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电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023：修订间差异

电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 (查看源代码)

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第130行： 第130行：
远场 far field
远场 far field


天线的磁场区域，其中体现能量传播的电磁场分量占支配地位，并且电磁场的角分布基本上与离天 线的距离无关。
天线的磁场区域，其中体现能量传播的电磁场分量占支配地位，并且电磁场的角分布基本上与离天线的距离无关。


注1:在远场区，电磁场分量的幅度与天线距离成反比。
注1:在远场区，电磁场分量的幅度与天线距离成反比。
第378行： 第378行：




a) 未调制RF 信号 b) 80%AM 的RF信号
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图1规定80%AM 试验信号和发生的波形.jpeg|400px]]
 
Um=1V
 
Uop=Um×√2×2=2.82 V


图 1 规 定 8 0 % AM 试验信号和发生的波形
图 1 规 定 8 0 % AM 试验信号和发生的波形
第408行： 第404行：
推荐下列类型的试验设备。
推荐下列类型的试验设备。


——电波暗室：具有合适的尺寸，能维持相对于EUT 来说具有足够空间的 UFA 。 另外可额外安
——电波暗室：具有合适的尺寸，能维持相对于EUT 来说具有足够空间的 UFA 。 另外可额外安装一些吸收材料可以减弱室内的反射。
 
装一些吸收材料可以减弱室内的反射。


——电磁干扰(EMI) 滤波器：应注意确保滤波器在连接线路上不致引起谐振效应。
——电磁干扰(EMI) 滤波器：应注意确保滤波器在连接线路上不致引起谐振效应。
第437行： 第431行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图2 典型的试验设施举例.jpeg|400px]]




第452行： 第446行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图3 电平设置布置.jpeg|400px]]
 
各向同性的场探头
 
均匀场域
 
暗室墙壁
 
可选的吸波材料， 用于半电波暗室中 减少地面反射
 
光缆经滤波的信号线
 
 
 
场发射天线


图3 电平设置布置
图3 电平设置布置
第472行： 第452行：
在没有EUT 的情况下执行均匀场电平设置(见图3)。在此过程中，确定UFA 内的场强与施加到 天线的正向功率之间的关系。在试验过程中，根据该关系和目标场强计算所需的正向功率。如果可证 明系统的线性，则实际试验场强ET 可不同于电平设置布置E₁ (见6.3.2或6.3.3和附录D) 。只要用于 试验的试验仪器的设置保持不变，该电平设置就是一直有效的。由于即使是很小的位移也会显著影响 电磁场，因此记录试验仪器(如天线、吸收器、线缆等)的位置非常重要，尤其是在高频情况下。
在没有EUT 的情况下执行均匀场电平设置(见图3)。在此过程中，确定UFA 内的场强与施加到 天线的正向功率之间的关系。在试验过程中，根据该关系和目标场强计算所需的正向功率。如果可证 明系统的线性，则实际试验场强ET 可不同于电平设置布置E₁ (见6.3.2或6.3.3和附录D) 。只要用于 试验的试验仪器的设置保持不变，该电平设置就是一直有效的。由于即使是很小的位移也会显著影响 电磁场，因此记录试验仪器(如天线、吸收器、线缆等)的位置非常重要，尤其是在高频情况下。


0.5m
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图4 16点均匀场域的尺寸.jpeg|400px]]
 
1.5 m
 
 
 
场传感器的位置
 
0.5m
 
(相同间隔距离)
 
均匀场域
 
1.5m
 
地板


图4 16点均匀场域的尺寸
图4 16点均匀场域的尺寸
第504行： 第468行：




第5个点在
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图5 最小UFA,第五个点在网格中心.jpeg|400px]]
 
UFA0.5m×0.5m
 
中心
 
0.5 m
 
0.5m×0.5m
 
0.5m


图 5 最小 UFA, 第五个点在网格中心
图 5 最小 UFA, 第五个点在网格中心
第574行： 第528行：
下述两种不同的电平设置方法，以1.5 m×1.5m 的 UFA 为例说明。这两种方法得出的场均匀性 和测试电平设置是相同的。
下述两种不同的电平设置方法，以1.5 m×1.5m 的 UFA 为例说明。这两种方法得出的场均匀性 和测试电平设置是相同的。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图6 试验布置.jpeg|400px]]


图 6 试验布置


天线 定向耦合器
6.3.2 恒定场强电平设置方法


测量仪器
均 匀 场 的 恒 定 场 强 法 应 为 ：
 
控制器，如PC 场强计
 
信号 发生器
 
功率 放大器
 
场强探头
 
电波暗室
 
定向耦合器和测量仪器可由放大器和天线之间的前置功率检测器或监视器代替。
 
图 6 试验布置
 
6.3.2 恒定场强电平设置方法
 
均 匀 场 的 恒 定 场 强 法 应 为 ：


——在每个特定频率上建立。特定的频率是通过使用8.4中描述的频率步骤来确定。 ——按照图示逐个建立 UFA 电平设置点(见图4)。
——在每个特定频率上建立。特定的频率是通过使用8.4中描述的频率步骤来确定。 ——按照图示逐个建立 UFA 电平设置点(见图4)。
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[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图7 具有离开试验区域线缆的台式EUT布置和线缆布局示例.jpeg|400px]]


场均匀域


1m 或更长的线缆暴露在场域
图 7 具有离开试验区域线缆的台式EUT 布置和线缆布局示例


非导电桌
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图8 EUT布置示例(俯视图).jpeg|400px]]


发射天线
图 8 EUT 布置示例(俯视图)


CMAD
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图8 EUT布置示例(俯视图)续.jpeg|400px]]


(如果使用)仅用于离开测试 布置的线缆，见7.3
图 8 EUT 布置示例(俯视图) (续)


可选吸波材料，用于半电波 暗室中减少地面反射
=== 7.3 落地式设备的布置 ===


落地式设备应安装在离地面0.05 m 或以上的非导电支撑物上，以防止 EUT 偶然接地和场的畸变。 支撑物最好是非导体，而不是金属结构上的绝缘涂层。


落地式设备的位置宜最大限度地扩大 EUT 在 UFA 内的面积。


图 7 具有离开试验区域线缆的台式EUT 布置和线缆布局示例
如果由于EUT 其重量较重或物理尺寸较大或安全原因，设备不能提高到 UFA 的高度或从其运输 支撑(例如，运输托盘)移走，这种变化应记录在试验报告中。如果EUT 延伸超过 UFA 下 边 缘 0.5m, 在 UFA 下边缘50%高度(所有0.5 m 水平分离的电平设定点)的电磁场大小都应被记录在电平


设定点记录中。这个高度的数据不考虑试验设施和试验等级的适用性。


注：可使用非导电的轮子作为支撑物。


CMAD(如果使用)放置在地板上
关于大型和重型 EUT 放置的指导见附录H。


UFA宽度
根据设备相关的安装说明连接设备的电源和信号线。


EUT
=== 7.4 线缆的布置 ===


发射天线方向
线缆应连接到EUT, 并按照制造商的安装说明书在试验场上进行布置，要求重现典型的和使用最 多的安装。


电缆2离开暴露区域布置
应使用制造商规定线缆的类型和连接器，如果对EUT 的进、出线没有规定，则应使用非屏蔽平衡 导线。


非导电桌高 (0.8±0.05)m
如果产品规范要求的接线长度小于或等于1m, 则应按照指定的长度进行试验。如果规定的长度 大于1m, 或没有规定，则应按照典型安装方法选择线缆长度。除非上面另有规定，否则线缆在垂直或 水平方向上暴露在电磁场中的长度应至少为1m 线缆。线缆差异导致无法按照标准布线(例如，不能 操纵的重型或刚性线缆)应在试验报告中说明。与 UFA 正交布线的线缆不利于接收场强信号，因 此，不被认为算是暴露在场内的线缆的组合长度。暴露于场的线缆布线宜尽可能贴近 UFA。


