选择试验等级 的指南。
如果实际安装中电源线可各自分开走线，应使用分立的CDN-M1 。 所有输入端口应分开处理。


注1:TEC 61000-4-3(2)也规定了用于确定电气和电子设备对辐射电磁能的抗扰度测量方法，覆盖了80 MHz 以上 的频率范围。产品委员会可决定选择比80 MHz 低的或高的上限频率(见附录B)。
如果 EUT 具有功能接地端子(例如，为了射频的目的或者大的漏电流),应将它们连接到参考地平 面 上 ：


注 2: 产品委员会可选择替代的调制方式。
—— 当EUT 的特性或规范允许时通过 CDN-M1 连接。在这种情况下，供电电源应通过合适的 CDN-Mx型网络提供；


—— 由于射频或其他原因，当EUT 的特性和规范不允许CDN -M1 网络串联于地端子上，地端子应 直接连接到参考地平面上 。在这种情况下，应使用CDN- M2 网络代替 CDN-M3 网络来防止 由保护地导体形成的射频短路。当设备已经通过 CDN-M 1 或 CDN -M2 供电，运行中应保留 它 们 。


——对于三相电源，使用合适的CDN-Mx 型网络时需要进行类似的调整。


a) 未调制射频信号
警告：由于电容器跨接在CDN 的带电部分之间，可 能产生较高漏电流，因此必须要有 CDN 与参考 地平面之间的安全连接(在某些情况下，这些连接可由 CDN 的结构提供)。


Upp=2.82 V,Ums=1.00 V
6.2.2.3 用于非屏蔽平衡线的CDN


对于非屏蔽平衡线，可使用CDN-T2、CDM-T4 或 CDN-T8 耦 合 和 去 耦 骚 扰 信 号 。 附 录 D 的图 D.4、图 D.5 和 图 D.7 中给出这些电路简图


——CDN-T2 用于有1个对称对(2线)的电缆。


b) 80%AM 射频调制信号
——CDN-T4 用于有2个对称对(4线)的电缆。


Upp=5.09 V,Urms=1.12 V,Umax ms=1.80V
——CDN-T8 用于有4个对称对(8线)的电缆。


图 2 试验等级1时耦合装置 EUT 端口上的开路电压波形
如果其他CDN-Tx 网 络 对指定的频率范围是合适的并满足6 .2. 1 的要求，也可以使用这些网络。 例如，CDN 的差模到共模变换损耗与所安装电缆或连接到所安装电缆的设备规定的度换率相比应具有 较大的值。如果规定的变换率对于电缆和设备是不同的，则较小的值适用。通常，由于没有适用的 CDN, 对平衡的多组对电缆采用钳注入法更合适。


== 6 试验设备及电平调整 ==
6.2.2.4 用于非屏蔽不平衡线的 CDN


=== 6.1 试验信号发生器 ===
对于非屏蔽不平衡线，单一对线采用图 D.3、4 组 对 线 采 用 图D.6 所 述 的 CDN 耦合和去耦骚扰 信 号 。


试验信号发生器包括在适当的注入点上以规定的信号电平将骚扰信号施加给每个耦合装置输入端口的 全部设备和部件。以下部件的典型组装可以是分立的，也可以是集成到一个或多个测量设备中的(见图3):
如果没有适用于非屏蔽不平衡线的CDN, 则按照图12确定使用何种方法。


——射频信号源 G1: 能覆盖所规定的频段，用1kHz 正弦波调幅，调制度为80%。应能够手动控制(比
6.2.2.5 用于屏蔽电缆的 CDN


如，频率，幅度和调制度);或在具有射频合成器的情况下，可对频率步进和驻留时间编程控制。
对于屏蔽电缆，应使用Sx 型 的CDN 耦合和去耦骚扰信号。图 D.1 是用于同轴电缆(S1) 的例子。


——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平，可以包含
两端都具有屏蔽的电缆才可视为应使用上述CDN 的屏蔽电缆，如果不满足此条件，则电缆应被视 为非屏蔽电缆。


6.2.3 钳注入装置


6.2.3.1 概述


在射频信号源中。
对钳注入装置，耦合和去耦功能是分开的。由钳合式装置提供耦合，而共模阻抗和去耦功能是建立在 AE 上的。就此而言，AE 是耦合/去耦装置的一部分(见图5)。需要注意的是，通过钳注入装置施加 给 AE 和 EUT 的注入电流是相同的，因此 AE 需不受试验电平的影响。


— — 射频开关S1: 当测量 EUT 的抗扰度时，可以接通和断开骚扰信号的射频开关。可以包含在射 频信号源中。
注1:当使用钳注入法时，如果不满足 AE 的共模阻抗要求，则可能无法满足 Z 的要求。然而，若采用7.7的规范， 钳注入法可以提供能够接受的试验结果。


— — 宽带功率放大器PA: 当射频信号源的输出功率不足时，需要加功率放大器。
注2:电磁钳可提供一些10 MHz 以上的去耦，见附录A。


— — 低通滤波器LPF 和/或高通滤波器 HPF: 为避免干扰某些类型的EUT, 例如，(高次或亚)谐波
钳注入装置的正确使用说明见7.6。


可能对射频接收机产生干扰，需要时，应将它们加在宽带功率放大器PA 和衰减器 T2 之间。
当用电磁钳或电流钳不满足7.6所给定的要求时，应采用7.7所规定的程序。感应电压的调整使用 与6.4. 1所述相同的方法。此外，应监视并限制产生的电流在 Imx 的范围内。在7 . 7所规定的程序中， 可能会使用较低的共模阻抗，但是共模电流值应限制在150Ω信号源输出电流的范围内。


——衰减器 T2: 具有足够额定功率的衰减器(固有衰减≥6 dB) 。 提供衰减器是为了减小因耦合装 置失配引起的功率放大器的电压驻波比(VSWR)。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图5 按照钳注入法的耦合去耦原理图.jpeg|400px]]


注：T2 可包含在CDN 中，如果宽带功率放大器的输出阻抗在任意负载条件下可保持在规范内，可省略它。
CDN 连接到AE, 例如，连接到所示接地端的CDN-M1减 CDN-M3应在其输入端口端接50Ω负载(见7.7)。


试验信号发生器的特性见表2。
图 5 按照钳注入法的耦合/去耦原 理 图


表 2 试验信号发生器的特性
6.2.3.2 电流钳


'''此处表格以截图代替'''
该装置对连接到EUT 的电缆建立感性耦合。例如，使用5 :1匝数比转换的串联共模阻抗，相对 于 AE 建立的150 Ω可忽略不计，在此，试验信号发生器的输出阻抗(50Ω)转换为2Ω。也可使用其他 匝数比。


LPE/HPF
电流钳的性能应做到：当插入电流钳时试验夹具传输损耗的增高不得超过1.6 dB。 图 7 给 出 了 验 证传输损耗的电路框图。
 
注1:此验证可分为两步完成。第一步，在不插人电流钳时测量电压。第二 步，插入电流钳且在其输入端口端接
 
50 Ω负载时测量电压。 两次测量结果之差不得超过上述规定的1 . 6 dB 。


T1 S1 PA
在试验前调整提供给电流注入钳的信号电平。6.4. 1和图6给出了试验电平调整程序。


T2
使用电流钳时应注意，在耦合装置的 EUT 端口呈现的功率放大器产生的谐波电平不应高于基波 电 平 。


G1
注 2 :通常使电缆通过钳的中心位置，以使电容耦合最小。


( 非必需)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图6 使用150 Ω试验夹具的电平调整设置电路示例.jpeg|400px]]


宽带功率放大器
图6 使用150 Ω试验夹具的电平调整设置电路示例


射频信号源
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图7 电流钳的性能评价电路示例.jpeg|400px]]


80%AM
图7 电流钳的性能评价电路示例


6.2.3.3 电磁钳


电磁钳对连接到EUT 的电缆建立感性和容性耦合。附录A 描述了电磁钳的结构和性能。


图 3 试验信号发生器的配置
6.2.4 直接注入装置


=== 6.2 耦合/去耦装置 ===
当使用直接注入时，来自试验信号发生器的骚扰通过100Ω电阻注入到同轴电缆的屏蔽层上(即使 屏蔽层未接地或仅仅只有一个接地点)。在AE 和注入点之间[见图4b]], 应尽可能靠近注入点插入一 个去耦装置(见6.2.5)。为了提高去耦性能并稳定电路，应将直接注入装置输入端口的地与参考地平面 连接。


6.2.1 概述
当直接连接到金属膜屏蔽层时，要注意确保良好的地连接，以得到可靠的试验结果。


耦合/去耦装置用于将骚扰信号合适地(覆盖全部频率，在EUT 端口上具有规定的共模阻抗)耦合 到连接 EUT 的各种电缆上，并防止试验信号影响 EUT 以外的装置、设备和系统。
6.2.5 去耦网络


耦合/去耦装置可以组装在一个盒子内(称为 CDN 或电磁钳),或由几部分组成。
通常，去耦网络由各种电感组成，以便在整个频率范围内产生高阻抗。这由所用铁氧体材料确定， 并在150 kHz 需要至少280 μH 的电感量。电抗应足够高，在24 MHz 及以下频率电抗应大于等于 260 Ω,在24 MHz 以上频率电抗应大于等于150Ω。电感量由绕在铁氧体环上的一些线圈获得[见图 4d)],或由套在电缆上的一些铁氧体环获得(通常是钳合式管)。


出于对试验重现性和保护AE 方面的考虑，首选的耦合/去耦装置是 CDN 。 表3中规定了耦合/去 耦装置的主要参数——在EUT 端口的共模阻抗 Z 。 如 果CDN 不适用或无法从市场上获得，可以使 用其他注入方法。7.4.1给出了选择合适的注入方法的规则。其他注入方法，由于其电气性能，不确定
注：钳的规范见附录A。


能满足表3中的参数。
除非本部分中特别声明，否则，附录D 中规定的CDN 作为去耦网络使用时，射频输入端口无需端 接负载，这时，它们应满足6.2.5的要求。


表 3 耦合/去耦装置的主要参数
此外，应在非被测但连接到 EUT 和/或 AE 的全部电缆上使用去耦网络。例外情况见7.3。


{| class="wikitable"
=== 6.3 耦合/去耦装置的 EUT 端口上共模阻抗的验证 ===
|- style="vertical-align:middle;"
! rowspan="2" | 参数
! colspan="2" | 频 段
|-
| 0.15 MHz～24 MHz
| 24 MHz～80 MHz
|-
| style="vertical-align:middle;" | |Zce|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
|}


注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 ， 则CDN 可 能 并 不 适 用 。
6.3.1 概述


注 2 :Z 的 幅 角 以 及 EUT 端 口 和 AE 端 口 之 间 的 去 耦 系 数 均 未 单 独 规 定 ， 由AE 端 口 对 参 考 地 平 面 开 路 或 短 路 时
耦合/去耦装置的特性由EUT 端口上的共模阻抗 |Z。 | 表示。合适的 | Z。| 值可保证测量结果的重现性。耦合/去耦装置的共模阻抗校准按图8所示的配置。


应 满 足 | Z| 容 差 的 要 求 来 体 现 对 这 些 参 数 的 要 求 。
耦合/去耦装置和阻抗参考平面[图8a]] 应放在参考地平面上，参考地平面的尺寸应超过装置所有 边的几何投影尺寸至少0.2 m。


注 3 : 钳 的 详 细 信 息 见 附 录 A。
阻抗参考点如图8a)所示连接到CDN 的 EUT 端口，测量阻抗平面上的连接器的共模阻抗值。


50Ω同轴电缆
如图8b)所示，当输入端口接50Ω负载且AE 端口以共模方式分别短路和开路时，CDN 应满足6.2 中表3的阻抗要求。该要求保证有足够的衰减以使 AE 的配置(例如开路或短路)不会对试验产生 影响。


电源、信号或地线
如果使用钳注入或直接注入，连接到EUT 的每个 AE 配置的共模阻抗不大可能得到验证。对于钳 注入，通常按7.6所给程序即满足验证要求；对于其他情况，应采用7.7规定的程序。对于直接注入，通 常按7.8所给程序即满足验证要求。


5 0 2 同 轴 负 载
6.3.2 150 Ω/50Ω适配器的插入损耗


A
在试验前，设置试验信号发生器时，试验电平必须在150Ω共模阻抗的环境中校验。通过图8d) 所 示的150 Ω/50 Ω适配器将50Ω的测量设备连接到适当的共模点来实现。适配器的结构见图8e)。


EUT CDN AE IN
适配器应置于参考地平面上，参考地平面的尺寸应超出测量配置的所有边界几何投影至少0.2 m。 图 8c) 给出测量原理，测得的插入损耗值应在(9.5±0.5)dB 的范围内(理论值9.5 dB 是由在50Ω系统 中测量的附加串联阻抗得到的)。建议在接收机的输入端口和信号源的输出端口上使用具有合适电压 驻波比(电压驻波比≤1.2)的衰减器。


T2


050Ω ~ 50②适配器，在 输入和输出端1之间 申 联100 Q 电阻的盒子
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 a) 验证耦合去耦装置阻抗特性的配置示例.jpeg|400px]]


50 Q信号源
——参考地平面：应超过耦合/去耦装置和其他部件投影尺寸至少0.2 m。


50 Ω测量设备，如选频电压表
——同轴连接器应水平地连接至EUT 端口。


10 dB,50Ω衰减器
——EUT 端口的高度h 取决于CDN, 可能从30 mm～100 mm不等；尤其是大电流CDN 的EUT 端口位置更高。


具有EUT端、输入端(IN)和AE端的耦合去耦网络(CDN)
——同轴连接器平面(包含同轴连接器):h=30 mm 时尺寸为100 mm×100 mm,h 为其他值时尺寸为150 mm×150 mm。


功率衰减器(6 dB)
——两连接器平面均应由铜、黄铜或铝制成，并且必须有良好的射频接触。


a) 用 于 测 量 配 置 图 中 的 符 号 清 单
a) 验证耦合/去耦装置阻抗特性的配置示例


图 4 耦合/去耦原理图
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 b) 验证耦合去耦装置Z 的配置原理图.jpeg|400px]]


开关S 通和断时应满足阻抗要求(见6.3)。


b ) 验证耦合/去耦装置Z 的 配 置 原 理 图


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 c ) 测量两个1 5 0 Ω  5 0 Ω 适配器的插入损耗的配置原理图.jpeg|400px]]


|  |  |
插入损耗(dB)=Um (开关置于2)(dBμV)-Um, (开关置于1)(dBμV)
| --- | --- |
| 0.1m≤L≤0.3m  L2≤0.3m (如果可能) L  *L2* |  |
|  | 50Q |
| AE EUT | T |
| 去耦装置 | CDN |


参考地平面 h≥30 mm
c) 测量两个150 Ω/50Ω适配器的插入损耗的配置原理图


0.1m±0.05m 支撑 0.1m±0.05m 支撑
图 8 验证耦合/去耦装置及150 Ω/50Ω适配器的基本特性的详细配置和部件


100Q
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8续 d) 150 Ω 50 Ω适配器电路.jpeg|400px]]


T2
d) 150 Ω/50 Ω适配器电路


u。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8续 e) 150 Ω50 Ω适配器结构(150 mm×150 mm 示例).jpeg|400px]]


b) 直接注入到屏蔽电缆的原理图
注：同图8a)(阻抗参考平面),但增加100 Ω低感电阻


e) 1502/50Ω 适配器结构(150 mm×150 mm 示例)


图 8 ( 续 )


n
=== 6.4 试验信号发生器的设置 ===


EUT端口
6.4.1 概述


C>20nF/n
应采用6.4.2中的程序正确调整未调制的试验电平 假 设 试验信号发生器、耦合怯耦装置和 150 Ω/50Ω适配器已满足6.I62 和6.3.1的要求。


R=n×100 Ω
电平调整可使用两种方法


50Q
—— 试验信号发生器的输出 功 率 可 以通 过 测 量 放 大 器 的 输出 功 率 ( 前 向功率，如用定向耦合器测 量)来确定；


试验信号发生器
—— 若可以保证试验设备(特别是放大器)的稳定性，也可以通过复制已 有 的 电 平 调 整 数 据 集 来 设 置射频信号源的输出。


U₀
6.4.2 耦合装置的 FUT 端口上输出电平的调整


c) CDN 法耦合到非屏蔽电缆的原理图
试验信号发生器应连接到耦合装置的射频输入端口，耦合装置的 FUT 端 口 以 共 模 方 式 通 过 150 Ω/50Ω适配器连接到输人阻抗为50Ω的测量仪上，AE 端口应用150Ω/50Ω适配器以共模方式 连接并端接50Ω电阻。全部耦合/ 去耦装置的配置见图9c)
 
注1:对于直接注入，在AE 端口一侧如果屏蔽层已连接到参考地平面，无需在AE 端口接150Ω负载。
 
注2:对于钳注入，电流钳一般是双向的，因此没有 EUT 端口和AE 端口，如图6所示使用试验夹具进行校准。
 
警告：试验信号发生器调整过程中，为避免短路或测量设备的损坏，应断开除必须之外的所有到耦 合/去耦装置EUT 端 口 和AE 端口的连接(见图9)。


图 4 ( 续 )
使用上述配置及下列测量程序，调整试验信号发生器，使测量仪获得以下读数。


对每 一 个耦合装置应遵循的程序：


a) 提供给耦合装置前向功率(无调制),使得在150 Ω~50Ω适配器的输出端口获得等于 Um 的 电压；记录射频信号源的电平 Pg,和/或功率放大器输出端口的前向功率 P以 及 1 5 0 Ω ~ 50Ω适配器输出端口的电压Um;


低频电感
b) 以最大不超过当前频率1%的步进增加频率；


高频电感
c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz);


EUT
d) 利用记录的射频信号源电平Pg、前向功率Pfo 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率；


AE
e) 应确保放大器不饱和，使用从步骤 d) 获得的数据调整试验信号发生器以产生所需的试验电平。最高试验电平只需要使用步骤1)～4)来确定：


30 mm
1) 按照步进5.1 dB 增加射频信号源电平；


Cdm
2) 记录传递至耦合装置的新的输出功率 Pfor,ime或150 Q～50Ω 适配器输出端口的电 压 Umr,in;


例：典型Cdee=47 nF(只对非屏蔽电缆),L(150 kHa)≥280 μH;
3 ) 计 算Por,inc与 Po或 Um,mc与 Um 的差值(对数形式);


低频电感：在一个铁氧体环上绕17匝线圈，材料：NiZn,μR=1200;
4) 如果差值在3.1 dB~7.1 dB之间则说明放大器在允许范围内且试验系统在选定的试验等级上 满足需要。如果差值小于3.1 dB 或大于7.1 dB 则放大器处于非线性状态且不满足试验要求。


高频电感：2～4个铁氧体环(形成一个管),材料：NiZn,μR=700。
附 录J 提供了试验信号发生器压缩及放大器非线性的信息。


d) 去耦原理图
调整程序的步骤 a) 中 的Umr应为：


图 4 ( 续 )
<math>U_{\mathrm{mr}}=\frac{U_0}{6}\binom{+19\%}{-16\%}</math>线性值表示，或


6.2.2 耦合/去耦网络(CDN)
Um=U₀-15.6 dB±1.5 dB 对数值表示


6.2.2.1 概述
注3:U。是表1中定义的试验电压，Um 是3.12和图9中定义的测量电压。为减小试验误差，试验信号发生器的输出电平
通过连接150Ω负载(例如用150 Q~50Ω 适配器和50Ω终端阻抗)依据Um设置，而不是依据U₀ 来设置。


这些网络包含的耦合和去耦电路在一个盒子中。图4c)和图4d)给出了一些CDN 的典型原理图。 表4归纳了附录D 所述的一些不同类型 CDN 的使用方法。所选的 CDN 不应过分地影响功能信号(参 考图12所给建议)。在产品标准中可规定对这种影响的限制。
注4:系数6(15.6 dB)源于试验等级所规定的电压值(e.m.f.),匹配的负载电平是电动势的一半，再加上由端接50Ω 测量设备的150 Q~50Ω 适配器产生的3:1分压比。


表 4 CDN 的 使 用
注5:如果试验设备不具有放大器输出功率控制，则每个耦合装置和每个目标测量等级均应重复此程序。对于具有 放大器输出功率控制的试验系统或依据附录J 给出的程序确认了放大器线性度，仅需要在最高目标试验等级 对每个耦合/去耦装置完成6.4.2中的程序。


{| class="wikitable" style="vertical-align:middle;"
应记录试验信号发生器设置(软件参数、衰减器设置等)的控制参数并用于试验。
|-
! 线缆类型
! 举例
! C D N 类 型
|-
| 电源(交流和直流)和接地
| 交流电源线、工业用直流线、接地线
| CDN-Mx (见图D.2)
|-
| 屏蔽电缆
| 同轴电缆、LAN和USB接口 <br />用电缆、音频系统用电缆
| CDN-Sx (见图D.1)
|-
| 非屏蔽平衡线
| ISDN线、电话线
| CDN-Tx (见图D.4、图D.5、图D.7和附录H)
|-
| 非屏蔽不平衡线
| 任何不属于其他几组的电缆
| CD N -AF x或CD N -Mx (见图D.3和图D.6)
|}