连接EUT 元件之间过长的线缆应以低感性方式在线的中心位置捆扎成一束线缆。线缆差异导致 无法按照标准布线(例如，不能操纵的重型或刚性线缆)应在试验报告中说明。


EUT 的每个面受辐射时，不需要将每根线缆暴露在场内。但每根线缆，至少在EUT 一个受试角 度上置于UFA 区域从而暴露于场内。不是有意暴露在场内的线缆(现有布置)应以一种减少其与电磁 场耦合的方式进行布线。可重新定位线缆在每个受辐射面的布线情况。对于带有大量连接线缆的 EUT, 或者典型安装方法限制了线缆这一部分线缆置于 UFA 区域内，宜尝试将连接线缆置于辐射 场内。


桌面电缆通道
关于线缆布置、线缆暴露于辐射场和 EUT 布置的建议实践指南，见附录G。


电缆1暴露在场域
如果产品委员会确定需要对多余的线缆长度进行去耦(例如，对离开试验区域的线缆),则采用的去 耦方法不应影响EUT 的运行。


转台
如果对线缆去耦，可使用CMAD 。CMAD 的阻抗和吸收特性见CISPR 16-1-4 。CMAD可用于降 低试验区域外线缆对辐射抗扰度试验结果的影响。如果使用CMAD, 离开试验区域的线缆应在到达地 面的位置进入CMAD, 如图7所示。 CMAD 应始终平放在地板上。每根要去耦的线缆都宜用一个单独 的 CMAD 处理。


CMAD(如果使用)放置在地板上
为了避免饱和，应考虑CMAD 的电流能力，特别是对于高共模电流电源线(如逆变器输出端口)。 如果使用CMAD, 则如下。


注1:当布置改变180°时，能照射线缆2。
——去耦可适用于任何类型的线缆(例如电力、电信和控制)。


a) 具有离开试验区域线缆的台式 EUT 布置和线缆布局示例(俯视图)
——对于最多有三根线缆离开试验区域的试验设置，每根线缆都宜用CMAD 去耦。


图 8 EUT 布置示例(俯视图)
——对于超过三根线缆离开试验区域的试验布置，电源线缆应优先使用CMAD(除非产品委员会 另有规定)。在此之后，剩余线缆的CMAD 宜放置在更敏感信号的线缆上。总共可使用多达 三个 CMAD 。使用CMAD 的线缆应记录在试验报告中。


桌面线缆通道
关于线缆布线和CMAD 的更多信息见附录G。


UFA宽度
=== 7.5 人体携带设备的布置 ===


发射天线方向
人体携带设备(见3.1.15)的试验方法与台式设备相同。然而，这可能涉及过测试或欠测试，因为在 电平设置和试验过程中没有考虑人体的特征。建议产品委员会规定使用一个有适当介质特性的人体模 拟器。


EUT
== 8 试验程序 ==


线缆2离开 暴露区域布置
=== 8.1 概述 ===


CMAD (如果使用)放置在
试验程序包括：


地板上
——试验电平、频率范围和试验调制方式；


线缆1离开暴露 区域布置
——实验室参考条件的验证，包括预检查产生的场强；


转台
——预确认设备的正确运行；


非导电桌高(0.8±0.05)m
—试验的实施；


注2:线缆和EUT 位置已调整到与UFA一致。
——试验结果的评定(见第9章)。


注3:在这个方向上，没有线缆被电磁场有意照射。
=== 8.2 实验室参考条件 ===


b) 相同EUT 的一种替代布置示例(EUT 旋转90°且线缆布局不同)(俯视图) 图 8 EUT 布置示例(俯视图) (续)
8.2.1 通则


=== 7.3 落地式设备的布置 ===
为了尽量减少环境参数对试验结果的影响，试验应在8.2.2和8.2.3规定的气候和电磁参考条件下 进行。


落地式设备应安装在离地面0.05 m 或以上的非导电支撑物上，以防止 EUT 偶然接地和场的畸变。 支撑物最好是非导体，而不是金属结构上的绝缘涂层。
8.2.2 气候条件


落地式设备的位置宜最大限度地扩大 EUT 在 UFA 内的面积。
除非通用标准或产品标准委员会另有规定，实验室的气候条件应在EUT 和试验设备运行规定的 任何限制范围内。


如果由于EUT 其重量较重或物理尺寸较大或安全原因，设备不能提高到 UFA 的高度或从其运输 支撑(例如，运输托盘)移走，这种变化应记录在试验报告中。如果EUT 延伸超过 UFA 下 边 缘 0.5m, 在 UFA 下边缘50%高度(所有0.5 m 水平分离的电平设定点)的电磁场大小都应被记录在电平
如认为有足够证据证明本文件所述现象的影响受气候条件的影响，则宜提醒负责本文件的委员会 注意。


设定点记录中。这个高度的数据不考虑试验设施和试验等级的适用性。
8.2.3 电磁环境


注：可使用非导电的轮子作为支撑物。
实验室的电磁条件应保证EUT 的正常运行，且不能影响试验结果。


关于大型和重型 EUT 放置的指导见附录H。
=== 8.3 试验的实施 ===


根据设备相关的安装说明连接设备的电源和信号线。
应按照试验计划进行试验，该计划应包含核查EUT 的运行是否符合技术指标要求。


=== 7.4 线缆的布置 ===
应在EUT 典型(通常)运行条件下进行试验。


线缆应连接到EUT, 并按照制造商的安装说明书在试验场上进行布置，要求重现典型的和使用最 多的安装。
试验计划宜包含下列内容：


应使用制造商规定线缆的类型和连接器，如果对EUT 的进、出线没有规定，则应使用非屏蔽平衡 导线。
—EUT 尺寸；


如果产品规范要求的接线长度小于或等于1m, 则应按照指定的长度进行试验。如果规定的长度 大于1m, 或没有规定，则应按照典型安装方法选择线缆长度。除非上面另有规定，否则线缆在垂直或 水平方向上暴露在电磁场中的长度应至少为1m 线缆。线缆差异导致无法按照标准布线(例如，不能 操纵的重型或刚性线缆)应在试验报告中说明。与 UFA 正交布线的线缆不利于接收场强信号，因 此，不被认为算是暴露在场内的线缆的组合长度。暴露于场的线缆布线宜尽可能贴近 UFA。
——EUT 典型运行条件；


连接EUT 元件之间过长的线缆应以低感性方式在线的中心位置捆扎成一束线缆。线缆差异导致 无法按照标准布线(例如，不能操纵的重型或刚性线缆)应在试验报告中说明。
——确定EUT 按台式、落地式，或是两者结合的方式进行试验；


EUT 的每个面受辐射时，不需要将每根线缆暴露在场内。但每根线缆，至少在EUT 一个受试角 度上置于UFA 区域从而暴露于场内。不是有意暴露在场内的线缆(现有布置)应以一种减少其与电磁 场耦合的方式进行布线。可重新定位线缆在每个受辐射面的布线情况。对于带有大量连接线缆的 EUT, 或者典型安装方法限制了线缆这一部分线缆置于 UFA 区域内，宜尝试将连接线缆置于辐射 场内。
———对落地式 EUT, 需确认EUT 高度；


关于线缆布置、线缆暴露于辐射场和 EUT 布置的建议实践指南，见附录G。
——所用试验设备的类型；


如果产品委员会确定需要对多余的线缆长度进行去耦(例如，对离开试验区域的线缆),则采用的去 耦方法不应影响EUT 的运行。
——扫频速率，驻留时间和频率步进；


如果对线缆去耦，可使用CMAD 。CMAD 的阻抗和吸收特性见CISPR 16-1-4 。CMAD可用于降 低试验区域外线缆对辐射抗扰度试验结果的影响。如果使用CMAD, 离开试验区域的线缆应在到达地 面的位置进入CMAD, 如图7所示。 CMAD 应始终平放在地板上。每根要去耦的线缆都宜用一个单独 的 CMAD 处理。
——均匀场域的尺寸和形状；


为了避免饱和，应考虑CMAD 的电流能力，特别是对于高共模电流电源线(如逆变器输出端口)。 如果使用CMAD, 则如下。
——是否使用部分照射方法；


——去耦可适用于任何类型的线缆(例如电力、电信和控制)。
——适用的试验等级和调制方式；


——对于最多有三根线缆离开试验区域的试验设置，每根线缆都宜用CMAD 去耦。
——所用互连线的类型与数量以及(EUT 的)接口；


——对于超过三根线缆离开试验区域的试验布置，电源线缆应优先使用CMAD(除非产品委员会 另有规定)。在此之后，剩余线缆的CMAD 宜放置在更敏感信号的线缆上。总共可使用多达 三个 CMAD 。使用CMAD 的线缆应记录在试验报告中。
———可接受的性能判据；


关于线缆布线和CMAD 的更多信息见附录G。
——EUT 运行方法的描述。


=== 7.5 人体携带设备的布置 ===
本章节中描述的试验步骤是为了第6章中规定的场强发生天线的使用。


人体携带设备(见3.1.15)的试验方法与台式设备相同。然而，这可能涉及过测试或欠测试，因为在 电平设置和试验过程中没有考虑人体的特征。建议产品委员会规定使用一个有适当介质特性的人体模 拟器。
由试验功率P₁ 导出的正向功率PT 宜作为确定试验场强的参考参数。请见6.3.2或6.3.3的注2。


== 8 试验程序 ==
试验前，应确认试验设备/系统运行正常。这可通过在一个或多个频率上测量UFA 内一个或多个 点的场强来实现。


=== 8.1 概述 ===
EUT 最初放置的一面与UFA 平面重合。被照射的EUT 面应包含在UFA 中，除非应用了部分照 射。关于电磁场电平设置和部分照射的使用，见6.3。


试验程序包括：
扫频过程中的信号应使用5.1中定义的调制信号，当需要时，可暂停扫描以调整射频信号电平或振 荡器波段开关和天线。扫频过程中频率逐步增加，步长不超过前一频率的1%。


——试验电平、频率范围和试验调制方式；
调制载波在每个频率上的驻留时间不应少于EUT 动作和响应所需的时间，但在任何情况下均不 应少于0.5 s。


——实验室参考条件的验证，包括预检查产生的场强；


——预确认设备的正确运行；


—试验的实施；
注 1:在每个频点，当试验条件稳定时，驻留时间开始。


——试验结果的评定(见第9章)。
为了减少试验时间，在一个驻留时间内可同时施加多个频率(多个信号试验),前提是在聚合信号上 满足6.3.2步骤5)或6.3.3步骤7)的线性要求。在每一个信号频率上，试验电平应为每次试验的电平设 置程序产生的电平。同样的调制同时应用于每个信号。互调信号应像谐波一样处理，并进行检查，以确 保它们不会造成显著影响(见关于调制效应的附录I 和关于试验结果评估的第9条)。


=== 8.2 实验室参考条件 ===
发射天线应对EUT 的四个侧面逐一进行试验。当 EUT 能以不同方向(如垂直或水平)放置使用 时，各个侧面均应试验。经过技术论证，试验时一些 EUT 可采用较少面面向发射天线。在其他情况 下，例如依据EUT 类型和尺寸或试验频率，可能需要照射至少4个方位。


8.2.1 通则
注2:随着 EUT电尺寸的增长，其天线方向图的复杂性也会增加。天线方向图的复杂性会影响确定最低抗扰度必 要的试验方向的数量。


为了尽量减少环境参数对试验结果的影响，试验应在8.2.2和8.2.3规定的气候和电磁参考条件下 进行。
需在发射天线的两种极化状态下对EUT 的每一侧面进行试验， 一次在天线垂直极化位置，另一次 在天线水平极化位置。


8.2.2 气候条件
在试验过程中应尝试使EUT 充分运行，并在所有选定的敏感运行模式下进行抗扰度试验。推荐 使用特定的运行程序。


除非通用标准或产品标准委员会另有规定，实验室的气候条件应在EUT 和试验设备运行规定的 任何限制范围内。
=== 8.4 步进 ===


如认为有足够证据证明本文件所述现象的影响受气候条件的影响，则宜提醒负责本文件的委员会 注意。
当频率范围是增量扫频时，扫频过程中的信号应使用5.1中定义的调制信号，当需要时，可暂停扫 描以调整射频信号电平或振荡器波段开关和天线。扫频过程中频率逐步增加，步进不超过前一频率的 1%。这个最大步进既适用于6.3.2、6.3.3的电平设置程序，也适用于8.3中的试验。


8.2.3 电磁环境
== 9 试验结果的评定 ==


实验室的电磁条件应保证EUT 的正常运行，且不能影响试验结果。
试验结果应按EUT 的功能丧失或性能降级进行分类。这些分类与制造商、试验申请者规定的，或 者制造商与用户之间商定的性能等级有关。推荐的分类如下：


=== 8.3 试验的实施 ===
a) 在制造厂或委托方或用户规定的技术规范限值内性能正常；


应按照试验计划进行试验，该计划应包含核查EUT 的运行是否符合技术指标要求。
b) 功能暂时丧失或性能暂时降低，但在干扰停止后EUT 能自行恢复，无须操作者干预；


应在EUT 典型(通常)运行条件下进行试验。
c) 功能暂时丧失或性能暂时降低，但需操作者干预才能恢复正常；


试验计划宜包含下列内容：
d) 因硬件或软件损坏，或数据丢失而造成不能自行恢复至正常状态的功能丧失或性能降低。 试验结果的评估判定应基于EUT 在驻留时间内的性能。


—EUT 尺寸；
EUT 性能评价宜以单个信号的影响系为基础。如果在试验过程中使用了多信号试验，宜确保任何 记录的性能下降是由单个试验信号造成的，而不是由多个试验信号的组合造成的。该分类方法可作为 产品委员会制定通用、产品或产品类标准性能判据的指南，或作为制造商与用户之间协商的性能判据的 框架，例如在没有合适的通用、产品或产品类标准时。