6.2.2.2 用于电源线的 CDN
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图9 a) 非屏蔽电缆的共模点定义.jpeg|400px]]


所有电源连接推荐使用CDN 。 对于高功率(电流≥16 A) 和/或复杂电源系统(多相或各种并联电
a) 非屏蔽电缆的共模点定义


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图9 b) 屏蔽电缆的共模点定义.jpeg|400px]]


b) 屏蔽电缆的共模点定义


源电压)可选择其他注入方法。
图 9 电平调整配置


用 CDN-M1 (单线)、CDN-M2 (双线)、CDN-M3 (三线)或等效网络(见附录 D) 使骚扰耦合到电源 线。对三相电源系统可规定类似网络。耦合电路见图4c)。


不应由 EUT 的工作电流导致磁性材料的饱和而引起 CDN 的性能过度降低。无论如何，网络的结 构应该确保正向电流的磁效应可以被返回电流的磁效应相抵消。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图9 c) 耦合去耦装置EUT 端口电平调整的配置.jpeg|400px]]


如果实际安装中电源线可各自分开走线，应使用分立的CDN-M1 。 所有输入端口应分开处理。


如果 EUT 具有功能接地端子(例如，为了射频的目的或者大的漏电流),应将它们连接到参考地平 面 上 ：
耦合/去耦装置的举例：
——CDN;
——直接注入网络(有去耦);
——钳注入装置(电磁钳)。
注：在AE 端口加载150Ω,例如，150 Ω/50Ω适配器端接50Ω负载，只用于非屏蔽电缆(若为屏蔽电缆，其屏蔽层应
连接到参考地平面上)。


— 当EUT 的特性或规范允许时通过 CDN-M1 连接。在这种情况下，供电电源应通过合适的 CDN-Mx型网络提供；
c) 耦合/去耦装置 EUT 端口电平调整的配置


—— 由于射频或其他原因，当EUT 的特性和规范不允许CDN -M1 网络串联于地端子上，地端子应 直接连接到参考地平面上 。在这种情况下，应使用CDN- M2 网络代替 CDN-M3 网络来防止 由保护地导体形成的射频短路。当设备已经通过 CDN-M 1 或 CDN -M2 供电，运行中应保留 它 们 。
图9(续)


——对于三相电源，使用合适的CDN-Mx 型网络时需要进行类似的调整。
== 7 试验布置和注入方法 ==


警告：由于电容器跨接在CDN 的带电部分之间，可 能产生较高漏电流，因此必须要有 CDN 与参考 地平面之间的安全连接(在某些情况下，这些连接可由 CDN 的结构提供)。
=== 7.1 试验布置 ===


6.2.2.3 用于非屏蔽平衡线的CDN
EUT 应放在参考地平面上方0.1m±0.05m 高的绝缘支架上。参考地平面上方0.1m±0.05m 高 度内的非导电支撑可作为绝缘支架的替代品。所有与 EUT 连接的电缆应放置于参考地平面上方至少 30 mm。


对于非屏蔽平衡线，可使用CDN-T2ACDM-T4 或 DN-T8 耦 合 和 去 耦 骚 扰 信 号 。 附 录 D 的
如果 EUT 被设计为安装在一个面板、支架或机柜上，那么它应该在这种配置下进行试验。当需要 用一种方式支撑试验样品时，这种支撑应由非金属、非导电材料构成。 EUT 的接地应与制造商的安装 说 明 一 致 。


图 D.4、图 D.5 和 图 D.7 中给出这些电路简图
所需的耦合/去耦装置与 EUT 之间的距离应在0.1 m～0.3m 之间(本部分中此距离以 L 表示)。 此距离是从 EUT 对参考地平面的投影到耦合/去耦装置的水平距离。参见图5、图10和图11。7.2~ 7.8给出了更详细的信息。


——CDN-T2 用于有1个对称对(2线)的电缆。
注：在EUT 的各个面，距离L 无需相同，但均在0.1 m～0.3m 之间。


——CDN-T4 用于有2个对称对(4线)的电缆。
=== 7.2 单个单元构成的 EUT ===


——CDN-T8 用于有4个对称对(8线)的电缆。
EUT 应放在参考地平面上方0.1m 高的绝缘支架上。对于台式设备，参考地平面可以置于桌面上 (见图10)。


如果其他CDNTx 网 络 对指定的频率范围是合适的并满足6 .2. 1 的要求，也可以使用这些网络。 例如，CDN 的差模到共模变换损耗与所安装电缆或连接到所安装电缆的设备规定的度换率相比应具有 较大的值。如果规定的变换率对于电缆和设备是不同的，则较小的值适用。通常，由于没有适用的 CDN, 对平衡的多组对电缆采用钳注入法更合适。
在全部的被测电缆上，应插入耦合/去耦装置(见7.4.3)。耦合/去耦装置应置于参考地平面上距 EUT0.1m~0.3m 处，并与参考地平面直接接触。耦合/去耦装置以及EUT 之间的电缆应尽可能短并且不可捆扎或卷曲，电缆应置于参考地平面上方至少30 mm。


6.2.2.4 用于非屏蔽不平衡线的 CDN
EUT 与 AE 之间的连接电缆应尽可能短。


对于非屏蔽不平衡线，单一对线采用图 D.3、4 组 对 线 采 用 图D.6 所 述 的 CDN 耦合和去耦骚扰 信 号 。
如果 EUT 具有其他接地端子，允许时，应将这些端子通过CDN-M1 连接到参考地平面，见6.2.2.2 (即连接到CDN-M1 的 AE 端口，然后连接到参考地平面)。


如果没有适用于非屏蔽不平衡线的CDN, 则按照图12确定使用何种方法。
如果 EUT 带有键盘或手持附件，模拟手应放在键盘上或包裹在附件上然后再连接到参考地平面。


6.2.2.5 用于屏蔽电缆的 CDN
根据产品委员会的规定，按照 EUT 的 工 作 状 态 选 择 所 需 的AE, 例如，通信设备、调制解调器、打印 机、传感器等，以及为保证数据传输和功能评价所必需的 AE, 均 应 通 过 耦 合 / 去 耦 装 置 连 接 到 EUT 上 。 被测电缆的数量可能是有限的，但所有类型的物理端口均应被注入。


对于屏蔽电缆，应使用Sx 型 的CDN 耦合和去耦骚扰信号。图 D.1 是用于同轴电缆(S1) 的例子。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图10 单一单元组成的EUT 试验布置示例(俯视图).jpeg|400px]]


两端都具有屏蔽的电缆才可视为应使用上述CDN 的屏蔽电缆，如果不满足此条件，则电缆应被视 为非屏蔽电缆。
a) EUT 距试验设备以外的金属物体至少0.5 m。
b) 不用于注入的CDN 中只有一个用50 Ω负载端接，提供唯一的返回路径，所有其他的CDN作为去耦网络。


6.2.3 钳注入装置
图10 单一单元组成的EUT试验布置示例(俯视图)


6.2.3.1 概述
=== 7.3 多 个 单 元 组 成 的 EUT ===


对钳注入装置，耦合和去耦功能是分开的。由钳合式装置提供耦合，而共模阻抗和去耦功能是建立
由 相 互 连 在 一 起 的 多 个 单 元 组 成 的 EUT, 应 用 下 述 方 法 之 一 进 行 试 验 ( 见 图 1 1 ) 。


—— 优先法：每个分单元应作为 一 个 EUT 分 别 试 验 ( 见 7 . 2 ) , 其 他 所 有 单 元 被 视 为 AE。 耦 合 / 去耦 装 置 应 置 于 作 为 EUT 的分单元的电缆上(按7 . 4 . 1),全部分单元应依次进行试验。


—— 代 替 法 ： 总 是 由 短 电 缆 ( 即 ≤ 1 m) 互 连 并 作 为 EUT 的 一 部 分 的 分 单 元 ， 可 被 认 为 是 一 个 EUT 。 这 些 互 连 电 缆 被 视 为 系 统 的 内 部 电 缆 ， 不 再 对 它 们 进 行 传 导 抗 扰 度 试 验 。 作 为 EUT 一 部分的各分单元应尽可能相互靠近但不接触，并全部置于绝缘支架上，这些单元的互连电缆 也应放在绝缘支架上。所有其他电缆应按7 . 4～7 . 8进行试验。


在 AE 上的。就此而言，AE 是耦合/去耦装置的一部分(见图5)。需要注意的是，通过钳注入装置施加 给 AE 和 EUT 的注入电流是相同的，因此 AE 需不受试验电平的影响。
EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。


注1:当使用钳注入法时，如果不满足 AE 的共模阻抗要求，则可能无法满足 Z 的要求。然而，若采用7.7的规范， 钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图11 多单元EUT 试验布置示例(俯视图).jpeg|400px]]


注2:电磁钳可提供一些10 MHz 以上的去耦，见附录A。
a) 不用于注入的CDN 中只有一个用50Ω负载端接，提供唯一的返回路径。所有其他的CDN 作为去耦网络。
b) 属于EUT 的互连电缆(≤1 m) 应置于绝缘支架上。


钳注入装置的正确使用说明见7.6。
图 11 多单元 EUT 试验布置示例( 俯视图)


当用电磁钳或电流钳不满足7.6所给定的要求时，应采用7.7所规定的程序。感应电压的调整使用 与6.4. 1所述相同的方法。此外，应监视并限制产生的电流在 Imx 的范围内。在7 . 7所规定的程序中， 可能会使用较低的共模阻抗，但是共模电流值应限制在150Ω信号源输出电流的范围内。
=== 7.4 选择注入法和试验点的原则 ===


7.4.1 概述


根据电缆的类型和数目选择耦合/去耦装置，应考虑典型安装条件的物理结构，例如，最长电缆的大概长度 。


0.1m≤L≤0.3m
对于所有试验，EUT 与 AE 之间电缆的总长度(包括使用的所有 CDN 以内的走线)不应超过 EUT 制造商所规定的最大长度。


*L2*
7.4.2 注入法


L2≤0.3m (如果可能)
选择注入法的规则见图12。


50 Q
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图12 选择注入法的规则.jpeg|400px]]


T
1) 见表4。


CDN 1
2)见6.2.4。


参考地平面
图12 选择注入法的规则


b≥30mm 0.1m±0.05m 支撑
在这里没有规定 EUT 应包括的用于试验的电缆，电缆的选择应与典型应用时的配置、安装、布置 和操作的方式一致。未列在本部分中的 CDN, 只要满足本部分的要求也可以使用。


0./1m±0.05m 支撑
如果从 EUT 引出的各种电缆彼此相邻紧密，并且其接近部分长度大于10 m, 或从 EUT 到另一设 备是用电缆槽或管道走线时，则应将它们视为一根电缆来处理。


EUT T
如果产品委员会决定某类耦合/去耦装置更适合于连接其产品类的电缆，那么应优先选择这种装置 (取决于基础技术)。在产品标准中应阐明这些装置，附录 D 例举一些 CDN。


短接地金属带
7.4.3 被测端口


CDN
任何一个试验都需要两个150Ω的网络，用于将试验信号注入的网络可以在不同的被测端口之间 转移。当一个CDN 从一个端口上移除时，可以用另一个去耦网络替代它。


2
如果 EUT 有多个相同的端口(相同的输入或输出电子电路，负载，连接设备等),至少要选择其中一个端口进行试验，以确保试验包含了所有不同类型的端口。


12
=== 7.5 使用 CDN 注入 ===


50Ω
当使用CDN 注入时，需要采取以下措施：


AE
a) 如果AE 是直接连接到 EUT 的(如图13a) 所示它们之间的连接没有经过去耦],则AE 应置于 位于参考地平面上方0.1m±0.05m 的绝缘支架上，且通过端接的 CDN 来接地。


L
如果有多个AE 直接连接到EUT, 只有其中一个AE 以此方式端接，其他直接连接的AE 应做去耦 处理，以此确保只有一个已端接的150Ω的环路。


CDN 连接到AE, 例如，连接到所示接地端的CDN-M1减 CDN-M3应在其输入端口端接50Ω负载(见7.7)。
b) 如果AE 通过一个CDN 连接至EUT, 并且它的布置一般不会对试验产生重要影响，则它可以 依据制造商的安装要求连接至参考地平面。


图 5 按照钳注入法的耦合/去耦原 理 图
c) 一个 CDN 应接在被测端口，端接50Ω负载的 CDN 连接在另一个端口，所有其他连接电缆的 端口应安装去耦网络。在这种方法中，只有一个已端接的150Ω的环路。


6.2.3.2 电流钳
d) 被端接的CDN 的选择应遵循以下的优先次序：


该装置对连接到EUT 的电缆建立感性耦合。例如，使用5 :1匝数比转换的串联共模阻抗，相对 于 AE 建立的150 Ω可忽略不计，在此，试验信号发生器的输出阻抗(50Ω)转换为2Ω。也可使用其他 匝数比。
1) 用于连接接地端子的CDN-M1;


电流钳的性能应做到：当插入电流钳时试验夹具传输损耗的增高不得超过1.6 dB。 图 7 给 出 了 验 证传输损耗的电路框图。
2) 用于电源(I 类设备)的CDN-M3 、CDN-M4、或 CDN-M5;


注1:此验证可分为两步完成。第一步，在不插人电流钳时测量电压。第二 步，插入电流钳且在其输入端口端接
3)CDN-S,(n=1,2,3,….)。 若 EUT 具有多个CDN-S, 端口，应使用最靠近所选注入点的端 口(最短的几何距离);


50 Ω负载时测量电压。 两次测量结果之差不得超过上述规定的1 . 6 dB 。
4)用于电源(Ⅱ类设备)的 CDN-M2;


在试验前调整提供给电流注入钳的信号电平。6.4. 1和图6给出了试验电平调整程序。
5) 连接到最靠近所选注入点的端口(最短的几何距离)的其他 CDN。


使用电流钳时应注意，在耦合装置的 EUT 端口呈现的功率放大器产生的谐波电平不应高于基波 电 平 。
注：附录I 给出了一种针对特定产品的替代 CDN 注入程序的导则。


注 2 :通常使电缆通过钳的中心位置，以使电容耦合最小。
e) 如果EUT 只有一个端口，此端口连接到CDN 用于注入。


f) 如果 EUT 有两个端口但只有一个端口可以连接 CDN, 另一端口应连接到 AE, 该 AE 的 一 个 端口按照上述优先次序连接到一个端接50Ω负载的CDN, 该 AE 的所有其他连接应去耦[见 图13a)] 。 如果连接到 EUT 的 AE 在试验过程中出现错误，则应在 AE 与 EUT 之间[见图 13b)] 连接一个去耦装置(最好是插入一个已端接的电磁钳)。


g) 如果 EUT 有多于两个端口但只有一个端口可以连接 CDN, 它应按照两端口 EUT 所描述的 方法进行试验，但 EUT 的所有其他端口应进行去耦处理。如上所述，如果连接到EUT 的 AE 在试验过程中出现错误，则应在AE 与 EUT 之间连接一个去耦装置(最好是插入一个已端接 的电磁钳)。


以


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图13 a) 仅连接一个CDN 的二端口EUT 布置示意图.jpeg|400px]]


如果可能，互连电缆应设置为1 m 长。


-
a) 仅连接一个 CDN 的二端口EUT布置示意图


电流注入探头
图13 使用一个 CDN 时二端口 EUT 的抗扰度试验布置示意图


50Ω


100Ω
=== 7.6 当满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===


<
当使用钳注入法时，AE 的配置应旱现尽可能接近 1 中 要 求 的 共 模 阻 抗 ( 见 附 录 H), 每 个 AE应尽可能体现实际使用时的安装条件。为了 能满足所需的共模阻抗要求，应采取以下措施：


50Q
—— 每个 AE 应置于参考地平面上方0 .1m 高的绝缘支架上。


V
——钳应置于被测电缆I 将电平设置程厅中预先确定好的试验信号电平提供给钳。


50Ω
——试验时，应将电流注尽钳输人端口的屏蔽层或电磁钳的接地村连接至参考地平面(见图14和图 1 5 ) 。


≤
——去耦网络应安装在AE 与 EUT 之间的每一条电缆上，被测电缆除外。


试验信号发生器
——除连接到EUT 的电缆外，应为连接到每个AE 的所有电缆提供去耦网络，见6 .2.5 和 图 5。


测量装置
——连接到每个AE 的去耦网络(除了在EUT 和 AE 之间的)距AE 的距离不应超过0.3 m (距离： L2) 。AE 与去耦网络之间的电缆或 AE 与注入钳之间的电缆既不捆扎，也不盘绕，且应保持 在高于参考地平面30mm 的高度(图 5)。


50Ω
——被测电缆一端是EUT, 另 一 端 是AE 。EUT 可 以 使 用CDN 连接到多个 AE; 然而，在 EUT 和 多 个 AE 之 间 应 只 有 一 个CDN 端 接 50 Ω 负 载 。 应 遵 循 7 . 5 中 的 优 先 次 序 选 择 被 端 接 的 CDN。


负载
——当使用多个注入钳时，逐一在每根被测电缆上进行注入，未进行注入的被测电缆应按照6.2.5 要求进行去耦处理。


100Q
除 此 以 外 ， 在 其 他 情 况 下 ， 均 应 依 照 7 . 7 中 的 程 序 进 行 。


S


图6 使用150 Ω试验夹具的电平调整设置电路示例
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图13 b) 举例：试验中AE 出现错误时的布置示意图.jpeg|400px]]


注 ：关于监视探头的使用，见7 .7。


图14 使用钳注入装置的试验布置一般原理图


50Ω
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图15 位于接地平面上的试验单元使用钳注入示例(俯视图).jpeg|400px]]


负载
注 ：关于监视探头的使用，见7 . 7。


电流注入探头
图15 位于接地平面上的试验单元使用钳注入示例(俯视图)


测量装置
=== 7.7 当不满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===


100Ω
当使用钳注入且在AE 一侧不满足共模阻抗要求时，AE 的共模阻抗必须小于或等于EUT 的被测端口的共模阻抗，否则，在AE 端口应采取措施(例如，使用CDN-M1 或从AE 到地之间加150Ω电阻), 以满足此条件并防止谐振。本程序中，仅给出与7.6中提出的措施有关的差异。


V
——每种 AE 和 EUT 应尽可能接近实际运行的安装条件。例如，将 EUT 连接到参考地平面上或 者将其放在绝缘支架上(见图14和图15)。


50Ω
将电流监视探头(具有低插入损耗)插入注入钳和 EUT 之间，监视由感应电压(按照6.4.1调 整)产生的电流。如果电流超过下面给出的电路标称值 Imax,应减小试验信号发生器电平，直 到测得的电流等于 Imax值：


Imax=U₀/150Ω


在试验报告中应记录所施加的修正后的试验电压值。


试验信号发生器
为保证重现性，在试验报告中应充分地描述试验配置。


=== 7.8 直接注入的应用 ===


当使用直接注入到电缆屏蔽层时，应采取以下措施：


100Ω
——EUT 应置于距参考地平面0.1m 高度的绝缘支架上。


图7 电流钳的性能评价电路示例
——在被测电缆上，去耦网络应位于注入点和 AE 之间，尽可能靠近注入点。第二个端口应使用150 Ω(CDN 用50Ω负载端接)。应按照7.5中的优先次序选择此端口。在所有其他附属于 EUT 的电缆上应安装去耦网络(当端口开路，CDN 可以认为是去耦网络)。


——注入点应位于参考地平面上方，从EUT 的几何投影到注入点之间的距离为0.1 m～0.3 m。


——试验信号应通过100 Ω电阻直接注入到电缆屏蔽层上(见6.2.4)。


6.2.3.3 电磁钳
当直接连接到金属箔屏蔽层上时，应适当加以注意，以确保良好的连接来产生可靠的试验结果。


电磁钳对连接到EUT 的电缆建立感性和容性耦合。附录A 描述了电磁钳的结构和性能。
== 8 试验步骤 ==


6.2.4 直接注入装置
EUT 应在实际使用时的工作状态和气候条件下进行试验。


当使用直接注入时，来自试验信号发生器的骚扰通过100Ω电阻注入到同轴电缆的屏蔽层上(即使 屏蔽层未接地或仅仅只有一个接地点)。在AE 和注入点之间[见图4b]], 应尽可能靠近注入点插入一 个去耦装置(见6.2.5)。为了提高去耦性能并稳定电路，应将直接注入装置输入端口的地与参考地平面 连接。
对于来自试验布置的辐射应符合当地有关的无线电法规。当辐射能量超过允许的电平时，应使用 屏蔽室进行试验。


当直接连接到金属膜屏蔽层时，要注意确保良好的地连接，以得到可靠的试验结果。
注1:通常，传导抗扰度试验可不在屏蔽室内进行。这是由于骚扰电平和试验配置的几何尺寸不可能辐射太高能 量，尤其在低频段。


6.2.5 去耦网络
依次将试验信号发生器连接到每个耦合装置上(CDN、电磁钳、电流钳)进行试验。其他所有非被 测电缆应断开(当功能允许)或使用去耦网络或未端接的 CDN。