——EUT 典型运行条件；
== 10 试验报告 ==


——确定EUT 按台式、落地式，或是两者结合的方式进行试验；
试验报告应包含能重现试验的全部信息，尤其是下列内容：


———对落地式 EUT, 需确认EUT 高度；
——本文件第8章要求的试验计划中规定的内容；


——所用试验设备的类型；
——EUT 和 AE 的标识，如商标名称、产品型号和序列号；


——扫频速率，驻留时间和频率步进；
———试验设备标识，如商标名称、产品型号和序列号；


——均匀场域的尺寸和形状；
——任何进行试验所需的特殊环境条件；


——是否使用部分照射方法；
——进行试验所必需的任何特定条件；


——适用的试验等级和调制方式；
——制造商、委托方或用户规定的性能等级；


——所用互连线的类型与数量以及(EUT 的)接口；
——在通用、产品或产品类标准中规定的性能指标；


———可接受的性能判据；
——在试验过程中或试验后，观察到的对 EUT 的影响及持续时间；


——EUT 运行方法的描述。
——试验通过/不通过的判定理由(根据通用、产品或产品类标准规定的性能判据或制造商与用户


本章节中描述的试验步骤是为了第6章中规定的场强发生天线的使用。
达成的协议);


由试验功率P₁ 导出的正向功率PT 宜作为确定试验场强的参考参数。请见6.3.2或6.3.3的注2。
——采用的任何特殊条件，如线缆长度、类型，屏蔽或接地状况，EUT 的运行条件，均要符合规定


试验前，应确认试验设备/系统运行正常。这可通过在一个或多个频率上测量UFA 内一个或多个 点的场强来实现。
要 求 ；


EUT 最初放置的一面与UFA 平面重合。被照射的EUT 面应包含在UFA 中，除非应用了部分照 射。关于电磁场电平设置和部分照射的使用，见6.3。
——与 UFA 的尺寸和位置有关的 EUT 位置的任何额外信息；


扫频过程中的信号应使用5.1中定义的调制信号，当需要时，可暂停扫描以调整射频信号电平或振 荡器波段开关和天线。扫频过程中频率逐步增加，步长不超过前一频率的1%。
——6.3.1要求的任何与UFA 容差相关的附加信息；


调制载波在每个频率上的驻留时间不应少于EUT 动作和响应所需的时间，但在任何情况下均不 应少于0.5 s。
——线缆和设备位置和方向的描述和/或图片； ——任何偏离本文件的内容。


== 附 录 A ==


(资料性)


注 1:在每个频点，当试验条件稳定时，驻留时间开始。
保护(设备)抵抗数字无线电话射频辐射的试验调制方式的选择原理


为了减少试验时间，在一个驻留时间内可同时施加多个频率(多个信号试验),前提是在聚合信号上 满足6.3.2步骤5)或6.3.3步骤7)的线性要求。在每一个信号频率上，试验电平应为每次试验的电平设 置程序产生的电平。同样的调制同时应用于每个信号。互调信号应像谐波一样处理，并进行检查，以确 保它们不会造成显著影响(见关于调制效应的附录I 和关于试验结果评估的第9条)。
A.1 可选调制方式综述


发射天线应对EUT 的四个侧面逐一进行试验。当 EUT 能以不同方向(如垂直或水平)放置使用 时，各个侧面均应试验。经过技术论证，试验时一些 EUT 可采用较少面面向发射天线。在其他情况 下，例如依据EUT 类型和尺寸或试验频率，可能需要照射至少4个方位。
本文件制定时主要考虑以下调制方式：


注2:随着 EUT电尺寸的增长，其天线方向图的复杂性也会增加。天线方向图的复杂性会影响确定最低抗扰度必 要的试验方向的数量。
——正弦波幅度调制，1kHz,80%AM。


需在发射天线的两种极化状态下对EUT 的每一侧面进行试验， 一次在天线垂直极化位置，另一次 在天线水平极化位置。
——方波幅度调制，200 Hz, 占空比1:2,100% AM。


在试验过程中应尝试使EUT 充分运行，并在所有选定的敏感运行模式下进行抗扰度试验。推荐 使用特定的运行程序。
——近似模拟各种系统特性的脉冲射频信号，如对于GSM 的，在200 Hz 占空比为1:8的脉冲射 频信号；对于 DECT 便携设备的，在100 Hz 占 空 比 1 : 2 4 的 脉 冲 射 频 信 号 等 (GSM 和 DECT 的定义见附录 I)。


=== 8.4 步进 ===
——精确模拟各种系统的脉冲射频信号，例如对于GSM, 在200 Hz 占空比1:8的叠加次生效应 如断续发射模式(2 Hz 调制频率)和复帧效应(8 Hz 频率分量)。


当频率范围是增量扫频时，扫频过程中的信号应使用5.1中定义的调制信号，当需要时，可暂停扫 描以调整射频信号电平或振荡器波段开关和天线。扫频过程中频率逐步增加，步进不超过前一频率的 1%。这个最大步进既适用于6.3.2、6.3.3的电平设置程序，也适用于8.3中的试验。
——用于广播和无线电通信的OFDM 信号。


== 9 试验结果的评定 ==
各系统的优缺点见表A.1。


试验结果应按EUT 的功能丧失或性能降级进行分类。这些分类与制造商、试验申请者规定的，或 者制造商与用户之间商定的性能等级有关。推荐的分类如下：
表 A.1 调制方式比较(GSM 和 DECT 的定义见附录 G)


a) 在制造厂或委托方或用户规定的技术规范限值内性能正常；
{| class="wikitable"


b) 功能暂时丧失或性能暂时降低，但在干扰停止后EUT 能自行恢复，无须操作者干预；
|-
! 调制方式 !! 优点 !! 缺点


c) 功能暂时丧失或性能暂时降低，但需操作者干预才能恢复正常；
|-
| 正弦波AM ||
1.实验表明，若最大RMS电平相同，在不同类型的非恒定包络调制模式的干扰效应方面可建立良好的相关性。<br/>
2.不必规定(或测量)TDMA脉冲的上升时间。<br/>
3.在本文件及IEC 61000-4-6中采用。<br/>
4.场容易产生且监测的仪器容易获得。<br/>
5.对模拟的无线电设备，EUT中的解调会产生可用窄带电平表测量的音频响应，因而减少了背景噪声。<br/>
6.在较低频率时，已经表明能有效模拟其他型式的调制模式(如FM,相位调制，脉冲调制)
||
1.不能模拟TDMA。<br/>
2.对于二次方律接收机，则试验略为严酷。<br/>
3.可能遗漏某些失效机理


d) 因硬件或软件损坏，或数据丢失而造成不能自行恢复至正常状态的功能丧失或性能降低。 试验结果的评估判定应基于EUT 在驻留时间内的性能。
|-
 
| 方波AM ||
EUT 性能评价宜以单个信号的影响系为基础。如果在试验过程中使用了多信号试验，宜确保任何 记录的性能下降是由单个试验信号造成的，而不是由多个试验信号的组合造成的。该分类方法可作为 产品委员会制定通用、产品或产品类标准性能判据的指南，或作为制造商与用户之间协商的性能判据的 框架，例如在没有合适的通用、产品或产品类标准时。
1.类似于TDMA。<br/>
2.能普遍使用。<br/>
3.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较大速率变化较敏感)
||
1.不能精确模拟TDMA。<br/>
2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。<br/>
3.需规定上升时间


== 10 试验报告 ==
|-
| RF脉冲 ||
1.能很好模拟TDMA。<br/>
2.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较大速率变化较敏感)
||
1.为匹配不同系统(如GSM、DECT等),需改变调制细节。<br/>
2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。<br/>
3.需规定上升时间


试验报告应包含能重现试验的全部信息，尤其是下列内容：
|-
| OFDM ||
1.数字调制的良好表现。<br/>
2.可能暴露“未知”失效机制(对射频包络的较大速率变化率敏感)
||
1.为匹配不同的无线电服务(如LTE、DAB、DVB—T),需要改变OFDM参数的细节


——本文件第8章要求的试验计划中规定的内容；
|}


——EUT 和 AE 的标识，如商标名称、产品型号和序列号；
A.2 试验结果


———试验设备标识，如商标名称、产品型号和序列号；
为评定骚扰信号所用调制方法与所产生干扰的相关性，进行了一系列的试验。 调制方式方面的研究结果如下：


——任何进行试验所需的特殊环境条件；
a) 1kHz80%AM 的正弦波；


——进行试验所必需的任何特定条件；
b) 类 似GSM 的 RF 脉冲，200 Hz, 占空比1:8;


——制造商、委托方或用户规定的性能等级；
c) 类 似DECT 的 RF 脉冲，100 Hz, 占空比1:2(基站);


——在通用、产品或产品类标准中规定的性能指标；
d) 类 似DECT 的 RF 脉冲，100 Hz, 占空比(1:24便携设备)。 对每种场合，仅使用一种类似DECT 的调制。


——在试验过程中或试验后，观察到的对 EUT 的影响及持续时间；
试验结果汇总于表 A.2 与表 A.3。


——试验通过/不通过的判定理由(根据通用、产品或产品类标准规定的性能判据或制造商与用户
表 A.2 相对干扰电平<sup>a</sup>


达成的协议);
{| class="wikitable"  
 
|- style="vertical-align:middle;"
——采用的任何特殊条件，如线缆长度、类型，屏蔽或接地状况，EUT 的运行条件，均要符合规定
! colspan="2" | 调制方式<sup>b</sup>
 
! rowspan="2" | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB
要 求 ；
! rowspan="2" | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,占空比1:8 dB
 
! rowspan="2" | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,占空比1:24 dB
——与 UFA 的尺寸和位置有关的 EUT 位置的任何额外信息；
|- style="vertical-align:middle;"
 
| 设备
——6.3.1要求的任何与UFA 容差相关的附加信息；
| 音频响应
 
|- style="vertical-align:middle;"
——线缆和设备位置和方向的描述和/或图片； ——任何偏离本文件的内容。
| rowspan="2" | 助听器<sup>c</sup>
 
附 录 A
 
(资料性)
 
保护(设备)抵抗数字无线电话射频辐射的试验调制方式的选择原理
 
A.1 可选调制方式综述
 
本文件制定时主要考虑以下调制方式：
 
——正弦波幅度调制，1kHz,80%AM。
 
——方波幅度调制，200 Hz, 占空比1:2,100% AM。
 
——近似模拟各种系统特性的脉冲射频信号，如对于GSM 的，在200 Hz 占空比为1:8的脉冲射 频信号；对于 DECT 便携设备的，在100 Hz 占 空 比 1 : 2 4 的 脉 冲 射 频 信 号 等 (GSM 和 DECT 的定义见附录 I)。
 
——精确模拟各种系统的脉冲射频信号，例如对于GSM, 在200 Hz 占空比1:8的叠加次生效应 如断续发射模式(2 Hz 调制频率)和复帧效应(8 Hz 频率分量)。
 
——用于广播和无线电通信的OFDM 信号。
 
各系统的优缺点见表A.1。
 
表 A.1 调制方式比较(GSM 和 DECT 的定义见附录 G)
 
{| class="wikitable"
 
|-
! 调制方式 !! 优点 !! 缺点
 
|-
| 正弦波AM ||
1.实验表明，若最大RMS电平相同，在不同类型的非恒定包络调制模式的干扰效应方面可建立良好的相关性。<br/>
2.不必规定(或测量)TDMA脉冲的上升时间。<br/>
3.在本文件及IEC 61000-4-6中采用。<br/>
4.场容易产生且监测的仪器容易获得。<br/>
5.对模拟的无线电设备，EUT中的解调会产生可用窄带电平表测量的音频响应，因而减少了背景噪声。<br/>
6.在较低频率时，已经表明能有效模拟其他型式的调制模式(如FM,相位调制，脉冲调制)
||
1.不能模拟TDMA。<br/>
2.对于二次方律接收机，则试验略为严酷。<br/>
3.可能遗漏某些失效机理
 
|-
| 方波AM ||
1.类似于TDMA。<br/>
2.能普遍使用。<br/>
3.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较大速率变化较敏感)
||
1.不能精确模拟TDMA。<br/>
2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。<br/>
3.需规定上升时间
 
|-
| RF脉冲 ||
1.能很好模拟TDMA。<br/>
2.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较大速率变化较敏感)
||
1.为匹配不同系统(如GSM、DECT等),需改变调制细节。<br/>
2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。<br/>
3.需规定上升时间
 
|-
| OFDM ||
1.数字调制的良好表现。<br/>
2.可能暴露“未知”失效机制(对射频包络的较大速率变化率敏感)
||
1.为匹配不同的无线电服务(如LTE、DAB、DVB—T),需要改变OFDM参数的细节
 
|}
 
A.2 试验结果
 
为评定骚扰信号所用调制方法与所产生干扰的相关性，进行了一系列的试验。 调制方式方面的研究结果如下：
 
a) 1kHz80%AM 的正弦波；
 
b) 类 似GSM 的 RF 脉冲，200 Hz, 占空比1:8;
 
c) 类 似DECT 的 RF 脉冲，100 Hz, 占空比1:2(基站);
 
d) 类 似DECT 的 RF 脉冲，100 Hz, 占空比(1:24便携设备)。 对每种场合，仅使用一种类似DECT 的调制。
 
试验结果汇总于表 A.2 与表 A.3。
 
表 A.2 相对干扰电平<sup>a</sup>
 
{| class="wikitable"  
|- style="vertical-align:middle;"
! colspan="2" | 调制方式<sup>b</sup>
! rowspan="2" | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB
! rowspan="2" | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,占空比1:8 dB
! rowspan="2" | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,占空比1:24 dB
|- style="vertical-align:middle;"
| 设备
| 音频响应
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 助听器<sup>c</sup>
| 未加权的 21 Hz～21 kHz
| 未加权的 21 Hz～21 kHz
| 0<sup>d</sup>
| 0<sup>d</sup>
第1,241行： 第1,117行：
基于上述因素，本文件规定的调制方式为80%正弦波AM 调制。建议有关产品标准化委员会仅在 特殊原因要求不同调制方式时才改变为其他调制方式。
基于上述因素，本文件规定的调制方式为80%正弦波AM 调制。建议有关产品标准化委员会仅在 特殊原因要求不同调制方式时才改变为其他调制方式。


附 录 B
== 附 录 B ==


(资料性)
(资料性)
第1,273行： 第1,149行：
注：高增益天线通常具有较小的波束宽度。
注：高增益天线通常具有较小的波束宽度。


附 录 C
== 附 录 C ==


(资料性)
(资料性)
第1,303行： 第1,179行：
在频率高于1GHz 时，铁氧体磁片可能呈反射而不是吸收功能。由于暗室内表面的多重反射(见 图 C.1), 很难在这样的频率下建立一个1.5m×1.5 m 区域的均匀场。
在频率高于1GHz 时，铁氧体磁片可能呈反射而不是吸收功能。由于暗室内表面的多重反射(见 图 C.1), 很难在这样的频率下建立一个1.5m×1.5 m 区域的均匀场。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图C.1小暗室里的多重反射.jpeg|400px]]