通常，去耦网络由各种电感组成，以便在整个频率范围内产生高阻抗。这由所用铁氧体材料确定， 并在150 kHz 需要至少280 μH 的电感量。电抗应足够高，在24 MHz 及以下频率电抗应大于等于 260 Ω,在24 MHz 以上频率电抗应大于等于150Ω。电感量由绕在铁氧体环上的一些线圈获得[见图 4d)],或由套在电缆上的一些铁氧体环获得(通常是钳合式管)。
在试验信号发生器的输出端可能需要一个低通滤波器和/或高通滤波器(例如，100 kHz 截止频 率),以防止(高次或亚)谐波干扰 EUT 。 低通滤波器的带阻特性应对谐波有足够的抑制，使得它们不影 响试验结果。这些滤波器应在调整试验电平前插入在试验信号发生器之后(见6.1和6.4.1)。


注：钳的规范见附录A。
扫频范围150 kHz～80 MHz,使用调整程序中确定的信号电平，骚扰信号是1kHz 正弦波调幅(调 制度80%)信号，如果必要可以暂停试验，来调整射频信号电平或改变耦合装置。扫频时，频率步进不 应超过1%。在每个频率，幅度调制载波的驻留时间应不低于 EUT 运行和响应的必要时间，且最低不 应低于0.5s 。 除步进扫频外，也应分析敏感频率(例如，时钟频率、制造商指定的频率或由试验获得的 频点)。


除非本部分中特别声明，否则，附录D 中规定的CDN 作为去耦网络使用时，射频输入端口无需端 接负载，这时，它们应满足6.2.5的要求。
注 2:由于在频率步进时，EUT可能会受到瞬态干扰，应制定相应的规定避免这样的干扰。例如，频率变化前，信号 强度可以比试验电平低几个dB。


此外，应在非被测但连接到 EUT 和/或 AE 的全部电缆上使用去耦网络。例外情况见7.3。
在试验过程中，应尝试充分运行 EUT, 应充分了解所有运行模式并选出最敏感的模式。


=== 6.3 耦合/去耦装置的 EUT 端口上共模阻抗的验证 ===
建议使用专用的运行程序。


6.3.1 概述
应按照试验计划进行试验。


耦合/去耦装置的特性由EUT 端口上的共模阻抗 |Z。 | 表示。合适的 | Z| 值可保证测量结
可以进行一些研究性的试验，以确立试验计划中的某些方面。


果的重现性。耦合/去耦装置的共模阻抗校准按图8所示的配置。
== 9 试验结果的评估 ==


耦合/去耦装置和阻抗参考平面[图8a]] 应放在参考地平面上，参考地平面的尺寸应超过装置所有 边的几何投影尺寸至少0.2 m。
试验结果应按照 EUT 的性能降级和功能损失来分类，其与制造商和试验的委托方规定的性能等 级有关，或由制造商与产品买方之间达成共识。推荐的分类如下所述：


阻抗参考点如图8a)所示连接到CDN 的 EUT 端口，测量阻抗平面上的连接器的共模阻抗值。
——在制造商，委托方或买方规定的正常性能范围内。


如图8b)所示，当输入端口接50Ω负载且AE 端口以共模方式分别短路和开路时，CDN 应满足6.2 中表3的阻抗要求。该要求保证有足够的衰减以使 AE 的配置(例如开路或短路)不会对试验产生 影响。
——暂时的性能降级和功能损失，施加骚扰终止后且直到 EUT 恢复其正常性能，无人为干预。


如果使用钳注入或直接注入，连接到EUT 的每个 AE 配置的共模阻抗不大可能得到验证。对于钳 注入，通常按7.6所给程序即满足验证要求；对于其他情况，应采用7.7规定的程序。对于直接注入，通 常按7.8所给程序即满足验证要求。
——暂时的性能降级和功能损失，需要人为干预来恢复正常。


6.3.2 150 Ω/50Ω适配器的插入损耗
——由硬件或软件的损坏，或数据的丢失导致无法恢复的性能降级和功能损失。


在试验前，设置试验信号发生器时，试验电平必须在150Ω共模阻抗的环境中校验。通过图8d) 所 示的150 Ω/50 Ω适配器将50Ω的测量设备连接到适当的共模点来实现。适配器的结构见图8e)。
制造商在其说明书中可以定义可能发生在EUT 上的可接受的非重要影响。


适配器应置于参考地平面上，参考地平面的尺寸应超出测量配置的所有边界几何投影至少0.2 m。 图 8c) 给出测量原理，测得的插入损耗值应在(9.5±0.5)dB 的范围内(理论值9.5 dB 是由在50Ω系统 中测量的附加串联阻抗得到的)。建议在接收机的输入端口和信号源的输出端口上使用具有合适电压 驻波比(电压驻波比≤1.2)的衰减器。
上述分类可以作为委员会制定通用标准、产品标准和产品类标准中性能判据的指南，或在没有合适 的通用标准、产品标准和产品类标准存在的情况下作为制造商与买方之间性能判据协议的框架。


== 10 试验报告 ==


试验报告应包含为重现试验所有的必要信息。尤其应记录以下信息：


——EUT 的标识和所有AE 的标识，例如，商标名称，产品型号，序列号；


——EUT 的尺寸；


输入端口
——EUT 的典型工作状态；


≤0.03m
——EUT 作为单个单元还是多个单元进行试验；


金属
— 互连电缆的类型，包括电缆的长度和连接到 EUT 上的那些端口；


Z 的
——为满足要求而使用的任何特定条件，例如，电缆长度和类型，屏蔽或接地，或 EUT 工作状态；


AE
——如果必要，提供EUT 的恢复时间；


端口
——使用的试验设备的类型，以及 EUT 、AE、耦合/去耦装置的位置；


耦合去耦网络
——试验设备的标识，包括商标名称，产品型号，序列号；


同轴连接器
——每根电缆上所使用的耦合/去耦装置；


>0.2m
——对于每个注入端口，标明端接了50Ω阻抗的去耦装置；


绝缘材料
——EUT 运行方式的描述；


同轴连接器平面(金属)
——任何必要的使试验能够进行的特殊条件；


EUT
——试验所采用的频率范围；


端口
——扫描频率、驻留时间和频率步进；


参考点
——采用的试验等级；


>0.2m
——由制造商、需求方和买方规定的性能等级；


——采用的性能判据；


——在试验骚扰施加过程中或之后，从 EUT 观察到的任何现象及其持续的时间；


参考地平面
——合格/不合格判定的依据(基于通用标准，产品标准和产品类标准中规定的性能判据，或制造商 与买方之间的共识)。


— — 参考地平面：应超过 耦 合 / 去耦 装置和其他部件投影尺寸至少0 . 2 m。


— — 同 轴 连 接 器 应 水平 地 连接至 EUT 端 口 。


——EUT 端 口 的高 度 h 取 决 于 CDN, 可 能 从 3 0 mm~100mm 不等；尤其是大电流CDN 的 EUT 端口位置更高。
== 附 录 A ==


— — 同轴连接器平 面 (包含 同 轴 连 接 器 ) :h=30mm 时 尺 寸 为 1 0 0 mm×100 mm,h 为 其 他 值时尺寸为150 mm×
(规范性附录) 电磁钳和去耦钳


150 mm。
=== A.1 电磁钳 ===


— — 两连接器平面均应由铜、黄铜或铝制成，并且必须有良好的射频接触。
A.1.1 概述


a) 验证耦合/去耦装置阻抗特性的配置示例
附 录A 规定了电磁钳的参数。电磁钳( 与常规电流注人钳相比)在几十兆赫兹以上的频率具有方 向性 。


CDN
A.1.2 电磁钳的典型规格


阻抗网络分析仪 或类似设备
电磁钳用于对电缆注人试验信号。其特性参数为：


E-
——工作频率范围：0.15 MHz～80 MHz;


EUT
——长度：650 mm ± 50 mm;


输 入
——钳开口中心在地平面上方的高度：50mm～70mm;


阻抗参考平面
——钳开口直径：20 mm ±2 mm:


50Q
——钳参考点(从外表面到第一个磁芯的距离：<30mm;


开 关 S 通和断时应满足阻抗要求(见6 . 3)。
——电磁钳的结构和原理见 图1 1 和 图2


b ) 验证耦合/去耦装置Z 的 配 置 原 理 图
——典型的阻抗特性见图A7


—— 典型的去耦系数特性见 图 1 8;


——典型的耦合系数特性现 图A .


插 入 损 耗(dB)=Um ( 开 关 置 于 2 )(dBμV)-Um ( 开 关 置 于 1 )(dBμV)
注：若钳本身符合A.2定义的参数，也可以使用其他物理尽寸的锥飞例如对较大直径的电缆进行试验)。


c) 测量两个150 Ω/50Ω适配器的插入损耗的配置原理图
单位为 mm


图 8 验证耦合/去耦装置及150 Ω/50Ω适配器的基本特性的详细配置和部件
电磁钳0.15 MHz~80 MHz


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.1 举例：电磁钳的详细结构.jpeg|400px]]


部 件 ：


1 ——铁氧体环尺寸φ36 mm×φ23 mm×15 mm


10个，4C65 型 ，NiZn,μ≈100;


150 Ω端口 50Ω端口
26个，3C11 型 ，MnZn,μ≈4300。


0-
2 ——粘贴在槽上的半圆环铜箔片。


注：低感电阻：额定功率≥2 .5 W
3 ——低部导体板；


d) 150 Ω/50 Ω适配器电路
4 ——接地端；


150 mm
5/6 ——把被测电缆由带压缩弹簧的绝缘材料压入凹槽的装置(此部件不可见);


7 ——铁氧体管，4C65;


8 ——同轴电缆，50 Ω,带 BNC 连接器；


100Ω
9 ——Z₁分断开关；


N或BNC型 连接器
10 ——第二部分槽口；


11 ——固定铁氧体的塑料件(上半环);


12 ——底部绝缘板；


13 ——Z₁,Z₂ 的保护板； EUT ——被测设备；


Z₁ ——串 联 阻 抗 ：C1:20 pF~100 pF,L₁:0.15μH,R₁:50Ω/12 W;


金属
Z₂ ——串联阻抗：L₂:0.8μH,R₂:50Q/12W。


150 mm
图 A.1 举例：电磁钳的详细结构


0


注：同 图 8a)(阻抗参考平面),但增加 100Ω低感电阻
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.2 电磁钳的原理图示例.jpeg|400px]]


e) 1502/50Ω 适配器结构(150 mm×150 mm 示例)


图 8 ( 续 )
部件：


=== 6.4 试验信号发生器的设置 ===
1 ——铁氧体管(钳)长0.6 m,p20mm, 在 EUT 侧，由10个4C65 型的环(μ≈100)组成，在AE 侧，由26个 3C11 型的环(μ≈4300)组成；


6.4.1 概述
2 ——半圆环铜箔片；


应采用6.4.2中的程序正确调整未调制的试验电平 假 设 试验信号发生器、耦合怯耦装置和 150 Ω/50Ω适配器已满足6.I62 和6.3.1的要求。
7 ——包括在电磁钳结构中的铁氧体管(μ≈100);


电平调整可使用两种方法
Z₁,Z₂---— 为优化频率响应和方向性而装配的电路；


—— 试验信号发生器的输出 功 率 可 以通 过 测 量 放 大 器 的 输出 功 率 ( 前 向功率，如用定向耦合器测 量)来确定；
G₁ ——试验信号发生器；


—— 若可以保证试验设备(特别是放大器)的稳定性，也可以通过复制已 有 的 电 平 调 整 数 据 集 来 设 置射频信号源的输出。
电磁钳的原理：


6.4.2 耦合装置的 FUT 端口上输出电平的调整
——通过铁氧体管(部件1)的磁耦合；


试验信号发生器应连接到耦合装置的射频输入端口，耦合装置的 FUT 端 口 以 共 模 方 式 通 过 150 Ω/50Ω适配器连接到输人阻抗为50Ω的测量仪上，AE 端口应用150Ω/50Ω适配器以共模方式 连接并端接50Ω电阻。全部耦合/ 去耦装置的配置见图9c)
——通过 EUT 的电缆和铜片间靠近所产生的(部件2)的电耦合。


注1:对于直接注入，在AE 端口一侧如果屏蔽层已连接到参考地平面，无需在AE 端口接150Ω负载。
图 A.2 电 磁 钳 的 原 理 图 示 例


注2:对于钳注入，电流钳一般是双向的，因此没有 EUT 端口和AE 端口，如图6所示使用试验夹具进行校准。
=== A.2 电 磁 钳 的 特 性 ===


警告：试验信号发生器调整过程中，为避免短路或测量设备的损坏，应断开除必须之外的所有到耦 合/去耦装置EUT 端 口 和AE 端口的连接(见图9)。
A.2.1 钳 试 验 夹 具 规 范


使用上述配置及下列测量程序，调整试验信号发生器，使测量仪获得以下读数。
如 图 A.4 和 图 A.5 所示，用于测量钳 S 参 数 的 试 验 夹 具 应 在 金 属 板 ( 参 考 地 平 面 ) 上 方 具 有 一 个 圆 柱形金属杆。试验夹具由三部分组成：两个带有无损耗50Ω适配器的参考平面，以及在这两个参考平 面间形成的一条传输线，见图 A.3～图 A.5 。为测量电磁钳的特性，应使用单根金属杆。此金属杆的长 度 (LA+Lg+L 参考)设置为满足图 A.5 允 许 的 尺 寸 。


对每 一 个耦合装置应遵循的程序：
圆柱形金属杆的直径d 为4 mm 。在地平面上方的高度 h 由钳的尺寸定义，典型值为50 mm~ 70 mm。应在由钳开口的中心位置所定义的高度上实施测量。


a) 提供给耦合装置前向功率(无调制),使得在150 Ω~50Ω适配器的输出端口获得等于 Um 的 电压；记录射频信号源的电平 Pgen,和/或功率放大器输出端口的前向功率 Pfor以 及 1 5 0 Ω ~ 50Ω适配器输出端口的电压Umr;
钳参考点(第一个磁芯)与夹具垂直边缘之间的距离LA 和 LB 应为30 mm±5mm (见图 A.5)。参 考地平面的尺寸应超出试验布置的各边至少0.2 m。


b) 以最大不超过当前频率1%的步进增加频率；


c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz);


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.3 参考平面尺寸.jpeg|400px]]


图 A.3 参考平面尺寸


d) 利用记录的射频信号源电平Pgem、前向功率Por 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率；
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.4 试验夹具.jpeg|400px]]


e) 应确保放大器不饱和，使用从步骤 d) 获得的数据调整试验信号发生器以产生所需的试验电 平。最高试验电平只需要使用步骤1)～4)来确定：
图 A.4 试验夹具


1) 按照步进5.1 dB 增加射频信号源电平；
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.5 插入被测钳的试验夹具.jpeg|400px]]


2) 记录传递至耦合装置的新的输出功率 Pfor,ine或150 Q～50Ω 适配器输出端口的电 压 Umr,inc;
图 A.5 插入被测钳的试验夹具


3 ) 计 算Pfor,ine与 Pfor或 Umr,ine与 Um 的差值(对数形式);
A.2.2 钳的特性


4) 如果差值在3.1 dB~7.1 dB之间则说明放大器在允许范围内且试验系统在选定的试验等级上 满足需要。如果差值小于3.1 dB 或大于7.1 dB 则放大器处于非线性状态且不满足试验要求。
A.2.2.1 阻抗


附 录J 提供了试验信号发生器压缩及放大器非线性的信息。
A.2.2.1.1 测量布置


调整程序的步骤 a) 中 的Umr应为：
阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。钳(即其注入端口)应端接50Ω负载并置于试验夹 具中，见图 A.6。 在阻抗测量中电磁钳被视为一个二端口装置，其特性可以使用网络分析仪在50Ω系


线性值表示，或 ([1)](#bookmark44)
统中测量其 S 参数 S 、Si ₂、S ₂₁和 S 2₂来表示。在测量之前，应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用 适当的校准套件使用标准直通、开路、短路匹配(TOSM )法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之 间长度带来的影响应通过矢量网络分析仪(VNA )的端口补偿或其他方式进行处理。


Umr=U₀-15.6 dB±1.5 dB 对数值表示 ([2)](#bookmark45)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.6 阻抗去耦系数测量布置.jpeg|400px]]


注3:U。是表1中定义的试验电压，U 是3.12和图9中定义的测量电压。为减小试验误差，试验信号发生器的输出电平
图A.6 阻抗/去耦系数测量布置


通过连接150Ω负载(例如用150 Q~50Ω 适配器和50Ω终端阻抗)依据Um设置，而不是依据U₀ 来设置。
A.2.2.1.2 转换


注4:系数6(15.6 dB)源于试验等级所规定的电压值(e.m.f.),匹配的负载电平是电动势的一半，再加上由端接50Ω 测量设备的150 Q~50Ω 适配器产生的3:1分压比。
A.2.2.1.1 中所述的从网络分析仪得到的 S 参数是在50Ω系统中测量的。然而，试验夹具的特性


注5:如果试验设备不具有放大器输出功率控制，则每个耦合装置和每个目标测量等级均应重复此程序。对于具有 放大器输出功率控制的试验系统或依据附录J 给出的程序确认了放大器线性度，仅需要在最高目标试验等级 对每个耦合/去耦装置完成6.4.2中的程序。
阻抗 Zc 通常不是50 a。它取决于接地平板上方钳开日的高度。使用A 、B、C、D 参数进行转换，可使


应记录试验信号发生器设置(软件参数、衰减器设置等)的控制参数并用于试验。
用式(A .1)～式(A.12)得到独立于Z 的一组转换参数：


注：所有计算均为复数形式。


Z=50Ω …………………… (A.1)


a) 非屏蔽电缆的共模点定义
<math>A=\frac{(1+S_{11})(1-S_{22})+S_{12}S_{21}}{2S_{21}}</math>…………………(A.2)


<math>B=\frac{(1+S_{11})(1+S_{22})-S_{12}S_{21}}{2S_{21}}Z_{\mathrm{ref}}</math>……………………(A.3)


<math>C=\frac{(1-S_{11})(1-S_{22})-S_{12}S_{21}}{2S_{21}}Z_{\mathrm{ref}}</math>……………………(A.4)


b) 屏蔽电缆的共模点定义
<math>D=\frac{(1-S_{11})(1+S_{22})+S_{12}S_{21}}{2S_{21}}</math>……………………(A.5)


图 9 电平调整配置
以 A 、B、C 、D 参数为依据，可以计算出一组基于试验夹具特性阻抗Z 的 S 参数。


<math>Z_{\mathrm{ref}}^{\prime}=60\Omega\cosh^{-1}\left(\frac{2h}{d}\right)</math>……………………(A.6)


此处： 
d: 夹具的导体直径(定义为4 mm ); 
h: 夹具的导体中心在地平面上方的高度。


B'=B/Z'  ……………………(A.7)


C'=C·Z' …………………… (A.8)


30 mm
<math>S_{11}^{\prime}=\frac{A+B^{\prime}-C^{\prime}-D}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>……………………(A.9)


150Ω转50Ω 适配器


100Ω


Umr
<math>S_{12}^{\prime}=\frac{2(AD-BC)}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>…………………… (A.10)


u


参考地平面


共模点 共模点
<math>S_{21}^{\prime}=\frac{2}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>……………………(A.11)


耦合去耦 装置


试验信号 发生器


(注) 150Ω
<math>S_{22}^{\prime}=\frac{-A+B^{\prime}-C^{\prime}+D}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>…………………… (A.12)


EUT


AE


IN
A.2.2.1.3 阻抗的计算


耦合/去耦装置的举例：
输入阻抗由式(A.13) 给出：


——CDN;
<math>Z_{\mathrm{~in}}=Z_{\mathrm{~ref}}^{\prime}\frac{1+S_{11}^{\prime}}{1-S_{11}^{\prime}}</math>……………………(A.13)


--直接注入网络(有去耦);
3种不同电磁钳阻抗曲线的典型实例见图 A.7。


——钳注入装置(电磁钳)。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A . 7 三种电磁钳阻抗的典型实例.jpeg|400px]]


注：在AE 端口加载150Ω,例如，150Ω/50Ω适配器端接50Ω负载，只用于非屏蔽电缆(若为屏蔽电缆，其屏蔽层应 连接到参考地平面上)。
图 A.7 三种电磁钳阻抗的典型实例


c) 耦合/去耦装置 EUT 端口电平调整的配置
注：在装置的远端终端阻抗为Z 的情况下，依据本程序进行的阻抗测量是有效的。此测量值可能与使用实际 AE


图9(续)
进行抗扰度试验布置时的阻抗不同。


== 7 试验布置和注入方法 ==
A.2.2.2 EUT与 AE 之间的去耦系数


=== 7.1 试验布置 ===
应使用A.2.2.1.1 和 A.2.2.1.2 所述的测量布置和转换方法。去耦系数由式(A.14) 计算：


EUT 应放在参考地平面上方0.1m±0.05m 高的绝缘支架上。参考地平面上方0.1m±0.05m 高 度内的非导电支撑可作为绝缘支架的替代品。所有与 EUT 连接的电缆应放置于参考地平面上方至少 30 mm。
<math>a[dB]=20logio(ABS(S^{\prime}z_1))</math> ……………………(A.14)


如果 EUT 被设计为安装在一个面板、支架或机柜上，那么它应该在这种配置下进行试验。当需要 用一种方式支撑试验样品时，这种支撑应由非金属、非导电材料构成。 EUT 的接地应与制造商的安装 说 明 一 致 。
3种不同电磁钳去耦系数曲线的典型实例见图A.8。


所需的耦合/去耦装置与 EUT 之间的距离应在0.1 m～0.3m 之间(本部分中此距离以 L 表示)。 此距离是从 EUT 对参考地平面的投影到耦合/去耦装置的水平距离。参见图5、图10和图11。7.2~ 7.8给出了更详细的信息。


注：在EUT 的各个面，距离L 无需相同，但均在0.1 m～0.3m 之间。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例.jpeg|400px]]


=== 7.2 单个单元构成的 EUT ===
图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例


EUT 应放在参考地平面上方0.1m 高的绝缘支架上。对于台式设备，参考地平面可以置于桌面上 (见图10)。
A.2.2.3 耦合系数


在全部的被测电缆上，应插入耦合/去耦装置(见7.4.3)。耦合/去耦装置应置于参考地平面上距 EUT0.1m~0.3m 处，并与参考地平面直接接触。耦合/去耦装置以及EUT 之间的电缆应尽可能短并
耦合系数应按图 A.10 所示的布置在150Ω系统中测量。 A.2.1 中描述的试验夹具应采用以下调 整：圆柱形金属杆的高度应调整为在钳开口的底部位置。此外，参考平板上应插入150 Ω~50 Ω适配 器。测量前，将夹具背对背连接到参考地平面来归一化试验布置，见图 A.9。推荐使用图 A.9 和图A.10 所示的两个10 dB 衰减器。


且不可捆扎或卷曲，电缆应置于参考地平面上方至少30 mm。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.9 耦合系数测量的归一化布置.jpeg|400px]]


EUT 与 AE 之间的连接电缆应尽可能短。
图 A.9 耦合系数测量的归一化布置


如果 EUT 具有其他接地端子，允许时，应将这些端子通过CDN-M1 连接到参考地平面，见6.2.2.2 (即连接到CDN-M1 的 AE 端口，然后连接到参考地平面)。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.10 S₂₁ 耦合系数测量布置.jpeg|400px]]


图 A.10 S₂1 耦合系数测量布置


如 果 EUT 带有键盘或手持附件，模拟手应放在键盘上或包裹在附件上然后再连接到参考地平面。
3种不同电磁钳耦合系数曲线的典型实例见图 A.11。


根据产品委员会的规定，按照 EUT 的 工 作 状 态 选 择 所 需 的AE, 例如，通信设备、调制解调器、打印 机、传感器等，以及为保证数据传输和功能评价所必需的 AE, 均 应 通 过 耦 合 / 去 耦 装 置 连 接 到 EUT 上 。 被测电缆的数量可能是有限的，但所有类型的物理端口均应被注入。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.11 3 种典型电磁钳耦合系数的典型实例.jpeg|400px]]


图 A.11 3 种典型电磁钳耦合系数的典型实例


A.3 去耦钳特性


≥0.5m
A.3.1 阻抗


0.1m≤L≤0.3m
A.3.1.1 测量布置


CDN-
阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。去耦钳应置于试验夹具中，见图 A.12 。 在阻抗测量 中去耦钳被视为一个二端口装置，其特性可以使用网络分析仪在50Ω系统中测量其S 参 数Su 、S 、 S₂ 和 S₂来表示。在测量之前，应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用适当的校准套件使用标准通断短匹配(TOSM) 法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之间长度带来的影响应通过矢量网络分 析仪(VNA) 的端口补偿或其他方式进行处理。


、
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.12 去耦钳特性的测量布置.jpeg|400px]]


CDN-
图 A.12 去 耦 钳 特 性 的 测 量 布 置


EUT
A.3.1.2 阻 抗 的 计 算


9
使用A.2.2.1.2 描述的转换方法，输入阻抗(典型实例见图A.13) 由式(A.15) 给出：


b)
<math>Z_{\mathrm{~in}}=Z_{\mathrm{~tef}}^{^{\prime}}\frac{1+S_{11}^{^{\prime}}}{1-S_{11}^{^{\prime}}}</math>……………………(A.15)


CDN
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.13 去耦钳阻抗的典型实例.jpeg|400px]]


9
图 A.13 去 耦 钳 阻 抗 的 典 型 实 例


绝缘支架
注：在装置的远端终端阻抗为Z 的情况下，依据本程序进行的阻抗测量是有效的。此测量值可能与使用实际 AE


参考接地平面
进行抗扰度试验布置时的阻抗不同。


T为50Ω终端阻抗
A.3.2 去 耦 系 数


射频信号源
应 使 用A.3.1.1 和 A.2.2.1.2 所 述 的 测 量 布 置 和 转 换 方 法 。 去 耦 系 数 ( 典 型 实 例 见 图 A.14) 由 式(A.16 ) 计 算 ：


试验信号发生器
<math>a[dB]=20logio(ABS(S^{\prime}z_1))</math> ……………………(A.16)


≥0.5m
注：共模吸收装置(CMAD) ( 见 CISPR 16-1-44)设 计 为 在 3 0 MHz 到 2 0 0 MHz 之 间 具 有 良 好 的 去 耦 特 性 ， 可 能 因


T2
此 不 适 用 于 本 部 分 中 涉 及 的 较 低 的 频 率 范 围 。


a)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.14 去耦系数的典型实例.jpeg|400px]]


a) EUT 距试验设备以外的金属物体至少0.5 m。
图 A.14 去 耦系数的典型实例


b) 不用于注入的CDN中只有一个用500负载端接，提供唯一的返回路径，所有其他的 CDN 作为去耦网络。
== 附 录 B ==


图10 单一单元组成的EUT试验布置示例(俯视图)
(资料性附录)


=== 7.3 多 个 单 元 组 成 的 EUT ===
选择适用频率范围的准则


由 相 互 连 在 一 起 的 多 个 单 元 组 成 的 EUT, 应 用 下 述 方 法 之 一 进 行 试 验 ( 见 图 1 1 ) 。
尽管本部分规定的频率范围为150 kHz~80 MHz,但是可用频率范围取决于 EUT 的正常安装和 工作条件。例如，对总尺寸小于0.4 m 且无任何金属电缆连接的电池供电小型设备，无需进行80 MHz 以下的传导抗扰度试验，因为由骚扰电磁场感应的射频能量不大可能干扰此种设备。


— — 优先法：每个分单元应作为 一 个 EUT 分 别 试 验 ( 见 7 . 2 ) , 其 他 所 有 单 元 被 视 为 AE。 耦 合 / 去
通常终止频率是80 MHz, 在某些情况下，考虑到某些小尺寸(尺寸小于λ/4)设备，产品标准可能规 定将终止频率最高扩展到230 MHz 。 在这种情况下耦合/去耦装置也要满足下面表 B.1 所规定的在 EUT 端的共模阻抗参数要求。当用这种试验方法升高到更高频率时，影响试验结果的将是设备的尺 寸、所用的互连电缆的类型和专用耦合/去耦装置的可用性等。适合使用的进一步指南将由产品标准 给出。


耦 装 置 应 置 于 作 为 EUT 的分单元的电缆上(按7 . 4 . 1),全部分单元应依次进行试验。
表 B.1 试验频率范围扩展到80 MHz 以上时耦合/去耦装置的主要参数汇总表


— — 代 替 法 ： 总 是 由 短 电 缆 ( 即 ≤ 1 m) 互 连 并 作 为 EUT 的 一 部 分 的 分 单 元 ， 可 被 认 为 是 一 个 EUT 。 这 些 互 连 电 缆 被 视 为 系 统 的 内 部 电 缆 ， 不 再 对 它 们 进 行 传 导 抗 扰 度 试 验 。 作 为 EUT 一 部分的各分单元应尽可能相互靠近但不接触，并全部置于绝缘支架上，这些单元的互连电缆 也应放在绝缘支架上。所有其他电缆应按7 . 4～7 . 8进行试验。
{| class="wikitable"
 
|- style="vertical-align:middle;"
EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。
! rowspan="2" | 参数
 
! colspan="3" style="text-align:center;" | 频段
 
|-
 
| 0.15 MHz～24 MHz
≥0.5m
| 24 MHz～80 MHz
| 80 MHz～230 MHz
|-
| |Z<sub>o</sub>|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω=4a
| 150 Ω±60Ω
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="4" | 注1:Z<sub>o</sub>的幅角以及EUT端口和AE端口之间的去耦系数均未单独规定，由AE端口对参考地平面开路或短路 时应满足|Z<sub>o</sub>| 容差的要求来体现这些参数。 <br />注2:当使用钳注入法时，如果不满足AE的共模阻抗要求，则可能无法满足Z的要求。然而，若采用7.7的规 范，钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
|}


CDN-Mx
试验的起始频率取决于设备及其连接电缆是否能接收来自骚扰电磁场的大量射频能量。


O
考虑3种不同情况：


a) 既不连接到地又不连接其他任何设备，且充电期间不工作的电池供电设备(尺寸小于λ/4), 无 需按照本部分进行试验。如果在充电期间设备工作，则采用b) 或 c)。


对电池供电设备(尺寸不小于λ/4),基于其尺寸、包括连接电缆的最大长度来确定其起始频 率，见图 B.1。


0.1m≤L≤0.3m
b) 设备连接到电网(电源)但不连接任何其他设备和电缆。通过耦合/去耦装置为设备供电，并 在设备上安装模拟手。起始频率为150 kHz。


0.1m≤L≤0.3m
c) 设备连接到电网(电源),也通过控制、数据或通信电缆连接到其他隔离或非隔离设备。起始频 率为150 kHz。


EUT1


例如
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率.jpeg|400px]]


个人计算机 ≥0.5m
例：


绝缘支架
——对电缆连接到键盘(延长尺寸≥λ/4)由电池供电的个人计算机，并带有长度为4 m 的环绕式电缆，起始频率应 是6.67 MHz,由模拟手覆盖键盘，对带有恰好2 m 长电缆的鼠标器，起始频率是15 MHz 等。


h=0.1m±005m
——带可选择交直流适配器的袖珍式计算器，应在适配器电源一端从150 kHz 开始扫频试验，并由模拟手覆盖袖珍 式 计 算 器 。


EUT2
——可连接到地的手持式电池供电多(万)用表，应从150 kHz 频率开始扫频试验。并由模拟手覆盖万用表。


例如
——具有双层绝缘(电源),可连接到收音机、可连接到隔离扬声器、并且同时具有可连接到地的天线输入端的光盘 播放机，应对其电源和音频电缆从150 kHz 开始扫频试验。


显示器
——分布在建筑内配有各种绝缘传感器的防盗报警器，其电缆可延长至200 m (制造商规定),应对这些电缆从 150 kHz开 始 扫 频 试 验 。


509
图 B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率


220 p5


模拟手
== 附 录 C ==


CDN- O
(资料性附录)


CDN-
选择试验等级的指南


O
按设备和电缆最终安装时所处的电磁环境选择试验等级。在选择所用的试验等级时，应考虑EUT 产生故障的后果。如果故障后果严重，应考虑采用更严的试验等级。


CDN-
如果仅在有限的几个地点安装 EUT, 那么检查本地 RF 源能够评估可能遇到的场强。如果骚扰源 的强度是未知的，需尽可能在所关心的位置上测量实际场强。


O
如果设备预期工作于许多不同的地点，可按以下指南选择试验等级。


参考接地平面
以下分类对应第5章中所列的等级，可作为选择等级的通用指南。


T2 L
1类：低电平电磁辐射环境。无线电电台/电视台位于大于1km 距离上的典型电平和低功率无线 电收发机的典型电平。


a)
2类：中等电磁辐射环境。有低功率便携式无线电收发机(典型额定值小于1W) 在用，但限制其不 可接近其他设备。典型商业环境。


T
3类：严酷电磁辐射环境。相对靠近设备但距离不小于1m, 有便携式无线电收发机(≥2 W) 在 用。 高功率广播发射机接近设备使用以及设备可能靠近工、科、医设备。典型的工业环境。


T2
X 类 ：X 是在专用的设备规范或设备标准中通过协商并指定的开放等级


T为50 Ω终端阻抗
在上述场所，骚扰源的强度很少超过试验等级所描述的典型电平值。在某些地点可能超过这些值， 例如，在同一建筑物中的高功率发射机或工、科 读设 备附 近 。此情况下，对房间或建筑物进行屏蔽以及 对设备的电源线和信号线滤波可能比规定全部设备 具 有免 受这些电平影响的能力更好。


T2为功率衰减器(6 dB)


射频信号源
== 附 录 D ==


a) 不用于注入的CDN 中只有一个用50Ω负载端接，提供唯一 的返回路径。所有其他的CDN 作为去耦网络。
(资料性附录)


b) 属 于EUT 的互连电缆 (≤1m) 应置于绝缘支架上。
关于耦合/去耦网络的资料


图 1 1 多单元 EUT 试验布置示例( 俯视图)
D.1 耦合/去耦网络的基本特性


=== 7.4 选择注入法和试验点的原则 ===
CDN 应提供：


7.4.1 概述
——对 EUT 耦合骚扰信号；


根据电缆的类型和数目选择耦合/去耦装置，应考虑典型安装条件的物理结构，例如，最长电缆的大
——从 EUT 看进去的稳定阻抗，与 AE 的共模阻抗无关；


概 长 度 。
——对 AE 去耦骚扰信号，以防止AE 被干扰；


对于所有试验，EUT 与 AE 之间电缆的总长度(包括使用的所有 CDN 以内的走线)不应超过 EUT 制造商所规定的最大长度。
——对有用信号提供通路。


7.4.2 注入法
CDN 在 1 5 0 kHz~80 MHz 频率范围内的典型参数见6.2. 1,D.2 列举了 一 些CDN。


选择注入法的规则见图12。
在图 D.1~D7 中，共模阻抗 Z 是由试验信号发生器的内阻抗(50 Ω)和被测电缆的导体并联组合 的等效电阻(100Q) 形成的。当使用合适的电感器L(lwL|>>150 Ω)时，去耦元件电容器 C₂ 不 应 影 响共模阻抗 Z。


是—
CDN 上的EUT 端 口 的中心应位于参考地平面上方30 mm 处 。CDN 和 EUT 之间的电缆，如果位 于参考地平面上方30 mm 处 ，即可代表约150Ω特性阻抗的传输 线


使 用CDN 注入见
为试验信号发生器和CDN 的 每一根电缆携供直流和低频隔离的 电 容C<sub>1</sub> ,其阻抗在规定频率范围 内应远小于150Ω 。


7.51)
对非屏蔽电缆，用共模电感器L和电容器C或者只用电感器L为AE 去耦。对屏蔽电缆，由于在 AE 侧屏蔽层会连接至参考地平面，故无需电容器C2


否 -
对非屏蔽电缆，所选的( 值不应迂分影响有用信号， 对CDN ,有用信号过分影响CDN 的 参 数 是 不允许的，例如，在CDN -MI 中 ，铁氧体的饱和。


使用直接注入见 7.8
警告：在用于电源的 CDN 中，因为C<sub>1</sub> 和 C₂ 跨接带电部分，应使用合适的Y 电 容。由 于 漏 电 流 大 ， 在全部试验条件下，CDN 应具有接地端子并连接到参考地平面，且参考地平面应以适当的方式连接到 保护地上。


选择注入方法
=== D.2 耦合/去耦网络的举例 ===


CDN是否合
图 D.1～ 图 D.7 给出了几种可能的CDN ,因为仅用一种 CDN 不可能满足所有功能要求。


适?


是-
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.1 用于屏蔽电缆的CDN-S1 简化电路图示例(见6.2.2.5).jpeg|400px]]


电磁或电流钳注入
图 D.1 用 于 屏 蔽 电 缆 的 CDN-S1 简化电路图示例(见6 . 2 . 2 . 5)


是否合适?
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.2 用于非屏蔽电源线的CDN-M1-M2-M3 简化电路图示例(见6.2.2.2).jpeg|400px]]


否
CDN-M3,C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=300 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH;


屏蔽电缆?2 否
CDN-M2,C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=200 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH;


是-
CDN-M1,C₁ (典型值)=22 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=100Ω; 在150 kHz 时 ，L≥280μH。


检查以下要求：
图 D.2 用 于 非 屏 蔽 电 源 线 的 CDN-M1/-M2/-M3 简化电路图示例(见6 .2 .2 .2)


I.AE 阻抗150Ω
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.3 用于非屏蔽不平衡线的CDN-AF2 简化电路图示例(见6.2.2.4).jpeg|400px]]


Ⅱ.满足图5的测试配置 Ⅲ.AE 抗扰度足够
C₁(典型值)=10nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=200 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH。


-是— 是否满足要求?
图 D.3 用 于 非 屏 蔽 不 平 衡 线 的CDN-AF2 简化电路图示例(见6 .2 .2 .4)


使用电磁或电流 钳注入见7.6
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.4 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T2 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]


否
C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47nF,R=200Ω; 在150 kHz 时 ，L₁ ≥280μH,L₂=L₃=6mH (当不使用 C₂和L₃ 时 ，L₁≥30 mH)。


使用电磁或电流 钳注入见7.7
图 D.4 用 于 非 屏 蔽 平 衡 线 对 的 CDN-T2 简化电路图示例(见6 .2 .2 . 3)


1 见表4。


2)见6.2.4。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.5 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T4 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]


图12 选择注入法的规则


在这里没有规定 EUT 应包括的用于试验的电缆，电缆的选择应与典型应用时的配置、安装、布置 和操作的方式一致。未列在本部分中的 CDN, 只要满足本部分的要求也可以使用。
C(典型值)=5 . 6 mF,R=400Ω;在150 kHz 时 ，L<sub>1</sub> >> 280μH,L<sub>2</sub> =6mH


如果从 EUT 引出的各种电缆彼此相邻紧密，并且其接近部分长度大于10 m, 或从 EUT 到另一设 备是用电缆槽或管道走线时，则应将它们视为一根电缆来处理。
图 D.5 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T4 简 化电路图示例(见6 .2 .2.3 )


如果产品委员会决定某类耦合/去耦装置更适合于连接其产品类的电缆，那么应优先选择这种装置 (取决于基础技术)。在产品标准中应阐明这些装置，附录 D 例举一些 CDN。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8简化电路图示例(见6.2.2.4).jpeg|400px]]


7.4.3 被测端口
C ( 典 型 值 ) = 2 . 2 nF,R=800Ω; 在 1 5 0 kHz 时 ，L>>280μH。


任何一个试验都需要两个150Ω的网络，用于将试验信号注入的网络可以在不同的被测端口之间 转移。当一个CDN 从一个端口上移除时，可以用另一个去耦网络替代它。
图 D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8 简化电路图示例(见6.2.2.4)


如果 EUT 有多个相同的端口(相同的输入或输出电子电路，负载，连接设备等),至少要选择其中
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.7 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]


C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ，L<sub>1</sub> >>280pH 、L<sub>2</sub>>>6 mH。


图D.7 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3)


一个端口进行试验，以确保试验包含了所有不同类型的端口。


=== 7.5 使用 CDN 注入 ===
== 附 录 E ==


当使用CDN 注入时，需要采取以下措施：
(资料性附录)


a) 如果AE 是直接连接到 EUT 的(如图13a) 所示它们之间的连接没有经过去耦],则AE 应置于 位于参考地平面上方0.1m±0.05m 的绝缘支架上，且通过端接的 CDN 来接地。
试验信号发生器的规范


如果有多个AE 直接连接到EUT, 只有其中一个AE 以此方式端接，其他直接连接的AE 应做去耦 处理，以此确保只有一个已端接的150Ω的环路。
确定功率放大器 PA (图3)的可用输出功率，应考虑到衰减器 T2(6 dB)、调幅调制度(80%) (见图2)以及所用CDN 或钳的最小耦合系数。


b) 如果AE 通过一个CDN 连接至EUT, 并且它的布置一般不会对试验产生重要影响，则它可以 依据制造商的安装要求连接至参考地平面。
表 E.1 获得10 V 试验电平所需的功率放大器输出功率


c) 一个 CDN 应接在被测端口，端接50Ω负载的 CDN 连接在另一个端口，所有其他连接电缆的 端口应安装去耦网络。在这种方法中，只有一个已端接的150Ω的环路。
{| class="wikitable" style="vertical-align:middle;"
 
|-
d) 被端接的CDN 的选择应遵循以下的优先次序：
! 注入装置
 
! 最小耦合系数/dB ±1.5 dB
1) 用于连接接地端子的CDN-M1;
! PA输出端所需功率/W
 
|-
2) 用于电源(I 类设备)的CDN-M3 、CDN-M4、或 CDN-M5;
| CDN
 
| 0
3)CDN-S,(n=1,2,3,….)。 若 EUT 具有多个CDN-S, 端口，应使用最靠近所选注入点的端 口(最短的几何距离);
| 7
 
|-
4)用于电源(Ⅱ类设备)的 CDN-M2;
| 电流钳绕组(匝数比5:1)
| -14
| 176
|-
| 电磁钳
| -6
| 28
|-
| colspan="3" | 注：使用输出电平调整电路[见图9c]]可以测得3.6中定义的耦合系数。耦合系数是当使用耦合/去耦装置串联 150Ω/50Ω适配器时所获得的输出电压Um与当使用两个串联的1502/50 Ω适配器时所获得的输出电压 之比。
|}