图 C.1 小暗室里的多重反射
图 C.1 小暗室里的多重反射
第1,323行： 第1,199行：
遵循上述程序将消除大部分反射波(见图C.2)。
遵循上述程序将消除大部分反射波(见图C.2)。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图C.2大部分反射波被消除(适用于顶视图和侧视图).jpeg|400px]]
 
后墙


图 C.2 大部分反射波被消除(适用于顶视图和侧视图)
图 C.2 大部分反射波被消除(适用于顶视图和侧视图)


附 录 D
== 附 录 D ==


(资料性)
(资料性)
第1,395行： 第1,269行：
至少宜在放大器频率范围内的低、中、高频率下评估放大器的线性度。但是，根据放大器的频率响 应和压缩特性，可能需要对压缩特性进行更详细的分析。作为最低要求，频率范围为80 MHz~1 GHz 的放大器宜在80 MHz 、500 MHz 和1 GHz 下进行评估。如果放大器的频率范围分为几个频带，则宜 对每个频带进行评估。
至少宜在放大器频率范围内的低、中、高频率下评估放大器的线性度。但是，根据放大器的频率响 应和压缩特性，可能需要对压缩特性进行更详细的分析。作为最低要求，频率范围为80 MHz~1 GHz 的放大器宜在80 MHz 、500 MHz 和1 GHz 下进行评估。如果放大器的频率范围分为几个频带，则宜 对每个频带进行评估。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图D.1 放大器线性度试验布置.jpeg|400px]]
 
电波暗室
 
定向耦合器
 
正向功率 发射天线
 
信号发生器 功率放大器
 
功率计


图 D.1 放大器线性度试验布置
图 D.1 放大器线性度试验布置
第1,427行： 第1,291行：
如 果 数 据 不 符 合 线 性 判 据 ， 则 采 用D.4.2.4。
如 果 数 据 不 符 合 线 性 判 据 ， 则 采 用D.4.2.4。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图D.2 线性曲线示例.jpeg|400px]]
 
放大器检出电平/dBm
 
 
 
线性特性
 
55
 
— 在1000 MHz
 
50
 
45
 
40
 
35
 
30
 
25
 
20
 
-15 -10 -5 0
 
- - - 容 差
 
- - + 容 差
 
-25 -20
 
-30
 
信号发生器输出电平/dBm


图 D.2 线性曲线示例
图 D.2 线性曲线示例


增益误差/dBm
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图D.3 增益偏差示例.jpeg|400px]]
 
 
 
— 在1000 MHz
 
- - 一 容 差
 
- - + 容 差
 
4
 
3
 
1
 
0
 
-1
 
-3
 
-4
 
-5
 
-30 -25 -20
 
信号发生器输出电平/dBm
 
-15 -10
 
-5
 
o
 
5


图 D.3 增益偏差示例
图 D.3 增益偏差示例
第1,521行： 第1,313行：




附 录 E
== 附 录 E ==


( 资 料 性 )
( 资 料 性 )
第1,573行： 第1,365行：
E.3 无线电话射频辐射防护相关的试验等级
E.3 无线电话射频辐射防护相关的试验等级


宜按预期的电磁场选择试验等级，要考虑无线电设备的功率以及发射天线和 EUT 之 间 的 大 致 距 离。通常，对移动设备的要求要比对基站的要求更严酷(由于移动设备常常比基站更靠近潜在的敏感设
宜按预期的电磁场选择试验等级，要考虑无线电设备的功率以及发射天线和 EUT 之 间 的 大 致 距 离。通常，对移动设备的要求要比对基站的要求更严酷(由于移动设备常常比基站更靠近潜在的敏感设备)。
 
 
 
备)。


在选择所采用的试验等级时宜考虑到失效所造成的后果以及抗扰度试验所需的费用。失效后果严 重，才选择较高的等级。
在选择所采用的试验等级时宜考虑到失效所造成的后果以及抗扰度试验所需的费用。失效后果严 重，才选择较高的等级。
第1,675行： 第1,463行：




附 录 F
== 附 录 F ==


(资料性)
(资料性)
第1,717行： 第1,505行：
IEC 61000-4-21适用于要在非常高的场强下进行试验的复杂大型 EUT 。 试验是在混响试验室中 进行的，该室利用来自室的反射作为试验方法的一部分。试验使用的统计方法与本文中采用的确定性 方法完全不同。该方法的可用频率范围受试验设施的大小和属性限制。
IEC 61000-4-21适用于要在非常高的场强下进行试验的复杂大型 EUT 。 试验是在混响试验室中 进行的，该室利用来自室的反射作为试验方法的一部分。试验使用的统计方法与本文中采用的确定性 方法完全不同。该方法的可用频率范围受试验设施的大小和属性限制。


附 录 G
== 附 录 G ==


(资料性)
(资料性)
第1,747行： 第1,535行：




附 录 H
== 附 录 H ==


( 资 料 性 )
( 资 料 性 )
第1,757行： 第1,545行：
图 H.1 为 底 部 带 有 信 号 和 电 源 馈 电 线 缆 EUT 的 试 验 布 置 示 例 图 。EUT 宜放置在厚度为0 . 05 m 或 以 上 的 绝 缘 托 盘 或 其 他 绝 缘 支 架 上 ， 也 可 使 用 大 型 和 重 型 EUT 上 常 见 的 非 导 电 滚 轮 替 代 。 大 型 EUT 线缆通常非常粗且坚硬，难以弯曲，由于这类线缆不是为地面布线而设计的，因此实际布线时会遇 到很大的困难。在实际安装中，这些线缆被屏蔽在 EUT 外 壳 下 ， 直 接 进 入 地 下 。 由 于 其 实 际 安 装 的 性 质，这些地下线缆不需要暴露在电磁场中。
图 H.1 为 底 部 带 有 信 号 和 电 源 馈 电 线 缆 EUT 的 试 验 布 置 示 例 图 。EUT 宜放置在厚度为0 . 05 m 或 以 上 的 绝 缘 托 盘 或 其 他 绝 缘 支 架 上 ， 也 可 使 用 大 型 和 重 型 EUT 上 常 见 的 非 导 电 滚 轮 替 代 。 大 型 EUT 线缆通常非常粗且坚硬，难以弯曲，由于这类线缆不是为地面布线而设计的，因此实际布线时会遇 到很大的困难。在实际安装中，这些线缆被屏蔽在 EUT 外 壳 下 ， 直 接 进 入 地 下 。 由 于 其 实 际 安 装 的 性 质，这些地下线缆不需要暴露在电磁场中。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图H.1 带有底部线缆的EUT试验布置示例图(未标出CMAD）.jpeg|400px]]
 
暗室墙壁
 
测试暗室的穿线孔， 并且为转台中心
 
UFA
 
EUT
 
连接辅助设备的信号线 (连接处位于EUT内部)
 
绝缘支架/托盘
 
地下电源线缆
 
(相线端子位于EUT内部)
 
用于减少地面反射的吸波
 
材料(可选)
 