5) 连接到最靠近所选注入点的端口(最短的几何距离)的其他 CDN。


注：附录I 给出了一种针对特定产品的替代 CDN 注入程序的导则。
== 附 录 F ==


e) 如果EUT 只有一个端口，此端口连接到CDN 用于注入。
(资料性附录)


f) 如果 EUT 有两个端口但只有一个端口可以连接 CDN, 另一端口应连接到 AE, 该 AE 的 一 个 端口按照上述优先次序连接到一个端接50Ω负载的CDN, 该 AE 的所有其他连接应去耦[见 图13a)] 。 如果连接到 EUT 的 AE 在试验过程中出现错误，则应在 AE 与 EUT 之间[见图 13b)] 连接一个去耦装置(最好是插入一个已端接的电磁钳)。
大尺寸EUT 的试验布置


g) 如果 EUT 有多于两个端口但只有一个端口可以连接 CDN, 它应按照两端口 EUT 所描述的 方法进行试验，但 EUT 的所有其他端口应进行去耦处理。如上所述，如果连接到EUT 的 AE 在试验过程中出现错误，则应在AE 与 EUT 之间连接一个去耦装置(最好是插入一个已端接 的电磁钳)。
F.1 概述


本部分正文中描述的试验布置(见第7章)并不能完全满足某些输入电缆或输出电缆位置高于1m 的 EUT 的需求。由于试验信号的上限频率是80 MHz ,EUT 的尺寸与波长相比大得多，因此，连接到 此种 EUT 的电缆中可能会出现谐振效应。


在这种情况下，本附录提供了一种替代的适用于大尺寸 EUT 的试验方法，将耦合装置放置于接近 电缆入口处，形成较小的环路面积来减少谐振效应。


射频信号源
可以应用本附录的大尺寸EUT 包括下列举例，但不限于：


试验信号发生器
——固定于机架的电信交换系统；


T2
——电机；


EUT
——固定于机架的开关和控制传动装置。


CDN
F.2 大尺寸 EUT 的试验布置


参考接地平面
大尺寸EUT 的试验布置举例见图F.1 和图F.2 。


0.1m±0.05m 支撑
图 F.1 中所示的提高的参考地平面是此种试验布置的参考地平面，提高参考地平面的目的是减小 EUT 与 CDN 之间的电缆长度，从面控制或减小电 缆中的谐 振 效应


50Q T
提高的参考地平面的尺寸应足够天，能够沿试验中所有使用的CDN 的边缘向外延伸至少0.2 m。 EUT 和 CDN之间的被测电缆最大长度为0.3m。


CDN 2
提高的参考地平面距主地平面的高度，应使从 EUT 到 CDN 的 电 缆能水平排列。


0.1m±0.05m 支撑
出于安全原因，提高的参考地平面应电气连接到大地。在布置中使用多个CDN 的情况下，此连接 对射频的影响不大。


0.1m≤L≤0.3m
注1:重要的是，要确保提高的参考地平面的物理结构和其支撑结构在机械性上处于安全状态。


互连电缆
EUT 应放置于距地平面高度为0.1 m±0.05m 的绝缘支架上。如果设备交付时在运输托盘上，且 由于其过大的重量和尺寸导致无法安全地从运输托盘上卸下，那么EUT 可以在运输托盘上进行试验， 即使托盘的高度高于0.1 m±0.05m 。 如果由于重量或尺寸的原因，设备无法提高0.1m±0.05 m,可 以使用更薄的绝缘为 EUT 提供与地平面的电气隔离。任何与试验的标准方法的不同之处均应记录在 试验报告中。


h≥30 mm
AE 可以放置在提高的参考地平面上，但如果AE 通过 CDN 连接到EUT 时，则AE 不需要放置在 提高的参考地平面上。当使用直接注入法时，如果使用适当的去耦方式，AE 可以位于提高的参考地平 面之外。在使用钳注入替代 CDN 注入时，AE 必须放置在提高的参考地平面上。


AE
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图F.1 使用提高的水平参考地平面的大尺寸EUT 试验布置示例.jpeg|400px]]


L
本测试中，EUT 接地通过M1连 接到附加平面上


L
图 F.1 使用提高的水平参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例


如果可能，互连电缆应设置为1 m 长。
图 F.2 中所示的垂直参考地平面是这种试验布置的参考地平面。垂直参考地平面的目的是减小EUT 与 CDN 之间的电缆长度，从而控制和减小电缆中的谐振效应。


a) 仅连接一个 CDN 的二端口EUT布置示意图
注2:在EUT的输入输出电缆在不同的高度或仅使用一个CDN的情况下，垂直参考地平面比水平参考地平面更 适 用 。


图13 使用一个 CDN 时二端口 EUT 的抗扰度试验布置示意图
出于安全原因，垂直参考地平面应电气连接到大地。此连接对于射频而言，影响不大。


垂直参考地平面的尺寸应足够大，能够沿试验中所有使用的 CDN 边缘向外延伸至少0.2 m 。在 EUT 只有一根电缆的情况下，垂直参考地平面应延伸到地板且与地板的接合具有低介电常数。在 EUT 和CDN 之间的被测电缆最大长度为0.3 m。EUT 与垂直参考地平面之间的距离应满足电缆长 度0.3 m 的要求。屏蔽室的墙面可以作为垂直参考地平面。


安装在垂直参考地平面上的CDN 的高度应能够使从EUT 到 CDN 的电缆水平排列。


在使用水平提高的参考地平面的试验布置中给出的说明(例如，绝缘支架和 AE 的位置)也适用于 使用垂直参考地平面的试验布置。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸EUT 试验布置示例.jpeg|400px]]


=== 7.6 当满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===
图 F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例


当使用钳注入法时，AE 的配置应旱现尽可能接近 1 中 要 求 的 共 模 阻 抗 ( 见 附 录 H), 每 个 AE


应尽可能体现实际使用时的安装条件。为了 能满足所需的共模阻抗要求，应采取以下措施：


— — 每个 AE 应置于参考地平面上方0 .m 高的绝缘支架上。
== 附 录 G ==


——钳应置于被测电缆I 将电平设置程厅中预先确定好的试验信号电平提供给钳。
(资料性附录)


试验时，应将电流注尽钳输人端口的屏蔽层或电磁钳的接地村连接至参考地平面(见图14和
试验电压电平的测量不确定度


图 1 5 ) 。
=== G.1 概述 ===


去耦网络应安装在AE 与 EUT 之间的每一条电缆上，被测电缆除外。
依据本部分正文中所述试验方法的特定要求，附录G 给出了试验仪器所产生的电压的测量不确定 度的信息。有关测量不确定度的进一步信息可以参见[ 1,2, 3]。


——除连接到EUT 的电缆外，应为连接到每个AE 的所有电缆提供去耦网络，见6 .2.5 和 图 5。
附录 G 主要以电平调整的不确定度为例，说明了如何基于试验仪器的不确定度和6.4中所述的试 验电压电平调整程序进行不确定度评定。影响量的其他参数(如调制频率、调制深度等)可能同样重要， 实验室也应视情况进行考虑。 附 录G 所示方法适用于所有影响量的参数。


连接到每个AE 的去耦网络(除了在EUT 和 AE 之间的)距AE 的距离不应超过0.3 m (距离： L2) 。AE 与去耦网络之间的电缆或 AE 与注入钳之间的电缆既不捆扎，也不盘绕，且应保持 在高于参考地平面30mm 的高度(图 ·5)。
附录G 的主要内容是评估6.4节中的试验电平调整程序要求的在 EUT 阻 抗15 0Ω的情况下电压 电平调整的不确定度。关于不同实验室对同一 EUT 的试验无法复现问题的分析不在本附录范围内。


——被测电缆一端是EUT, 另 一 端 是AE 。EUT 可 以 使 用CDN 连接到多个 AE; 然而，在 EUT 和 多 个 AE 之 间 应 只 有 一 个CDN 端 接 50 Ω 负 载 。 应 遵 循 7 . 5 中 的 优 先 次 序 选 择 被 端 接 的 CDN。
=== G.2 通用符号 ===


——当使用多个注入钳时，逐一在每根被测电缆上进行注入，未进行注入的被测电缆应按照6.2.5 要求进行去耦处理。
表 G.1 以及下面列出的通用符号是E1]中定义的通用符号的 部 分


除 此 以 外 ， 在 其 他 情 况 下 ， 均 应 依 照 7 . 7 中 的 程 序 进 行 。
X<sub>1</sub>—— 影响量；


x ; ——X 的 估 值 ；


u( x;)—— x; 的 标 准 不 确定度：


c; ——灵 敏 系 数 ；


y —— 测量结果，(被测量的估值)所识别到的显著的系统影响均已修正 ；


射频信号源
u(y)—— y 的(合成的)标准不确定度：


0.1m≤L≤0.3m
U(y) ——y 的扩展不确定度；


试验信号发生器
k ——包含因子；


L
δX; —— 影 响 量X; 的 修 正。


L2≤0.3m 如果可能
=== G.3 试验方法的不确定度评定 ===


T2
G.3.1 被测量的定义


*L2*
被测量是第5章中定义的开路试验电压U₀。


50
注：U<sub>o</sub> 是在150 kHz~80 MHz频率范围内一个特定频率上，通过一个加在150Ω负载上的耦合装置提供的电压。 为了计算不确定度，用dB(μV) 表示。


T
G.3.2 被测量的不确定度来源


CDN 2
下列影响量示例(图G.1~ 图 G.4)是关于试验电压电平的影响量的举例，应注意，这些影响量示例并不详 尽。表G.1~ 表 G.8 所示的不确定度评定的计算示例选取了影响量示例中最重要的影响量。计算不确定度时 至少应使用列入表G.1~ 表 G.8 中的影响量，以获得不同试验场地或实验室之间可比较的不确定度评定。需 指出的是，基于实验室的特定环境，在不确定度计算时可能还包括其他影响量(例如，A 类)。


参考接地平面
1) 方括号中的数字参见附录G 结尾处的参考文献。


h≥30 mm
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.1 使用CDN 对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]


0.1m±0.05m 支撑
图 G.1 使 用CDN 对试验电压电平的影响量示例


0.1m±0.05m 支撑
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.2 使用电磁钳对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]


短接地带(如果需要)
图 G2 使用电磁钳对试验电压电平的影响量示例


50Ω


T
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.3 使用电流钳对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]


CDN 1
图 G.3 使用电流钳对试验电压电平的影响量示例


监视探头 (如果需要)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]


钳注入装置
图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例


测量设备


AE 1
G.3.3 扩展不确定度的影响量和计算示例


EUT
以下示例假设在试验电平调整程序中使用相同的仪器产生试验电压电平[图9c]] 和图 G.5 描述了 试验电平调整的测量设置),不包括在试验期间未使用的测量仪器。如果使用不同仪器，将会产生不确 定度，影响量在表 G.1～ 表 G.8 中给出，但是它们的值都设为0(见表G.1～ 表 G.8 下面的注)。


L
因此，必须要意识到，来自电平调整程序与来自试验的影响可能并不相同。这将导致每个程序的不 确定度评定都(略微)不同。


L
表G.1~ 表 G.8 给出了电压电平调整的不确定度评定的示例。每个不确定度评定由两部分组成， 电平调整不确定度和测量不确定度。电平调整程序决定了U 和Um 之间的关系(见图G.1) 。 试验过程 中 U 是可重现的。


注 ：关于监视探头的使用，见7 .7。
式(G.1) 给出了 CDN 电压电平调整程序的模型函数(所有量均使用对数单位):


图14 使用钳注入装置的试验布置一般原理图
U₀=ULme+15.6dB+δLM 。+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML……………………(G.1)


=0.5m
式(G.1) 中的影响量 ULM。是直接来自功率计上的或转换为 dB(μV) 的指示电压Umr。


1m≤L≤
注1:其他符号包含在下面的缩写词解释中。


≥0.5m
式(G.2) 和式(G.3) 给出了CDN 试验过程的模型函数(所有量均使用对数单位):


EUT
U₀=U+20log1o(6/5)+δLMC+δCAL+δSW……………………(G.2)


绝缘支撑
U=ULme+20logio(5) ……………………(G.3)


h=0.1m±0.05m
注2:符号包含在下面的缩写词解释中。


测量设备
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.5 电平调整电路示意图.jpeg|400px]]
 
注 ：关于监视探头的使用，见7 . 7。
 
DN-T
 
 
 
CDNM
 
 
 
T
 
50Q
 
钳注入装置
 
T2功率衰减器(6
 
射频信号源
 
试验信号发生器
 
参考接地平板
 
AE2
 
绝缘支撑 h=0.1m±0.05m
 
AE1 CDN-Mx
 
Q
 
T
 
dB) 50Ω
 
图15 位于接地平面上的试验单元使用钳注入示例(俯视图)
 
=== 7.7 当不满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===
 
当使用钳注入且在AE 一侧不满足共模阻抗要求时，AE 的共模阻抗必须小于或等于EUT 的被测
 
 
 
端口的共模阻抗，否则，在AE 端口应采取措施(例如，使用CDN-M1 或从AE 到地之间加150Ω电阻), 以满足此条件并防止谐振。本程序中，仅给出与7.6中提出的措施有关的差异。
 
——每种 AE 和 EUT 应尽可能接近实际运行的安装条件。例如，将 EUT 连接到参考地平面上或 者将其放在绝缘支架上(见图14和图15)。
 
——将电流监视探头(具有低插入损耗)插入注入钳和 EUT 之间，监视由感应电压(按照6.4.1调 整)产生的电流。如果电流超过下面给出的电路标称值 Imax,应减小试验信号发生器电平，直 到测得的电流等于 Imax值：
 
Imax=U₀/150Ω
 
在试验报告中应记录所施加的修正后的试验电压值。
 
为保证重现性，在试验报告中应充分地描述试验配置。
 
=== 7.8 直接注入的应用 ===
 
当使用直接注入到电缆屏蔽层时，应采取以下措施：
 
——EUT 应置于距参考地平面0.1m 高度的绝缘支架上。
 
——在被测电缆上，去耦网络应位于注入点和 AE 之间，尽可能靠近注入点。第二个端口应使用
 
150 Ω(CDN 用50Ω负载端接)。应按照7.5中的优先次序选择此端口。在所有其他附属于 EUT 的电缆上应安装去耦网络(当端口开路，CDN 可以认为是去耦网络)。
 
——注入点应位于参考地平面上方，从EUT 的几何投影到注入点之间的距离为0.1 m～0.3 m。 ——试验信号应通过100 Ω电阻直接注入到电缆屏蔽层上(见6.2.4)。
 
当直接连接到金属箔屏蔽层上时，应适当加以注意，以确保良好的连接来产生可靠的试验结果。
 
== 8 试验步骤 ==
 
EUT 应在实际使用时的工作状态和气候条件下进行试验。
 
对于来自试验布置的辐射应符合当地有关的无线电法规。当辐射能量超过允许的电平时，应使用 屏蔽室进行试验。
 
注1:通常，传导抗扰度试验可不在屏蔽室内进行。这是由于骚扰电平和试验配置的几何尺寸不可能辐射太高能 量，尤其在低频段。
 
依次将试验信号发生器连接到每个耦合装置上(CDN、电磁钳、电流钳)进行试验。其他所有非被 测电缆应断开(当功能允许)或使用去耦网络或未端接的 CDN。
 
在试验信号发生器的输出端可能需要一个低通滤波器和/或高通滤波器(例如，100 kHz 截止频 率),以防止(高次或亚)谐波干扰 EUT 。 低通滤波器的带阻特性应对谐波有足够的抑制，使得它们不影 响试验结果。这些滤波器应在调整试验电平前插入在试验信号发生器之后(见6.1和6.4.1)。
 
扫频范围150 kHz～80 MHz,使用调整程序中确定的信号电平，骚扰信号是1kHz 正弦波调幅(调 制度80%)信号，如果必要可以暂停试验，来调整射频信号电平或改变耦合装置。扫频时，频率步进不 应超过1%。在每个频率，幅度调制载波的驻留时间应不低于 EUT 运行和响应的必要时间，且最低不 应低于0.5s 。 除步进扫频外，也应分析敏感频率(例如，时钟频率、制造商指定的频率或由试验获得的 频点)。
 
注 2:由于在频率步进时，EUT可能会受到瞬态干扰，应制定相应的规定避免这样的干扰。例如，频率变化前，信号 强度可以比试验电平低几个dB。
 
在试验过程中，应尝试充分运行 EUT, 应充分了解所有运行模式并选出最敏感的模式。
 
建议使用专用的运行程序。
 
应按照试验计划进行试验。
 
 
 
可以进行一些研究性的试验，以确立试验计划中的某些方面。
 
== 9 试验结果的评估 ==
 
试验结果应按照 EUT 的性能降级和功能损失来分类，其与制造商和试验的委托方规定的性能等 级有关，或由制造商与产品买方之间达成共识。推荐的分类如下所述：
 
——在制造商，委托方或买方规定的正常性能范围内。
 
——暂时的性能降级和功能损失，施加骚扰终止后且直到 EUT 恢复其正常性能，无人为干预。
 
——暂时的性能降级和功能损失，需要人为干预来恢复正常。
 
——由硬件或软件的损坏，或数据的丢失导致无法恢复的性能降级和功能损失。
 
制造商在其说明书中可以定义可能发生在EUT 上的可接受的非重要影响。
 
上述分类可以作为委员会制定通用标准、产品标准和产品类标准中性能判据的指南，或在没有合适 的通用标准、产品标准和产品类标准存在的情况下作为制造商与买方之间性能判据协议的框架。
 
== 10 试验报告 ==
 
试验报告应包含为重现试验所有的必要信息。尤其应记录以下信息：
 
——EUT 的标识和所有AE 的标识，例如，商标名称，产品型号，序列号；
 
——EUT 的尺寸；
 
—-EUT 的典型工作状态；
 
——EUT 作为单个单元还是多个单元进行试验；
 
— 互连电缆的类型，包括电缆的长度和连接到 EUT 上的那些端口；
 
——为满足要求而使用的任何特定条件，例如，电缆长度和类型，屏蔽或接地，或 EUT 工作状态； ——如果必要，提供EUT 的恢复时间；
 
——使用的试验设备的类型，以及 EUT 、AE、耦合/去耦装置的位置；
 
——试验设备的标识，包括商标名称，产品型号，序列号；
 
——每根电缆上所使用的耦合/去耦装置；
 
——对于每个注入端口，标明端接了50Ω阻抗的去耦装置；
 
——EUT 运行方式的描述；
 
——任何必要的使试验能够进行的特殊条件；
 
——试验所采用的频率范围；
 
—-扫描频率、驻留时间和频率步进；
 
——采用的试验等级；
 
——由制造商、需求方和买方规定的性能等级；
 
——采用的性能判据；
 
——在试验骚扰施加过程中或之后，从 EUT 观察到的任何现象及其持续的时间；
 
—合格/不合格判定的依据(基于通用标准，产品标准和产品类标准中规定的性能判据，或制造商 与买方之间的共识)。
 
 
 
附 录 A
 
(规范性附录) 电磁钳和去耦钳
 
A.1 电磁钳
 
A.1.1 概述
 
附 录A 规定了电磁钳的参数。电磁钳( 与常规电流注人钳相比)在几十兆赫兹以上的频率具有方 向性 。
 
A.1.2 电磁钳的典型规格
 
电磁钳用于对电缆注人试验信号。其特性参数为：
 
— — 工作频率范围：0.15 MHz～80 MHz;
 
——长度：650 mm ± 50 mm;
 
——钳开口中心在地平面上方的高度：50-mms70mm;
 
——钳开口直径：20 mm 2 mm:
 
——钳参考点(从外表面到第一个磁芯的距离：<30mm;
 
——电磁钳的结构和原理见 图1 1 和 图2
 
——典型的阻抗特性见图A7
 
—— 典型的去耦系数特性见 图 1 8;
 
——典型的耦合系数特性现 图A .
 
注：若钳本身符合A.2定义的参数，也可以使用其他物理尽寸的锥飞例如对较大直径的电缆进行试验)。
 
 
 
单位为 mm
 
电磁钳0.15 MHz~80 MHz
 
 
 
正面(剖视)图
 
EUT
 
 
 
底面(俯视)图
 
部 件 ：
 
1 ——铁氧体环尺寸φ36 mm×φ23 mm×15 mm
 
10个，4C65 型 ，NiZn,μ≈100;
 
26个，3C11 型 ，MnZn,μ≈4300。
 
2 ——粘贴在槽上的半圆环铜箔片。
 
3 ——低部导体板；
 
4 ——接地端；
 
5/6 ——把被测电缆由带压缩弹簧的绝缘材料压入凹槽的装置(此部件不可见);
 
7 ——铁氧体管，4C65;
 
8 ——同轴电缆，50 Ω,带 BNC 连接器；
 
9 ——Z₁分断开关；
 
10 ——第二部分槽口；
 
11 ——固定铁氧体的塑料件(上半环);
 
12 ——底部绝缘板；
 
13 ——Z₁,Z₂ 的保护板； EUT ——被测设备；
 
Z₁ ——串 联 阻 抗 ：C1:20 pF~100 pF,L₁:0.15μH,R₁:50Ω/12 W;
 
Z₂ ——串联阻抗：L₂:0.8μH,R₂:50Q/12W。
 
图 A.1 举例：电磁钳的详细结构
 
 
 
 
 
部件：
 
1 ——铁氧体管(钳)长0.6 m,p20mm, 在 EUT 侧，由10个4C65 型的环(μ≈100)组成，在AE 侧，由26个 3C11 型的环(μ≈4300)组成；
 
2 ——半圆环铜箔片；
 
7 ——包括在电磁钳结构中的铁氧体管(μ≈100);
 
Z₁,Z₂---— 为优化频率响应和方向性而装配的电路；
 
G₁ ——试验信号发生器；
 
电磁钳的原理：
 
——通过铁氧体管(部件1)的磁耦合；
 
——通过 EUT 的电缆和铜片间靠近所产生的(部件2)的电耦合。
 
图 A.2 电 磁 钳 的 原 理 图 示 例
 
A.2 电 磁 钳 的 特 性
 
A.2.1 钳 试 验 夹 具 规 范
 
如 图 A.4 和 图 A.5 所示，用于测量钳 S 参 数 的 试 验 夹 具 应 在 金 属 板 ( 参 考 地 平 面 ) 上 方 具 有 一 个 圆 柱形金属杆。试验夹具由三部分组成：两个带有无损耗50Ω适配器的参考平面，以及在这两个参考平 面间形成的一条传输线，见图 A.3～图 A.5 。为测量电磁钳的特性，应使用单根金属杆。此金属杆的长 度 (LA+Ls+L 参考)设置为满足图 A.5 允 许 的 尺 寸 。
 
圆柱形金属杆的直径d 为4 mm 。在地平面上方的高度 h 由钳的尺寸定义，典型值为50 mm~ 70 mm。应在由钳开口的中心位置所定义的高度上实施测量。
 
钳参考点(第一个磁芯)与夹具垂直边缘之间的距离LA 和 LB 应为30 mm±5mm (见图 A.5)。参 考地平面的尺寸应超出试验布置的各边至少0.2 m。
 
 
 
100 mm
 
 
 
金属板
 
(例如铜)
 
4 mm金属杆
 
100 mm 100 mm
 
N型连接器
 
正面 侧面 侧面细节
 
图 A.3 参考平面尺寸
 
L 考 Lg
 
山
 
图 A.4 试验夹具
 
*LA* La
 
被测钳
 
山
 
参考接地平板
 
直径4 mm 的金属杆
 
在接地平板上方的高度h
 
图 A.5 插入被测钳的试验夹具
 
A.2.2 钳的特性
 
A.2.2.1 阻抗
 
A.2.2.1.1 测量布置
 
阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。钳(即其注入端口)应端接50Ω负载并置于试验夹 具中，见图 A.6。 在阻抗测量中电磁钳被视为一个二端口装置，其特性可以使用网络分析仪在50Ω系
 
统中测量其 S 参数 S 、Si ₂、S ₂₁和 S 2₂来表示。在测量之前，应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用 适当的校准套件使用标准直通、开路、短路匹配(TOSM )法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之 间长度带来的影响应通过矢量网络分析仪(VNA )的端口补偿或其他方式进行处理。
 
EUT 50Ω
 
 
 
50 Ω终端负载
 
VNA端口1 LA
 
注入连接器
 
电磁钳
 
VNA端口2
 
La
 
参考接地平板
 
图A.6 阻抗/去耦系数测量布置
 
A.2.2.1.2 转换
 
A.2.2.1.1 中所述的从网络分析仪得到的 S 参数是在50Ω系统中测量的。然而，试验夹具的特性
 
阻抗 Zc 通常不是50 a。它取决于接地平板上方钳开日的高度。使用A 、B、C、D 参数进行转换，可使
 
用式(A .1)～式(A.12)得到独立于Z 的一组转换参数：
 
注：所有计算均为复数形式。
 
Z=502 …………………… (A.1)
 
…………………(A.2)
 
……………………
 
……………………
 
……………………
 
以 A 、B、C 、D 参数为依据，可以计算出一组基于试验夹具特性阻抗Z 的 S 参数。
 
|  |  |
| --- | --- |
|  此处：  d: 夹具的导体直径(定义为4 mm );  h: 夹具的导体中心在地平面上方的高度。 | …………………… |
 
(A.3)
 
(A.4)
 
(A.5)
 
(A.6)
 
B'=B/Z' ref ……………………(A.7)
 
C'=C·Z' ef …………………… (A.8)
 
……………………(A.9)
 
 
 
…………………… (A.10)
 
 
 
……………………(A.11)
 
 
 
…………………… (A.12)
 
 
 
A.2.2.1.3 阻抗的计算
 
输入阻抗由式(A.13) 给出：
 
……………………(A.13)
 
3种不同电磁钳阻抗曲线的典型实例见图 A.7。
 
2/5
 
 
 
电磁钳-|Z\_EUT|(TOSM-ABCD转换)
 
400
 
350-
 
300-
 
250-
 
200-
 
150-
 
100-
 
50
 
1.0 10.0 100.0
 
%.1
 
频率/MHz
 
图 A.7 三种电磁钳阻抗的典型实例
 
注：在装置的远端终端阻抗为Z 的情况下，依据本程序进行的阻抗测量是有效的。此测量值可能与使用实际 AE
 
进行抗扰度试验布置时的阻抗不同。
 
A.2.2.2 EUT与 AE 之间的去耦系数
 
应使用A.2.2.1.1 和 A.2.2.1.2 所述的测量布置和转换方法。去耦系数由式(A.14) 计算：
 
a[dB ]=20log₁ o(ABS(S ²1) ……………………(A.14)
 
3种不同电磁钳去耦系数曲线的典型实例见图A.8。
 
 
 
电磁钳-去耦系数(TOSM/ABCD 转换)
 
a/dB
 
 
 
0
 
-2
 
-4
 
4
 
—6—
 
—8—
 
—10—
 
—12—
 
-14
 
—16—
 
—18—
 
-20. 1.0 10.0
 
100.0
 
频率/MHz
 
图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例
 
A.2.2.3 耦合系数
 
耦合系数应按图 A.10 所示的布置在150Ω系统中测量。 A.2.1 中描述的试验夹具应采用以下调 整：圆柱形金属杆的高度应调整为在钳开口的底部位置。此外，参考平板上应插入150 Ω~50 Ω适配 器。测量前，将夹具背对背连接到参考地平面来归一化试验布置，见图 A.9。推荐使用图 A.9 和图A.10 所示的两个10 dB 衰减器。
 
VNA端口2
 
(S₂₁)
 
VNA 端口1
 
(S₂1)
 
10 dB 100Ω  100Ω 10 dB
 
参考地平面
 
图 A.9 耦合系数测量的归一化布置
 
 
 
EUT
 
10 dB
 
 
 
VNA 端口1
 
(S21)
 
VNA端口2
 
注入连接器
 
50 Ω终端负载
 
电磁钳
 
(S₂i) *LA*
 
10 dB 100 Q
 
 
 
100Ω
 
50Ω
 
Lg
 
参考接地平板
 
图 A.10 S₂1 耦合系数测量布置
 
3种不同电磁钳耦合系数曲线的典型实例见图 A.11。
 
耦合系数/dB
 
 
 
电磁钳-耦合系数
 
100
 
频率/MHz
 
图 A.11 3 种典型电磁钳耦合系数的典型实例
 
A.3 去耦钳特性
 
A.3.1 阻抗
 
A.3.1.1 测量布置
 
阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。去耦钳应置于试验夹具中，见图 A.12 。 在阻抗测量 中去耦钳被视为一个二端口装置，其特性可以使用网络分析仪在50Ω系统中测量其S 参 数S₁1 、Si₂ 、 S₂ 和 S₂₂ 来表示。在测量之前，应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用适当的校准套件使用标准通
 
断短匹配(TOSM) 法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之间长度带来的影响应通过矢量网络分 析仪(VNA) 的端口补偿或其他方式进行处理。
 
 
 
VNA 端口1 *LA* LB VNA端口2
 
被测去耦钳
 
参考接地平板
 
图 A.12 去 耦 钳 特 性 的 测 量 布 置
 
A.3.1.2 阻 抗 的 计 算
 
使用A.2.2.1.2 描述的转换方法，输入阻抗(典型实例见图A.13) 由式(A.15) 给出：
 
 
 
… ………………
 
(A.15)
 
IZICTOSM ABCD转换，延时)
 
2/5
 
 
 
2000
 
1800
 
1600-
 
1400
 
1200-
 
1000-
 
800-
 
600-
 
400-
 
200-
 
%.1 1.0 10.0 100.0
 
频率/MHz
 
|  |  |  |
| --- | --- | --- |
| … | - 去 耦 钳 | ---CMAD |
 
图 A.13 去 耦 钳 阻 抗 的 典 型 实 例
 
注：在装置的远端终端阻抗为Z 的情况下，依据本程序进行的阻抗测量是有效的。此测量值可能与使用实际 AE
 
进行抗扰度试验布置时的阻抗不同。
 
A.3.2 去 耦 系 数
 
应 使 用A.3.1.1 和 A.2.2.1.2 所 述 的 测 量 布 置 和 转 换 方 法 。 去 耦 系 数 ( 典 型 实 例 见 图 A.14) 由 式(A.
 
1 6 ) 计 算 ：
 
 
 
a[dB]=20log₁₀(ABS(S'21)) ……………………(A.16)
 
注：共模吸收装置(CMAD) ( 见 CISPR 16-1-44)设 计 为 在 3 0 MHz 到 2 0 0 MHz 之 间 具 有 良 好 的 去 耦 特 性 ， 可 能 因
 
此 不 适 用 于 本 部 分 中 涉 及 的 较 低 的 频 率 范 围 。
 
a/dB
 
 
 
去耦系数(TOSM/ABCD 转换，延时)
 
0
 
—5—
 
—10—
 
—15—
 
—20—
 
—25—
 
-301 1.0 10.0 100.0
 
频率XNHz
 
|  |  |
| --- | --- |
| 去 耦 钳 | ---CMAD |
 
图 A.14 去 耦系数的典型实例
 
附 录 B
 
(资料性附录)
 
选择适用频率范围的准则
 
尽管本部分规定的频率范围为150 kHz~80 MHz,但是可用频率范围取决于 EUT 的正常安装和 工作条件。例如，对总尺寸小于0.4 m 且无任何金属电缆连接的电池供电小型设备，无需进行80 MHz 以下的传导抗扰度试验，因为由骚扰电磁场感应的射频能量不大可能干扰此种设备。
 
通常终止频率是80 MHz, 在某些情况下，考虑到某些小尺寸(尺寸小于λ/4)设备，产品标准可能规 定将终止频率最高扩展到230 MHz 。 在这种情况下耦合/去耦装置也要满足下面表 B.1 所规定的在 EUT 端的共模阻抗参数要求。当用这种试验方法升高到更高频率时，影响试验结果的将是设备的尺 寸、所用的互连电缆的类型和专用耦合/去耦装置的可用性等。适合使用的进一步指南将由产品标准 给出。
 
表 B.1 试验频率范围扩展到80 MHz 以上时耦合/去耦装置的主要参数汇总表
 
{| class="wikitable"
|- style="vertical-align:middle;"
! rowspan="2" | 参数
! colspan="3" style="text-align:center;" | 频段
|-
| 0.15 MHz～24 MHz
| 24 MHz～80 MHz
| 80 MHz～230 MHz
|-
| |Z<sub>ce</sub>|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω±60Ω
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="4" | 注1:Z<sub>ce</sub>的幅角以及EUT端口和AE端口之间的去耦系数均未单独规定，由AE端口对参考地平面开路或短路 时应满足|Z<sub>ce</sub>| 容差的要求来体现这些参数。 <br />注2:当使用钳注入法时，如果不满足AE的共模阻抗要求，则可能无法满足Z<sub>ce</sub>的要求。然而，若采用7.7的规 范，钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
|}
 
试验的起始频率取决于设备及其连接电缆是否能接收来自骚扰电磁场的大量射频能量。
 
考虑3种不同情况：
 
a) 既不连接到地又不连接其他任何设备，且充电期间不工作的电池供电设备(尺寸小于A/4), 无 需按照本部分进行试验。如果在充电期间设备工作，则采用b) 或 c)。
 
对电池供电设备(尺寸不小于λ/4),基于其尺寸、包括连接电缆的最大长度来确定其起始频 率，见图 B.1。
 
b) 设备连接到电网(电源)但不连接任何其他设备和电缆。通过耦合/去耦装置为设备供电，并 在设备上安装模拟手。起始频率为150 kHz。
 
c) 设备连接到电网(电源),也通过控制、数据或通信电缆连接到其他隔离或非隔离设备。起始频 率为150 kHz。
 
 
 
2H/nnnF
 
 
 
100 M
 
*P-*
 
10M
 
1M-
 
100kL
 
0.1 1 10 100 1000
 
延伸长度L/m
 
co=3×10⁸(m/s);
 
L= 电缆长度+设备尺寸。
 
例：
 
—对电缆连接到键盘(延长尺寸≥λ/4)由电池供电的个人计算机，并带有长度为4 m 的环绕式电缆，起始频率应 是6.67 MHz,由模拟手覆盖键盘，对带有恰好2 m 长电缆的鼠标器，起始频率是15 MHz 等。
 
——带可选择交直流适配器的袖珍式计算器，应在适配器电源一端从150 kHz 开始扫频试验，并由模拟手覆盖袖珍 式 计 算 器 。
 
——可连接到地的手持式电池供电多(万)用表，应从150 kHz 频率开始扫频试验。并由模拟手覆盖万用表。
 
——具有双层绝缘(电源),可连接到收音机、可连接到隔离扬声器、并且同时具有可连接到地的天线输入端的光盘 播放机，应对其电源和音频电缆从150 kHz 开始扫频试验。
 
——分布在建筑内配有各种绝缘传感器的防盗报警器，其电缆可延长至200 m (制造商规定),应对这些电缆从 150 kHz开 始 扫 频 试 验 。
 
图 B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率
 
 
 
附 录 C
 
(资料性附录)
 
选择试验等级的指南
 
按设备和电缆最终安装时所处的电磁环境选择试验等级。在选择所用的试验等级时，应考虑EUT 产生故障的后果。如果故障后果严重，应考虑采用更严的试验等级。
 
如果仅在有限的几个地点安装 EUT, 那么检查本地 RF 源能够评估可能遇到的场强。如果骚扰源 的强度是未知的，需尽可能在所关心的位置上测量实际场强。
 
如果设备预期工作于许多不同的地点，可按以下指南选择试验等级。
 
以下分类对应第5章中所列的等级，可作为选择等级的通用指南。
 
1类：低电平电磁辐射环境。无线电电台/电视台位于大于1km 距离上的典型电平和低功率无线 电收发机的典型电平。
 
2类：中等电磁辐射环境。有低功率便携式无线电收发机(典型额定值小于1W) 在用，但限制其不 可接近其他设备。典型商业环境。
 
3类：严酷电磁辐射环境。相对靠近设备但距离不小于1m, 有便携式无线电收发机(≥2 W) 在 用。 高功率广播发射机接近设备使用以及设备可能靠近工、科、医设备。典型的工业环境。
 
X 类 ：X 是在专用的设备规范或设备标准中通过协商并指定的开放等级
 
在上述场所，骚扰源的强度很少超过试验等级所描述的典型电平值。在某些地点可能超过这些值， 例如，在同一建筑物中的高功率发射机或工、科 读设 备附 近 。此情况下，对房间或建筑物进行屏蔽以及 对设备的电源线和信号线滤波可能比规定全部设备 具 有免 受这些电平影响的能力更好。
 
 
 
附 录 D
 
(资料性附录)
 
关于耦合/去耦网络的资料
 
D.1 耦合/去耦网络的基本特性
 
CDN 应提供：
 
— — 对 EUT 耦合骚扰信号；
 
——从 EUT 看进去的稳定阻抗，与 AE 的共模阻抗无关；
 
——对 AE 去耦骚扰信号，以防止AE 被干扰；
 
——对有用信号提供通路。
 
CDN 在 1 5 0 kHz~80 MHz 频率范围内的典型参数见6.2. 1,D.2 列举了 一 些CDN。
 
在图 D.1~D7 中，共模阻抗 Z 是由试验信号发生器的内阻抗(50 Ω)和被测电缆的导体并联组合 的等效电阻(100Q) 形成的。当使用合适的电感器L(wLI>>150 Ω)时，去耦元件电容器 C₂ 不 应 影 响共模阻抗 Z。
 
CDN 上的EUT 端 口 的中心应位于参考地平面上方30 mm 处 。CDN 和 EUT 之间的电缆，如果位 于参考地平面上方30 mm 处 ，即可代表约1500特性阻抗的传输 线
 
为试验信号发生器和CDN 的 每一根电缆携供直流和低频隔离的 电 容C ,其阻抗在规定频率范围 内应远小于150 h 。
 
对非屏蔽电缆，用共模电感器干和电容器或者只用电感器1为AE 去耦。对屏蔽电缆，由于在 AE 侧屏蔽层会连接至参考地平面，故无需电容器C 2
 
对非屏蔽电缆，所选的( 值不应迂分影响有用信号， 对CDN ,有用信号过分影响CDN 的 参 数 是 不允许的，例如，在CDN -MI 中 ，铁氧体的饱和。
 
警告：在用于电源的 CDN 中，因为C 和 C₂ 跨接带电部分，应使用合适的Y 电 容。由 于 漏 电 流 大 ， 在全部试验条件下，CDN 应具有接地端子并连接到参考地平面，且参考地平面应以适当的方式连接到 保护地上。
 
D.2 耦合/去耦网络的举例
 
图 D.1～ 图 D.7 给出了几种可能的CDN ,因为仅用一种 CDN 不可能满足所有功能要求。
 
 
 
输入端口
 
R
 
AE 端口
 
L
 
EUT 端口
 
R=100Ω; 在150 kHz 时 ，L≥280μH。
 
图 D.1 用 于 屏 蔽 电 缆 的 CDN-S1 简化电路图示例(见6 . 2 . 2 . 5)
 
 
 
CDN-M3,C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=300 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH;
 
CDN-M2,C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=200 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH;
 
CDN-M1,C₁ (典型值)=22 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=100Ω; 在150 kHz 时 ，L≥280μH。
 
图 D.2 用 于 非 屏 蔽 电 源 线 的 CDN-M1/-M2/-M3 简化电路图示例(见6 .2 .2 .2)
 
 
 
 
 
输 入 端 口
 
R
 
二c₁
 
AE 端口 EUT端口
 
L
 
C₂ 二
 
C₁(典型值)=10nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=200 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH。
 
图 D.3 用 于 非 屏 蔽 不 平 衡 线 的CDN-AF2 简化电路图示例(见6 .2 .2 .4)
 
 
 
C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47nF,R=200Ω; 在150 kHz 时 ，L₁ ≥280μH,L₂=L₃=6mH (当不使用 C₂
 
和L₃ 时 ，L₁≥30 mH)。
 
图 D.4 用 于 非 屏 蔽 平 衡 线 对 的 CDN-T2 简化电路图示例(见6 .2 .2 . 3)
 
 
 
 
 
C(典型值)=5 . 6 mF,R=4000 年在150 kHz 时 ，L 280 =6mH
 
图 D.5 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T4 简 化电路图示例(见6 .2 .2.3 )
 
输入端口
 
 
 
C ( 典 型 值 ) = 2 . 2 nF,R=800Ω; 在 1 5 0 kHz 时 ，L>>280μH。
 
图 D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8 简化电路图示例(见6.2.2.4)
 
 
 
C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ，L -280pH 、La>>6 ml。
 
图D.7 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3)
 
 
 
附 录 E
 
(资料性附录)
 
试验信号发生器的规范
 
确定功率放大器 PA (图3)的可用输出功率，应考虑到衰减器 T2(6 dB)、调幅调制度(80%) (见图2)以及所用CDN 或钳的最小耦合系数。
 
表 E.1 获得10 V 试验电平所需的功率放大器输出功率
 
{| class="wikitable" style="vertical-align:middle;"
|-
! 注入装置
! 最小耦合系数/dB ±1.5 dB
! PA输出端所需功率/W
|-
| CDN
| 0
| 7
|-
| 电流钳绕组(匝数比5:1)
| -14
| 176
|-
| 电磁钳
| -6
| 28
|-
| colspan="3" | 注：使用输出电平调整电路[见图9c]]可以测得3.6中定义的耦合系数。耦合系数是当使用耦合/去耦装置串联 150Ω/50Ω适配器时所获得的输出电压Um与当使用两个串联的1502/50 Ω适配器时所获得的输出电压 之比。
|}
 