场发射天线
 
门 围


图 H.1 带 有 底 部 线 缆 的 EUT 试 验 布 置 示 例 图 ( 未 标 出 CMAD)
图 H.1 带 有 底 部 线 缆 的 EUT 试 验 布 置 示 例 图 ( 未 标 出 CMAD)
第1,791行： 第1,555行：
如果 EUT 太大，无法完全装入 UFA 窗口，那么每次沿 EUT 进行试验后，宜移动单个 UFA 窗 口，使 EUT (包括架空线缆)能够完整的被 UFA 覆盖。
如果 EUT 太大，无法完全装入 UFA 窗口，那么每次沿 EUT 进行试验后，宜移动单个 UFA 窗 口，使 EUT (包括架空线缆)能够完整的被 UFA 覆盖。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图 H.2带有架空线缆的 EUT试验布置示例图.jpeg|400px]]
 
暗室墙壁
 
UFA 非导电支撑物
 
 
绝缘支撑物/托盘
 
CMAD
 
电源线缆
 
连接AE 的信号线
 
用于减少地面反射的吸波材料(可选)
 
场发射天线
 
注1:UFA 与带线缆的EUT 的尺寸匹配。
 
注2:电源线缆过粗，无法使用CMAD。


图 H.2 带有架空线缆的 EUT 试验布置示例图
图 H.2 带有架空线缆的 EUT 试验布置示例图
第1,822行： 第1,565行：
图 H.3 为带有多根信号和电源线缆及AE EUT的试验布置示例图，这类产品，例如落地式的多功 能打印机，通常包含多个 AE 之间的几种不同长度和类型的线缆。只有足够长的线缆才能以不低于 1m 的长度暴露在水平或垂直极化的电磁场中，但如果EUT 和 AE 之间的线缆较短且长度固定，则可 能无法按照本文件要求将线缆暴露在场中。这种情况下，宜当按照用户手册进行摆放。如果没有特别 规定，长线缆宜如图3所示排列，使用非导电支撑，以实现垂直和/或水平暴露。如果可能的话，连接 EUT 装置的多余长度的线缆宜在线的中心捆扎成低感性线束。
图 H.3 为带有多根信号和电源线缆及AE EUT的试验布置示例图，这类产品，例如落地式的多功 能打印机，通常包含多个 AE 之间的几种不同长度和类型的线缆。只有足够长的线缆才能以不低于 1m 的长度暴露在水平或垂直极化的电磁场中，但如果EUT 和 AE 之间的线缆较短且长度固定，则可 能无法按照本文件要求将线缆暴露在场中。这种情况下，宜当按照用户手册进行摆放。如果没有特别 规定，长线缆宜如图3所示排列，使用非导电支撑，以实现垂直和/或水平暴露。如果可能的话，连接 EUT 装置的多余长度的线缆宜在线的中心捆扎成低感性线束。


暗室墙壁
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图H.3 带有多根线缆及AEEUT的试验布置示例图.jpeg|400px]]
 
UFA
 
连接AE的
 
信号线 EUT/AE
 
非导电支撑物 (水平暴露1m)
 
 
 
连接辅助设备的信号线
 
测试暗室的穿线孔，
 
并且为转台中心 CMAD
 
EUT
 
EUT/AE
 
 
 
 
 
 
 
连接AE 的信号线
 
电源线缆
 
非导电支撑物 (垂直暴露1m)
 
绝缘支撑物/轮子
 
用于减少地面反射的吸波
 
材料(可选)
 
场发射天线
 
注：电源线缆过粗，无法使用CMAD。


图H.3 带有多根线缆及 AE EUT的试验布置示例图
图H.3 带有多根线缆及 AE EUT的试验布置示例图
第1,878行： 第1,579行：
注：对多个 UFA 窗口的情况，见6 . 3 . 1中给出的测试方法。
注：对多个 UFA 窗口的情况，见6 . 3 . 1中给出的测试方法。


60
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图H.4 带有侧馈线缆并需要多个UFA 窗口的大型设备试验布置示例图.jpeg|400px]]
 
 
 
暗室墙壁
 
测试暗室的穿线孔，
 
并且为转台中心
 
EUT
 
日
 
侧馈母线电源端子
 
CMAD
 
用于减少地面反射的吸波 材料(可选)
 
场发射天线
 
连接AE的 信号线
 
绝缘支撑物/盘


图 H.4 带有侧馈线缆并需要多个 UFA 窗口的大型设备试验布置示例图
图 H.4 带有侧馈线缆并需要多个 UFA 窗口的大型设备试验布置示例图
第1,908行： 第1,585行：




附 录 I (资料性) 多信号试验
== 附 录 I (资料性) 多信号试验 ==


=== 1.1 概述 ===
=== 1.1 概述 ===
第1,920行： 第1,597行：
这种互调的结果是以边带(大概以基频和谐波为中心)的形式产生的无用信号，需注意确保这些无 用信号不会显著影响敏感性试验的质量。为此，这些无用信号可被视为谐波，并且宜至少低于试验场地 预期的试验信号6 dB, 如图 I.1 及算式所示。
这种互调的结果是以边带(大概以基频和谐波为中心)的形式产生的无用信号，需注意确保这些无 用信号不会显著影响敏感性试验的质量。为此，这些无用信号可被视为谐波，并且宜至少低于试验场地 预期的试验信号6 dB, 如图 I.1 及算式所示。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图I.1 试验频率f1和f2及其二阶和三阶互调频率.jpeg|400px]]


 
图I.1 试验频率f, 和 f₂ 及其二阶和三阶互调频率
图1.1 试验频率f, 和 f₂ 及其二阶和三阶互调频率


Vat=a₁v,+a₂v,²+agv,³ 十 … …………………………(1.1)
Vat=a₁v,+a₂v,²+agv,³ 十 … …………………………(1.1)
第1,988行： 第1,665行：




附 录 J
== 附 录 J==
 
(规范性)
(规范性)


第2,010行： 第1,686行：
J.2.2 被测量的不确定度贡献
J.2.2 被测量的不确定度贡献


下面的影响量图(见图J.1) 给出试验电平设置影响量的举例。本图表同时适用于电平设置和试验 过程，但并没有穷尽所有可能的影响因子。影响量图中最重要的贡献被不确定度预评估表J.1 和 J.2 所 选用。为了不同的试验场地和实验室得到可比较的预评估值，不确定度预评估的计算至少包括表J.1 和表J.2 中列出的不确定度贡献。要注意的是，实验室可基于其特殊情况，在计算MU 时包含更多的不
下面的影响量图(见图J.1) 给出试验电平设置影响量的举例。本图表同时适用于电平设置和试验 过程，但并没有穷尽所有可能的影响因子。影响量图中最重要的贡献被不确定度预评估表J.1 和 J.2 所 选用。为了不同的试验场地和实验室得到可比较的预评估值，不确定度预评估的计算至少包括表J.1 和表J.2 中列出的不确定度贡献。要注意的是，实验室可基于其特殊情况，在计算MU 时包含更多的不确定度贡献。
 
确定度贡献。
 
场探头校准


线性度
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图J.1 试验电平设置的影响量的举例.jpeg|400px]]
 
天线位置和吸收材料位置 各向异性
 
功率计(PM)
 
频率增值错误 试验时EUT前端与天线的距离
 
PM一定向耦合器 失配
 
试验电平设置的 不确定度
 
软件窗口
 
功率放大器(PA) 长期和短期稳定度
 
PA压缩点
 
信号发生器的稳定度 天线一PA
 
和漂移
 
由移动物体引起的场骚扰 如：摄像机


图J.1 试验电平设置的影响量的举例
图J.1 试验电平设置的影响量的举例
第2,104行： 第1,754行：
[3]ISO/IEC Guide 98-3 Uncertainty of measurement—Part 3:Guide to the expression of un- certainty in measurement(GUM:1995)
[3]ISO/IEC Guide 98-3 Uncertainty of measurement—Part 3:Guide to the expression of un- certainty in measurement(GUM:1995)