 
 
附 录 F
 
(资料性附录)
 
大尺寸EUT 的试验布置
 
F.1 概述
 
本部分正文中描述的试验布置(见第7章)并不能完全满足某些输入电缆或输出电缆位置高于1m 的 EUT 的需求。由于试验信号的上限频率是80 MHz ,EUT 的尺寸与波长相比大得多，因此，连接到 此种 EUT 的电缆中可能会出现谐振效应。
 
在这种情况下，本附录提供了一种替代的适用于大尺寸 EUT 的试验方法，将耦合装置放置于接近 电缆入口处，形成较小的环路面积来减少谐振效应。
 
可以应用本附录的大尺寸EUT 包括下列举例，但不限于：
 
——固定于机架的电信交换系统；
 
——电机；
 
——固定于机架的开关和控制传动装置。
 
F.2 大尺寸 EUT 的试验布置
 
大尺寸EUT 的试验布置举例见图F.1 和图F.2 。
 
图 F.1 中所示的提高的参考地平面是此种试验布置的参考地平面，提高参考地平面的目的是减小 EUT 与 CDN 之间的电缆长度，从面控制或减小电 缆中的谐 振 效应
 
提高的参考地平面的尺寸应足够天，能够沿试验中所有使用的CDN 的边缘向外延伸至少0.2 m。 EUT 和 CDN之间的被测电缆最大长度为0.3m。
 
提高的参考地平面距主地平面的高度，应使从 EUT 到 CDN 的 电 缆能水平排列。
 
出于安全原因，提高的参考地平面应电气连接到大地。在布置中使用多个CDN 的情况下，此连接 对射频的影响不大。
 
注1:重要的是，要确保提高的参考地平面的物理结构和其支撑结构在机械性上处于安全状态。
 
EUT 应放置于距地平面高度为0.1 m±0.05m 的绝缘支架上。如果设备交付时在运输托盘上，且 由于其过大的重量和尺寸导致无法安全地从运输托盘上卸下，那么EUT 可以在运输托盘上进行试验， 即使托盘的高度高于0.1 m±0.05m 。 如果由于重量或尺寸的原因，设备无法提高0.1m±0.05 m,可 以使用更薄的绝缘为 EUT 提供与地平面的电气隔离。任何与试验的标准方法的不同之处均应记录在 试验报告中。
 
AE 可以放置在提高的参考地平面上，但如果AE 通过 CDN 连接到EUT 时，则AE 不需要放置在 提高的参考地平面上。当使用直接注入法时，如果使用适当的去耦方式，AE 可以位于提高的参考地平 面之外。在使用钳注入替代 CDN 注入时，AE 必须放置在提高的参考地平面上。
 
 
 
 
 
CDN-M¹
 
CDN AE
 
提高的参考
 
地平面
 
EUT
 
绝缘支撑
 
接地连接
 
地平面
 
本测试中，EUT 接地通过M1连 接到附加平面上
 
图 F.1 使用提高的水平参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例
 
图 F.2 中所示的垂直参考地平面是这种试验布置的参考地平面。垂直参考地平面的目的是减小
 
EUT 与 CDN 之间的电缆长度，从而控制和减小电缆中的谐振效应。
 
注2:在EUT的输入输出电缆在不同的高度或仅使用一个CDN的情况下，垂直参考地平面比水平参考地平面更 适 用 。
 
出于安全原因，垂直参考地平面应电气连接到大地。此连接对于射频而言，影响不大。
 
垂直参考地平面的尺寸应足够大，能够沿试验中所有使用的 CDN 边缘向外延伸至少0.2 m 。在 EUT 只有一根电缆的情况下，垂直参考地平面应延伸到地板且与地板的接合具有低介电常数。在 EUT 和CDN 之间的被测电缆最大长度为0.3 m。EUT 与垂直参考地平面之间的距离应满足电缆长 度0.3 m 的要求。屏蔽室的墙面可以作为垂直参考地平面。
 
安装在垂直参考地平面上的CDN 的高度应能够使从EUT 到 CDN 的电缆水平排列。
 
在使用水平提高的参考地平面的试验布置中给出的说明(例如，绝缘支架和 AE 的位置)也适用于 使用垂直参考地平面的试验布置。
 
 
 
CDN
 
EUT
 
CDN-M1
 
垂直地平面
 
接地连接
 
AE
 
图 F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例
 
 
 
附 录 G
 
(资料性附录)
 
试验电压电平的测量不确定度
 
G.1 概述
 
依据本部分正文中所述试验方法的特定要求，附录G 给出了试验仪器所产生的电压的测量不确定 度的信息。有关测量不确定度的进一步信息可以参见[ 1,2, 3]1
 
附录 G 主要以电平调整的不确定度为例，说明了如何基于试验仪器的不确定度和6.4中所述的试 验电压电平调整程序进行不确定度评定。影响量的其他参数(如调制频率、调制深度等)可能同样重要， 实验室也应视情况进行考虑。 附 录G 所示方法适用于所有影响量的参数。
 
附录G 的主要内容是评估6.4节中的试验电平调整程序要求的在 EUT 阻 抗15 0Ω的情况下电压 电平调整的不确定度。关于不同实验室对同一 EUT 的试验无法复现问题的分析不在本附录范围内。
 
G.2 通用符号
 
表 G.1 以及下面列出的通用符号是E1]中定义的通用符号的 部 分
 
X ; — 影响量；
 
x ; —X 的 估 值 ；
 
u( x;)—— x 的 标 准 不 确定度：
 
c; —灵 敏 系 数 ；
 
y —— 测量结果，(被测量的估值)所识别到的显著的系统影响均已修正 ；
 
u(y) y 的(合成的)标准不确定度：
 
U(y) ——y 的扩展不确定度；
 
k ——包含因子；
 
δX; —— 影 响 量X; 的 修 正。
 
G.3 试验方法的不确定度评定
 
G.3.1 被测量的定义
 
被测量是第5章中定义的开路试验电压U₀。
 
注：U, 是在150 kHz~80 MHz频率范围内一个特定频率上，通过一个加在150Ω负载上的耦合装置提供的电压。 为了计算不确定度，用dB(μV) 表示。
 
G.3.2 被测量的不确定度来源
 
下列影响量示例(图G.1~ 图 G.4)是关于试验电压电平的影响量的举例，应注意，这些影响量示例并不详 尽。表G.1~ 表 G.8 所示的不确定度评定的计算示例选取了影响量示例中最重要的影响量。计算不确定度时 至少应使用列入表G.1~ 表 G.8 中的影响量，以获得不同试验场地或实验室之间可比较的不确定度评定。需 指出的是，基于实验室的特定环境，在不确定度计算时可能还包括其他影响量(例如，A 类)。
 
1) 方括号中的数字参见附录G 结尾处的参考文献。
 
 
 
试验电压等 级的不确定 度
 
功率放大器压缩
 
SW电平精度功率放大器谐波 CDN 校准数据 试验发生器/CDN 150Ω到50Ω转换器
 
失配
 
图 G.1 使 用CDN 对试验电压电平的影响量示例
 
 
 
电 平 表 试验发生器电平 试验发生器电平漂移 电平表/钳失配
 
试验发生器线性度
 
试验电压 等级的不 确定度
 
功率放人器压缩
 
150Ω到50Ω转换器
 
sw 电 平 精 度 功率放大器谐波 监 测 系 统 电 流 探 头 电 做 钳 校 准 试 验 发 生 器 甜 失 配
 
和 电 流 计
 
图 G2 使用电磁钳对试验电压电平的影响量示例
 
 
 
电 平 表 试验发生器电平 试验发生器电平源移 1 5 0 9 到 5 0Q 转 换 器 多 电平表/钳失配
 
试验发生器线性度
 
试验电压 等级的不 确定度
 
功率放大器压缩
 
功率放大器谐波 监测系统(电流探头， 电 表 )
 
钳校准 试验发生器/钳失配
 
SW电 平 精 度
 
图 G.3 使用电流钳对试验电压电平的影响量示例
 
电 平 表 试验发生器电平 试验发生器电平漂移
 
试验发生器线性度
 
试验发生器/
 
注入失配 150Ω到50Ω转换器
 
试验电压 等级的不 确定度
 
功率放大器压缩
 
功率放大器谐波 直接注入校准 去耦装置
 
sw 电平精度
 
图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例
 
 
 
G.3.3 扩展不确定度的影响量和计算示例
 
以下示例假设在试验电平调整程序中使用相同的仪器产生试验电压电平[图9c]] 和图 G.5 描述了 试验电平调整的测量设置),不包括在试验期间未使用的测量仪器。如果使用不同仪器，将会产生不确 定度，影响量在表 G.1～ 表 G.8 中给出，但是它们的值都设为0(见表G.1～ 表 G.8 下面的注)。
 
因此，必须要意识到，来自电平调整程序与来自试验的影响可能并不相同。这将导致每个程序的不 确定度评定都(略微)不同。
 
表G.1~ 表 G.8 给出了电压电平调整的不确定度评定的示例。每个不确定度评定由两部分组成， 电平调整不确定度和测量不确定度。电平调整程序决定了U 和Um 之间的关系(见图G.1) 。 试验过程 中 U 是可重现的。
 
式(G.1) 给出了 CDN 电压电平调整程序的模型函数(所有量均使用对数单位):
 
U₀=ULMe+15.6dB+δLM 。+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML
 
……………………(G.1)
 
式(G.1) 中的影响量 ULM。是直接来自功率计上的或转换为 dB(μV) 的指示电压Umr。
 
注1:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
 
式(G.2) 和式(G.3) 给出了CDN 试验过程的模型函数(所有量均使用对数单位):
 
U₀=U+20log1o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW
 
……………………(G.2)
 
U=ULMe+20log10(5) ……………………(G.3)
 
注2:符号包含在下面的缩写词解释中。
 
U₀
 
*UICe/*
 
UMe
 
50Ω
 
发生器/功率放大器/衰减器6 dB
 
1002
 
耦合去耦网络
 
100Q
 
测试夹具
 
电平表 *Umm*
 
50Ω
 
图 G.5 电平调整电路示意图
 
U


图 G.5 电平调整电路示意图


表 G.1 CDN 电平调整程序


表 G.1 CDN 电平调整程序
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-表 G.1 CDN 电平调整程序.jpeg|400px]]


'''此表格以截图代替'''
表 G.2 CDN 试验程序
表 G.2 CDN 试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.2 CDN 试验程序.jpeg|400px]]


注3:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路，将 LMC 或者试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量写人表G.1 和表G.2 中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分，其 并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注4)。然而表 G.1 和表 G.2 包含试验信 号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详细的分 析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释。
注3:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路，将 LMC 或者试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量写人表G.1 和表G.2 中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分，其 并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注4)。然而表 G.1 和表 G.2 包含试验信 号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详细的分 析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释。
第2,630行： 第1,524行：
对表 G.1 和表 G.2 中使用的缩写词解释如下：
对表 G.1 和表 G.2 中使用的缩写词解释如下：


RCAL——150 Q/50Ω适配器的不确定度。这种影响量通常可以从校准报告中获得。或者可以使 用网络分析仪测量插入损耗[见图8c]]。规定的插入损耗(9.5 dB) 的最大偏差及其校准不确定度应该
RCAL——150Ω /50Ω适配器的不确定度。这种影响量通常可以从校准报告中获得。或者可以使 用网络分析仪测量插入损耗[见图8c]]。规定的插入损耗(9.5 dB) 的最大偏差及其校准不确定度应该包括在表G.1 和 表G.2 。 如果校准证书只申明符合规定的容差，那么建议使用0 .5 dB。
 
 
 
包括在表G.1 和 表G.2 。 如果校准证书只申明符合规定的容差，那么建议使用0 .5 dB。


注6:偏差可以用软件修正。在这种情况下，最大偏差可以简化为插值不确定度和校准不确定度。
注6:偏差可以用软件修正。在这种情况下，最大偏差可以简化为插值不确定度和校准不确定度。


注7:150Ω~50Ω适配器的阻抗也可以直接测量，例如，使用网络分析仪或引用校准证书。在这种情况下，来自
注7:150Ω~50Ω适配器的阻抗也可以直接测量，例如，使用网络分析仪或引用校准证书。在这种情况下，来自100 Ω的偏差和校准不确定度可以插入表G.1 和表G.2 。其灵敏系数c 相应改变。
 
100 Ω的偏差和校准不确定度可以插入表G.1 和表G.2 。其灵敏系数c 相应改变。


SETUP—— 由电平调整的设置引入的合成不确定度，即校准夹具，CDN 和 CDN 适配器与参考地 平面之间的连接的影响，例如，连接参考地平面。这种影响量可以从变化条件的复现性试验中得出或根 据本示例的经验进行评估而得到。
SETUP—— 由电平调整的设置引入的合成不确定度，即校准夹具，CDN 和 CDN 适配器与参考地 平面之间的连接的影响，例如，连接参考地平面。这种影响量可以从变化条件的复现性试验中得出或根 据本示例的经验进行评估而得到。
第2,646行： 第1,534行：
LMe—— 电平表的不确定度，即用于在CDN 输出端测量电平的电压表或功率计的不确定度。它可 以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。
LMe—— 电平表的不确定度，即用于在CDN 输出端测量电平的电压表或功率计的不确定度。它可 以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。


SW.—— 来自电平调整程序中用于电平调整的信号发生器和软件系统的不连续的电平步进的不确 定度。实验室通常可以对软件系统进行调整。
SWe—— 来自电平调整程序中用于电平调整的信号发生器和软件系统的不连续的电平步进的不确 定度。实验室通常可以对软件系统进行调整。


LMCe ——电平表的不确定度，即用于信号发生器和放大器输出电平的控制回路的电压表或功率
LMC——电平表的不确定度，即用于信号发生器和放大器输出电平的控制回路的电压表或功率计的不确定度。可以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。


计的不确定度。可以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。
TGe—— 试验信号发生器的不确定度，包括频率发生器，功率放大器和衰减器的不确定度。可以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。
 
TG—— 试验信号发生器的不确定度，包括频率发生器，功率放大器和衰减器的不确定度。可以从
 
制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。


注8:试验信号爱生器的单个组件的不确定度(例如，信号发生器、功率放大器稳定性、功率放大器的快速增益变化， 衰减器等)可以分开评估，特别是试验配置中未使用控制回路时。
注8:试验信号爱生器的单个组件的不确定度(例如，信号发生器、功率放大器稳定性、功率放大器的快速增益变化， 衰减器等)可以分开评估，特别是试验配置中未使用控制回路时。
第2,662行： 第1,546行：
ML ——CDN 和电平表之间的失配
ML ——CDN 和电平表之间的失配


CAL— 电平调整程序中试验电压电平的牧展不确定度。
CAL—— 电平调整程序中试验电压电平的牧展不确定度。
 
LMC. —电平表的不确定度，例如，制造商的说明书中采用的圻率放大器的输出端使用的电平表 的不确定度。或者，为了获得较低的不确定度可 使 用 功率计。


TG₁ 试验信号发生器的不确定度，包据频察发生器功率放大器和衰减器的不确定度。可以从
LMC<sub>1</sub>——电平表的不确定度，例如，制造商的说明书中采用的圻率放大器的输出端使用的电平表 的不确定度。或者，为了获得较低的不确定度可 使 用 功率计。


制造商的说明书获得，也可以庆其 他 来 源确 定。
TG₁ ——试验信号发生器的不确定度，包据频察发生器功率放大器和衰减器的不确定度。可以从制造商的说明书获得，也可以庆其 他 来 源确 定。


注9:试验僵号发生器的单个组件的不确定度(例如主信号源、功率放天器稳定性、功率敢大器的快速增益变化，衰减
注9:试验僵号发生器的单个组件的不确定度(例如主信号源、功率放天器稳定性、功率敢大器的快速增益变化，衰减
第2,676行： 第1,558行：
MT₁——放大器、衰减器与CDN 之间失配的合成。如果电平调整和试验使用相同的衰减器和电 缆，则此影响量可以忽略。
MT₁——放大器、衰减器与CDN 之间失配的合成。如果电平调整和试验使用相同的衰减器和电 缆，则此影响量可以忽略。


Sw.—— 来自信号发生器的不连续的电平步进和试验过程中用于电平调整的软件窗口的不确定 度。实验室通常可以调整软件窗日
SW<sub>1</sub>—— 来自信号发生器的不连续的电平步进和试验过程中用于电平调整的软件窗口的不确定 度。实验室通常可以调整软件窗口


式(G.4) 给出了电磁钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.4) 给出了电磁钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=ULm 。+15.6dB+δLM 。+δRCAL+OSETUP+δSW.+δML
U₀=U₁M.+15.6dB+δLM.+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML……………………(G.4)
 
……………………(G.4)


式(G.4) 中的影响量ULm。是直接来自功率计上的或转化为 dB(μV) 的 指 示 电 压Um。
式(G.4) 中的影响量ULm。是直接来自功率计上的或转化为 dB(μV) 的 指 示 电 压Um。
第2,690行： 第1,570行：
式(G.5) 和 式(G.6) 给出了电磁钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.5) 和 式(G.6) 给出了电磁钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=U,+20log₁o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δAETERM
U₀=U,+20log₀(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW₁+δAETERM……………………(G.5)
 
……………………(G.5)


U=ULM 。+20log₁₀(5) ……………………(G.6)
U=ULm+20logi₀(5) ……………………(G.6)


注11:符号包含在下面的缩写词解释中。
注11:符号包含在下面的缩写词解释中。




表 G.3 电磁钳电平调整程序
表 G.3 电磁钳电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.3 电磁钳电平调整程序.jpeg|400px]]


表 G.4 电磁钳试验程序
表 G.4 电磁钳试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.4 电磁钳试验程序.jpeg|400px]]


注12:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路，将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.3和表 G.4中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分， 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注13)。然而表 G.3 和表G.4 包含试 验信号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释。
注12:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路，将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.3和表 G.4中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分， 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注13)。然而表 G.3 和表G.4 包含试 验信号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释。
第2,730行： 第1,607行：
式(G.7) 给出了电流钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.7) 给出了电流钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=ULM 。+15.6 dB+δLM.+δRCAL+δJIG+δSW 。+δML
U₀=ULM.+15.6     dB+δLM.+δRCAL+δJIG+δSW.+δML……………………(G.7)
 
……………………(G.7)


式(G.7) 中的影响量ULm 是直接来自功率计上的或转换为dB(μV 的指示电压Um 。
式(G.7) 中的影响量ULm 是直接来自功率计上的或转换为dB(μV 的指示电压Umr 。


注16:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
注16:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
第2,740行： 第1,615行：
式(G.8) 和 式(G.9 )给出了电流钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.8) 和 式(G.9 )给出了电流钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):


U₆=U,+20log₁o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δAETERM
U₀=U₄+20logi₀(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW₁+δAETERM…………………( G.8)
 
… ………………( G.8)


U.-U₁m.+20logi₀(5) …… ……………( G.9)
U=ULMe+20logi₀(5) …………………( G.9)


注17:符号包含在下面的缩写词解释中。
注17:符号包含在下面的缩写词解释中。
第2,750行： 第1,623行：
表 G 5 电流钳电平调整程序
表 G 5 电流钳电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 表 G.5 电流钳电平调整程序.jpeg|400px]]


表 G.6 电流钳试验程序
表 G.6 电流钳试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 表 G.6 电流钳试验程序.jpeg|400px]]
 




表 G.6 ( 续)
表 G.6 ( 续)


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 表 G.6 (续).jpeg|400px]]


注18:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路将LMC 或试验信号发 生器(TO 其 中一个影响量加入表G.5 和表G.6 中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分， 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注19)。然而表G5 和表 G.6 包含试 验信号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释
注18:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路将LMC 或试验信号发 生器(TO 其 中一个影响量加入表G.5 和表G.6 中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分， 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注19)。然而表G5 和表 G.6 包含试 验信号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释
第2,772行： 第1,644行：
原则上，若干与前例(如 EDN 方法)相同的项目不再解释，可参考前例。
原则上，若干与前例(如 EDN 方法)相同的项目不再解释，可参考前例。


注21:在使用监视探头和应用电流限幅的情况下，附象G 未考虑7,7涉 及的不确定度。此条件下U 。的值与电平
注21:在使用监视探头和应用电流限幅的情况下，附象G 未考虑7,7涉 及的不确定度。此条件下U。的值与电平


调整程序所确定的值不再相同，它会减少到一个未知值，因此，在这种情况下无法分配 U。的不确定度。
调整程序所确定的值不再相同，它会减少到一个未知值，因此，在这种情况下无法分配 U。的不确定度。
第2,780行： 第1,652行：
式(G.10) 给出了直接注入电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.10) 给出了直接注入电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀ULme+15.6 dB+8LM 。+δRCAL+δSETUP+8SW.+0ML
U₀=ULMe+15.6     dB+δLM.+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML………………………(G.1 0)


*………………………(G.1 0)*
式 ( G.1 0 )中 的 影 响 量Um 是 ULM直接来自功率计上的或转换为 dB((μV )的指示电压Um。
 
式 ( G.1 0 )中 的 影 响 量U 是 ULMe直接来自功率计上的或转换为 dBCpV )的指示电压Umr。


注 22:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
注 22:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
第2,790行： 第1,660行：
式 (G.11) 和 式(G.12) 给出了直接注人试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):
式 (G.11) 和 式(G.12) 给出了直接注人试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=U+20log1o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δDD
U₀=U,+20logi₀(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δDD


……………………(G.11)
……………………(G.11)


U,=ULMe+20log10(5) ……………………(G.12)
U,=Urm.+20logio(5) ……………………(G.12)


注 23:符号包含在下面的缩写词解释中。
注 23:符号包含在下面的缩写词解释中。




表 G.7 直接注入电平调整程序
表 G.7 直接注入电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.7 直接注入电平调整程序.jpeg|400px]]


表 G.8 直接注入试验程序
表 G.8 直接注入试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.8 直接注入试验程序.jpeg|400px]]


注24:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路，将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.7 和表 G.8 中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分， 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注25)。然而表 G.5 和表G.6 包含试 验信号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释。
注24:对于电平调整和/或试验，需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路，将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.7 和表 G.8 中。在此例中，因为试验信号发生器是控制回路的一部分， 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注25)。然而表 G.5 和表G.6 包含试 验信号发生器，这是提醒实验室，他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量，参见缩写词解释。
第2,819行： 第1,688行：




 
DD—— 夫耦装置和 AE 终端阻抗的合成不确定度。良好的去耦对 AE 终端阻抗影响较少，较差的 去耦会产生较大影响。这种影响量可以根据去耦单元的阻抗计算得到。
*DD-* 夫耦装置和 AE 终端阻抗的合成不确定度。良好的去耦对 AE 终端阻抗影响较少，较差的 去耦会产生较大影响。这种影响量可以根据去耦单元的阻抗计算得到。


G.4 计算出的测量不确定度表示及其应用
G.4 计算出的测量不确定度表示及其应用
第2,832行： 第1,700行：
用对数单位表示：
用对数单位表示：


U₀=129.5 dB(μV)±1.36 dB
U。=129.5 dB(μV)±1.36 dB


(CDN 注入法示例)
(CDN 注入法示例)
第2,850行： 第1,718行：




附 录 H
== 附 录 H ==


(资料性附录) AE 阻抗的测量
(资料性附录) AE 阻抗的测量


H.1 概述
=== H.1 概述 ===


附 录H 给出了当 AE 与 EUT 一 同使用时如何测量 AE 共模阻抗的 一 些资料。 EUT 试验的详细 布置在本部分的正文中描述。如果一个专用的AE 单 元 总 是 与EUT 一 同使用，则也应在试验中使用 它。在后一种情况下，AE 看 作 是EUT 的 一部分，并免除以下阻抗要求。
附 录H 给出了当 AE 与 EUT 一同使用时如何测量 AE 共模阻抗的 一 些资料。 EUT 试验的详细 布置在本部分的正文中描述。如果一个专用的AE 单 元 总 是 与EUT 一 同使用，则也应在试验中使用 它。在后一种情况下，AE 看 作 是EUT 的 一部分，并免除以下阻抗要求。


附 录 H 给出了测量 AE 阻抗的示例，并进一步提供了使AE 共模阻抗更接近于理想的150Ω阻抗 的指导。
附 录 H 给出了测量 AE 阻抗的示例，并进一步提供了使AE 共模阻抗更接近于理想的150Ω阻抗 的指导。


H.2 共模阻抗
=== H.2 共模阻抗 ===


H.2.1 阻抗要求
H.2.1 阻抗要求
第2,876行： 第1,744行：
| 24 MHz~80 MHz
| 24 MHz~80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
|- style="vertical-align:middle;"
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω±20Ω
| 150Ω<sup>+</sup>60Ω<sub>-</sub>45Ω
| 150 Ω=
|- style="vertical-align:middle;"
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="3" | 注：当按照7.7进行试验时，AE阻抗很可能低手表中的规定。关于钳座人时电流监视的更多信息请见7.7.
| colspan="3" | 注：当按照7.7进行试验时，AE阻抗很可能低手表中的规定。关于钳座人时电流监视的更多信息请见7.7.
第2,898行： 第1,766行：


通过加载 AE, 试验电平U。的分压比将发生变化，从而得出AE 阻抗，见图 H.1 。50Ω 电压表上读 到的电压限值见表 H.2。
通过加载 AE, 试验电平U。的分压比将发生变化，从而得出AE 阻抗，见图 H.1 。50Ω 电压表上读 到的电压限值见表 H.2。
GB/T 17626.6—2017/IEC 61000-4-6:2013


表 H.2 用于 AE 阻抗测量的导出分压比
表 H.2 用于 AE 阻抗测量的导出分压比
第2,911行： 第1,777行：
| 24 MHz～80 MHz
| 24 MHz～80 MHz
|-
|-
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z|
| 150 Ω±20 Ω
| 150 Ω±20 Ω
| 150 Ω<sup>+60 Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω±98 Ω
|-
|-
| style="vertical-align:middle;" | 理 论 值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)
| style="vertical-align:middle;" | 理 论 值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)
第2,931行： 第1,797行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图H.1 使用电压表阻抗测量框图.jpeg|400px]]
装有50Ω 负载的CDN
 
O
 
o
 
T2
 
1000
 
校准
 
电 阻
 
参考接地平板
 
502射频电压表 射频信号源
 
试验发生器
 
0.1m±0.05m 支 撑
 
到EUT
 
AE


图 H.1 使用电压表阻抗测量框图
图 H.1 使用电压表阻抗测量框图
第2,964行： 第1,805行：
AE 阻抗也可以用7 . 7中提到的电流监视探头进行测量。在这种情况下，AE 应并联 一 个合适的 CDN, 然后监视注人 CDN 的电流并与理想的150 QAE 阻抗电流相比较。
AE 阻抗也可以用7 . 7中提到的电流监视探头进行测量。在这种情况下，AE 应并联 一 个合适的 CDN, 然后监视注人 CDN 的电流并与理想的150 QAE 阻抗电流相比较。


使 用 图H.2 所示布置测量 AE 阻抗。应注意，在测量期间AE 应处于工作状态并连接电源及其AE (如果有)。由于 CDN 可能会影响 AE 和 EUT 之间功能信号的传输，信号电缆上的 AE 可能无法正常
使 用 图H.2 所示布置测量 AE 阻抗。应注意，在测量期间AE 应处于工作状态并连接电源及其AE (如果有)。由于 CDN 可能会影响 AE 和 EUT 之间功能信号的传输，信号电缆上的 AE 可能无法正常工作 。
 
工 作 。


通过加载 AE, 试验电平U 。的分压比将发生变化，从而得出AE 阻抗。50Ω电压表上读到的电压 限值见表 H.3 。 需注意，这些数据是假定电流探头具有理想变换系数0 dB(V/A) 时得到的。如果探头 的变换系数不是0 dB(V/A), 应使用实际的变换系数修正电压读数。
通过加载 AE, 试验电平U 。的分压比将发生变化，从而得出AE 阻抗。50Ω电压表上读到的电压 限值见表 H.3 。 需注意，这些数据是假定电流探头具有理想变换系数0 dB(V/A) 时得到的。如果探头 的变换系数不是0 dB(V/A), 应使用实际的变换系数修正电压读数。




第2,982行： 第1,820行：
| 24 MHz～80 MHz
| 24 MHz～80 MHz
|-
|-
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω=6
|-
|-
| style="vertical-align:middle;" | 理论值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)(假设探头变换系数为0 dB)
| style="vertical-align:middle;" | 理论值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)(假设探头变换系数为0 dB)
第3,001行： 第1,839行：
|}
|}


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图H . 2 使用电流探头测量阻抗.jpeg|400px]]
 
装有50Ω 负载的CDN
 
CDN
 
O
 
到EUT
 
9
 
T2
 
100Ω 校准 电阻
 
0.1m±0.05m 支撑
 
参考接地平板
 
射频信号源
 
试验发生器
 
50Q 射频电压表
 
电流监视探头
 
AE


图 H.2 使用电流探头测量阻抗
图 H.2 使用电流探头测量阻抗
第3,041行： 第1,851行：
——屏蔽电缆，屏蔽层连接到AE 的金属机壳(或其PCB 的接地平面);
——屏蔽电缆，屏蔽层连接到AE 的金属机壳(或其PCB 的接地平面);


—或非屏蔽电缆，但某些导线连接到或具有较高的容性耦合到金属机壳或 PCB 的接地平面。
——或非屏蔽电缆，但某些导线连接到或具有较高的容性耦合到金属机壳或 PCB 的接地平面。


以下建议适用于当 AE 使用金属机壳时建立150Ω阻抗：
以下建议适用于当 AE 使用金属机壳时建立150Ω阻抗：


— 通 过 1 5 0 Ω 电 阻 连 接 AE 金属机壳与参考地平面；
—— 通 过 1 5 0 Ω 电 阻 连 接 AE 金属机壳与参考地平面；


— 使用 一 个低电容(<100 pF) 电源隔离变压器为AE 提供电源。保护接地线不得直接连接到 大地。出于安全考虑，要使用大于280μH 的射频扼流圈。此程序也适用于直流供电(带有电
—— 使用 一 个低电容(<100 pF) 电源隔离变压器为AE 提供电源。保护接地线不得直接连接到 大地。出于安全考虑，要使用大于280μH 的射频扼流圈。此程序也适用于直流供电(带有电气隔离)或电池供电；
 
气隔离)或电池供电；


——使用尽可能少的外部电缆；
——使用尽可能少的外部电缆；


——将 AE 电缆收拢靠近 AE, 将 AE 置于300 mm 的绝缘材料上以减小与参考地平面的耦合； ——使用光纤信号转换器连接到其他 AE。
——将 AE 电缆收拢靠近 AE, 将 AE 置于300 mm 的绝缘材料上以减小与参考地平面的耦合； ——使用光纤信号转换器连接到其他 AE。
第3,066行： 第1,872行：




 
== 附 录 I ==
附 录 I


(资料性附录) 端口间注入
(资料性附录) 端口间注入


I.1 概述
=== I.1 概述 ===


经验表明，当一个端口被注入且另一个相同端口被端接时， 一些特定 EUT 会对射频信号更加敏 感。产品委员会可以决定用附录I 中描述的方法代替本部分正文中的试验程序。
经验表明，当一个端口被注入且另一个相同端口被端接时， 一些特定 EUT 会对射频信号更加敏 感。产品委员会可以决定用附录I 中描述的方法代替本部分正文中的试验程序。
第3,081行： 第1,886行：
相同端口可以是，但不限于：局域网(以太网等)、Pt100 温度传感器输入模拟输入/输出、数字输 入/输出、转速表计数器输入。
相同端口可以是，但不限于：局域网(以太网等)、Pt100 温度传感器输入模拟输入/输出、数字输 入/输出、转速表计数器输入。


I.2 相同端口注入的试验布置
=== I.2 相同端口注入的试验布置 ===


1.2.1 端口的选择
1.2.1 端口的选择
第3,102行： 第1,907行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图I.1 端口间注入试验布置的示例.jpeg|400px]]
 
 
CDN-M2
 
电源
 
C
 
CDN-T4 50Ω端接
 
EUT
 
0
 
电信类AE
 
CDN-T4
 
电信类AE
 
o
 
T2
 
绝缘支撑
 
h=0.1 m±0.05m
 
参考接地平板
 
射频信号源
 
试验发生器
 
以太网2
 
以太网1
 
电源


图1.1 端只间注入试验布置的示例
图1.1 端只间注入试验布置的示例




 
== 附 录 J ==
附 录 J


(资料性附录)
(资料性附录)
第3,153行： 第1,918行：
放大器的压缩和非线性
放大器的压缩和非线性


J.1 限制放大器失真的目的
=== J.1 限制放大器失真的目的 ===


放大器的非线性会增大施加给 EUT 的骚扰信号的不确定度。附录J 的目的是保持放大器的非线 性度足够低使其不会过多影响不确定度。附录J 可以帮助实验室了解和限制放大器的失真。
放大器的非线性会增大施加给 EUT 的骚扰信号的不确定度。附录J 的目的是保持放大器的非线 性度足够低使其不会过多影响不确定度。附录J 可以帮助实验室了解和限制放大器的失真。


J.2 谐波和饱和可能会引起的问题
=== J.2 谐波和饱和可能会引起的问题 ===


放大器运行在饱和状态可能会产生以下情况：
放大器运行在饱和状态可能会产生以下情况：


a) 由于功率计测量的总功率包括基波和谐波两部分，谐波可能显著地影响试验电平调整程序得 到的测量值。假设，在电磁钳的输入端，二次谐波和三次谐波都低于基波频率15 dB 且所有 其他谐波都可以忽略不计；进一步假设，实际的电磁钳系数在三次谐波处比基波频率处低
a) 由于功率计测量的总功率包括基波和谐波两部分，谐波可能显著地影响试验电平调整程序得 到的测量值。假设，在电磁钳的输入端，二次谐波和三次谐波都低于基波频率15 dB 且所有 其他谐波都可以忽略不计；进一步假设，实际的电磁钳系数在三次谐波处比基波频率处低5 dB;那么基波频率的电压电平将只比三次谐波的电压电平大10 dB 。如果测得的总幅值为10 V,基波频率可能仅有9.5 V 。当它小于电磁钳校准的不确定度时，这是可以接受的误差。 诸如频谱分析仪这样的选频设备则不会存在这些误差。
 
5 dB;那么基波频率的电压电平将只比三次谐波的电压电平大10 dB 。如果测得的总幅值为
 
10 V,基波频率可能仅有9.5 V 。当它小于电磁钳校准的不确定度时，这是可以接受的误差。 诸如频谱分析仪这样的选频设备则不会存在这些误差。


b) 如果 EUT 在预期的基波频率较稳定而在谐波频率不稳定，则谐波可能会引起 EUT 不合格， 如果错误的记录了此不合格，可能导致不正确的重新设计。
b) 如果 EUT 在预期的基波频率较稳定而在谐波频率不稳定，则谐波可能会引起 EUT 不合格， 如果错误的记录了此不合格，可能导致不正确的重新设计。
第3,175行： 第1,936行：
1) 如果在校准过程中发生这种情况，线性的假设将被用于6.4.2中所述的计算过程，从而获 得错误的校准数据。
1) 如果在校准过程中发生这种情况，线性的假设将被用于6.4.2中所述的计算过程，从而获 得错误的校准数据。


2) 在试验过程中，这种类型的饱和会导致不正确的调制指数和调制频率(通常为1 kHz)的谐波。 根据以上示例，显然无法得出放大器失真的定量限值，失真的影响很大程度上取决于EUT 试验的
2) 在试验过程中，这种类型的饱和会导致不正确的调制指数和调制频率(通常为1 kHz)的谐波。 根据以上示例，显然无法得出放大器失真的定量限值，失真的影响很大程度上取决于EUT 试验的类 型 。


类 型 。
=== J.3 骚扰信号中的谐波的限制 ===
 
J.3 骚扰信号中的谐波的限制


在放大器的输出端口通过使用一个可调节/跟踪/调谐的低通滤波器来限制骚扰信号中的谐波。
在放大器的输出端口通过使用一个可调节/跟踪/调谐的低通滤波器来限制骚扰信号中的谐波。
第3,187行： 第1,946行：
这样可以将骚扰电压电平的误差限制在10%内。例如，测得一个10 V 的宽带信号中的9 V 来 自 基波，4.5 V 来自谐波。对于校准不确定度这可能是可以接受的。
这样可以将骚扰电压电平的误差限制在10%内。例如，测得一个10 V 的宽带信号中的9 V 来 自 基波，4.5 V 来自谐波。对于校准不确定度这可能是可以接受的。


对于在输出端有一个固定的低通滤波器的放大器，基波频率的上限是放大器规定的最大频率的三
对于在输出端有一个固定的低通滤波器的放大器，基波频率的上限是放大器规定的最大频率的三分之一。
 
 
 
分之一。


在放大器饱和且低通滤波器抑制谐波的情况下，无论如何放大器的压缩点不应超过2 dB。( 例 如 ， 最差的频率，经调制的最大骚扰电压电平)。在2 dB 压缩点，其峰值幅度(电压)将减小20%。这将导 致调幅指数从80%下降到64%,即调整过的到EUT 的电压将减小20%。
在放大器饱和且低通滤波器抑制谐波的情况下，无论如何放大器的压缩点不应超过2 dB。( 例 如 ， 最差的频率，经调制的最大骚扰电压电平)。在2 dB 压缩点，其峰值幅度(电压)将减小20%。这将导 致调幅指数从80%下降到64%,即调整过的到EUT 的电压将减小20%。


J.4 线性特性对抗扰度试验的影响
=== J.4 线性特性对抗扰度试验的影响 ===


J.4.1 概述
J.4.1 概述
第3,229行： 第1,984行：
注：选择的其他频率点的适用性可以用放大器试验数据的评估来证明。
注：选择的其他频率点的适用性可以用放大器试验数据的评估来证明。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.1 放大器的线性测量的布置.jpeg|400px]]
 
衰减器
 
信号发生器 功率放大器
 
耦合装置
 
功率计
 
定向耦合器 T2
 
频谱分析仪


图 J.1 放大器的线性测量的布置
图 J.1 放大器的线性测量的布置
第3,249行： 第1,992行：
1) 由于设置了适当的耦合装置，应确定信号发生器设置以便产生最小和最大电平(见J.4.2.1)。
1) 由于设置了适当的耦合装置，应确定信号发生器设置以便产生最小和最大电平(见J.4.2.1)。


2)将信号发生器设置为步骤1)所确定的最小值，并记录信号发生器的输出和功率放大器的正向
2)将信号发生器设置为步骤1)所确定的最小值，并记录信号发生器的输出和功率放大器的正向功 率 。
 
功 率 。


3) 将信号发生器的设置提高1 dB, 并记录信号发生器的输出和放大器的正向功率。
3) 将信号发生器的设置提高1 dB, 并记录信号发生器的输出和放大器的正向功率。
第3,265行： 第2,006行：
如果按照J.4.2.2 所定义的程序测得的数据满足±1 dB 的规范，则实验室所使用的放大器是符合线 性度准则的。如果测得的数据超过了此线性度规范，则需进一步使用J.4.2.4和J4.2.5。
如果按照J.4.2.2 所定义的程序测得的数据满足±1 dB 的规范，则实验室所使用的放大器是符合线 性度准则的。如果测得的数据超过了此线性度规范，则需进一步使用J.4.2.4和J4.2.5。


图 J.2 给出了在单一频率基于放大器输出所定义的±1dB 允差的示例。此示例中信号发生器的输
图 J.2 给出了在单一频率基于放大器输出所定义的±1dB 允差的示例。此示例中信号发生器的输出在最小电平-30ABm 和最大电平0 dBm 之间变化。此示例中的放大器超出了允差。
 
出在最小电平-30ABm 和最大电平0 dBm 之间变化。此示例中的放大器超出了允差。
 
放大器输出电平/dBm
 
 
 
10-
 
5
 
 
 
-5
 
-10


—15—
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.2 线性特性.jpeg|400px]]
 
—20—
 
-2530 -25 -20 -10 -5 0
 
信号发生器输出电平/dBm


图 J.2 线性特性
图 J.2 线性特性
第3,299行： 第2,018行：
试验频率应是J.4.2.3 中确定的所有不符合的频率。
试验频率应是J.4.2.3 中确定的所有不符合的频率。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.3 调制深度的测量布置.jpeg|400px]]
 
衰减器
 
信号发生器 功率放大器 定向耦合器
 
耦合装置
 
频谱分析仪
 
正向功率


图 J.3 调制深度的测量布置
图 J.3 调制深度的测量布置
第3,319行： 第2,028行：
3)调整频谱分析仪，使载波频谱、上边带频谱和下边带频谱显示在屏幕上。例如，分辨率带宽= 100 Hz,跨度=10kHz。
3)调整频谱分析仪，使载波频谱、上边带频谱和下边带频谱显示在屏幕上。例如，分辨率带宽= 100 Hz,跨度=10kHz。


4) 记录载波电平 crie )与上或下边带电平(L sidcband)之间的幅度差( L。)。( 参见图J.4)L=
4) 记录载波电平 (Larier)与上或下边带电平(Lsidchad)之间的幅度差( L)。( 参见图J.4)L=Lcarier -Lsidehand。


*Lcarier -Lsidehand。*
当 L。大于10 dB[m(调制度)<64%]或L<6dB 时，试验报告中应包含此结果。


当 L。大于10 dB[m(调制度)<64%]或L.6dB 时，试验报告中应包含此结果。
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.4 AM 调制信号的频谱示意图.jpeg|400px]]
 
 
 
电压
 
*Les*
 
频率
 
L L


图 J.4 AM 调制信号的频谱示意图
图 J.4 AM 调制信号的频谱示意图
第3,346行： 第2,045行：


以上两种情况都应符合6.1中的要求。
以上两种情况都应符合6.1中的要求。




刘佳明
1,918

个编辑

取自“http://baike.jbufa.com//index.php?title=特殊:移动版差异/9627...11311”