附 录 K
== 附 录 K ==


(资料性)
(资料性)
第2,279行： 第1,929行：




信号电平/dB
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.1 探头线性度的示例.jpeg|400px]]


图 K.1 探头线性度的示例
图 K.1 探头线性度的示例
第2,325行： 第1,975行：
传递到发射装置的净功率可使用一个4端口的双向定向耦合器试验，或者两个3端口的单向定向 耦合器背对背地连接(构成“双向定向耦合器”)。使用双向定向耦合器测量装置的净功率的通用设置显 示在图K.2。
传递到发射装置的净功率可使用一个4端口的双向定向耦合器试验，或者两个3端口的单向定向 耦合器背对背地连接(构成“双向定向耦合器”)。使用双向定向耦合器测量装置的净功率的通用设置显 示在图K.2。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.2发射装置净功率测量配置.jpeg|400px]]
 
 
 
功率计
 
PM1
 
3
 
前向 输入
 
天线 2
 
 
 
输出
 
反向
 
PM2
 
源
 
4
 
1


图 K.2 发射装置净功率测量配置
图 K.2 发射装置净功率测量配置
第2,407行： 第2,031行：
在任何情况下，场强探头应正对喇叭天线口面的中心放置。
在任何情况下，场强探头应正对喇叭天线口面的中心放置。


单位为厘米
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.3暗室验证试验的试验布置.jpeg|400px]]
 
 
 
发射喇叭天线
 
1
 
L=100±0.5
 
场强探头
 
标准增益喇叭天线
 
La L+20
 
h>80
 
吸波材料
 
L-10


图 K.3 暗室验证试验的试验布置
图 K.3 暗室验证试验的试验布置


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.4 测量位置 ∆L 的细节描述.jpeg|400px]]


图K.4 测量位置 ∆L 的细节描述


图K.4 测量位置 AL 的细节描述
图 K.3 和图K.4 显示的配置中，L-10cm~L+20m 是探头校准距离，从喇叭天线口面到场强探头中心。Lom 定义为位置0。
 
图 K.3 和图K.4 显示的配置中，L-10cm~L+20m 是探头校准距离，从喇叭天线口面到场强探头中


心。Lom 定义为位置0。
位置包括L-10cm,L-8cm,L-6cm,…,L 。,L+2cm,L+4cm, … ,L+20cm,△L=2 cm。如果探头放在发射 喇叭天线的近场(距离<2D²/λ,D 是天线的最大尺寸，λ是自由空间波长),发射天线的增益不是常 数，需要分别确定发射天线在每个点的增益。在所有探头位置上，使用1m 的距离恒定功率生成相应的场强(例如20 V/m) 进行试验。当发射天线和场强探头都垂直极化时，在所有位置所有频率记录探 头读数。天线和探头都水平极化时，重复试验。
 
位置包括L-10cm,L-8cm,L-6cm,…,L 。,L+2cm,L+4cm, … ,L+20cm,△L=2 cm。如果探头放在发射 喇叭天线的近场(距离<2D²/λ,D 是天线的最大尺寸，λ是自由空间波长),发射天线的增益不是常 数，需要分别确定发射天线在每个点的增益。在所有探头位置上，使用1m 的距离恒定功率生成相应
 
 
 
的场强(例如20 V/m) 进行试验。当发射天线和场强探头都垂直极化时，在所有位置所有频率记录探 头读数。天线和探头都水平极化时，重复试验。


所有的读数应满足K.4.2.6 的要求。
所有的读数应满足K.4.2.6 的要求。
第2,472行： 第2,070行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.5数据调整的示例.jpeg|400px]]
场强/(V/m)
 
场 强 / ( v / m )
 
 


图 K.5 数据调整的示例
图 K.5 数据调整的示例
第2,511行： 第2,104行：
将场强探头放在用于校准的位置。场强探头的极化方向和沿着发射喇叭天线轴向的位置变化将会 影响暗室的VSWR 。 发射天线应和暗室VSWR 的试验以及探头校准时所用发射天线相同。
将场强探头放在用于校准的位置。场强探头的极化方向和沿着发射喇叭天线轴向的位置变化将会 影响暗室的VSWR 。 发射天线应和暗室VSWR 的试验以及探头校准时所用发射天线相同。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.6天线和探头试验布置示例.jpeg|400px]]
 
发射喇叭天线
 
1m
 
场强探头
 
标准增益喇叭天线 可选位置
 
泡沫聚苯
 
乙烯材料


图 K.6 天线和探头试验布置示例
图 K.6 天线和探头试验布置示例


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.7暗室验证试验的试验配置.jpeg|400px]]
 
1m(Locm)
 
1m(L-30mm)
 
场强探头
 
标准增益喇叭天线
 
L-30cm
 
Iocm
 
L+30cm


图 K.7 暗室验证试验的试验配置
图 K.7 暗室验证试验的试验配置


配置显示在图K.6 和图K.7, 从喇叭天线的口面到场强探头的中心的探头校准距离保持不变，例如
配置显示在图K.6 和图K.7, 从喇叭天线的口面到场强探头的中心的探头校准距离保持不变，例如1m。
 
1m。


为防止对测量产生影响，最好使用低介电常数的材料做探头固定装置。用于探头校准的固定装置 应另外评估(见K.4.2.7)。
为防止对测量产生影响，最好使用低介电常数的材料做探头固定装置。用于探头校准的固定装置 应另外评估(见K.4.2.7)。


位置分别为L-30cm,L-25cm,L-20cm, … ,Lo,L+5cm,L+10cm, … ,L+30cm,△L 为 5 cm。
位置分别为L-30cm,L-25cm,L-20cm, … ,Lo,L+5cm,L+10cm, … ,L+30cm,△L 为 5 cm。
第2,559行： 第2,122行：
在每个频率，读取26个独立的探头读数(13个点，两个极性，见图K.8) 。 读数在每个频率的最大偏 差要小于±0.5 dB。
在每个频率，读取26个独立的探头读数(13个点，两个极性，见图K.8) 。 读数在每个频率的最大偏 差要小于±0.5 dB。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.8暗室确认替代方法的数据示例.jpeg|400px]]
 
+0.5dB
 
位置数据
 
L-30m~L+30cm
 
0 dB
 
-0.5dB
 
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
 
频 率 /GHz


图 K.8 暗室确认替代方法的数据示例
图 K.8 暗室确认替代方法的数据示例
第2,597行： 第2,146行：
测量布置的示例见图K.9 和 图K.10。
测量布置的示例见图K.9 和 图K.10。


1m±0.005m
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.9 场强探头校准布置.jpeg|400px]]
 
场强探头
 
与验证测试一样
 
标准增益喇叭天线


图 K.9 场强探头校准布置
图 K.9 场强探头校准布置


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.10场强探头校准布置(俯视).jpeg|400px]]


图 K.10 场强探头校准布置(俯视)
图 K.10 场强探头校准布置(俯视)
第2,669行： 第2,212行：
K.5.3 用波导室校准场强探头
K.5.3 用波导室校准场强探头


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 图K.11波导室横截面图.jpeg|400px]]


图 K.11 波导室横截面图
图 K.11 波导室横截面图
焦雨桐
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