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电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017：修订间差异

电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017 (查看源代码)

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第150行： 第150行：
耦合/去耦装置是根据6 . 2.1中给出的特性定义的。任何满足这些特性的耦合/去耦装置都可以使 用 。 附 录D 中 的CDN 仅 是一 些市场上销售的耦合/去耦网络的举例。
耦合/去耦装置是根据6 . 2.1中给出的特性定义的。任何满足这些特性的耦合/去耦装置都可以使 用 。 附 录D 中 的CDN 仅 是一 些市场上销售的耦合/去耦网络的举例。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图1 射频传导骚扰抗扰度试验.jpeg|400px]]


Z CDN 系统的共模阻抗，Z 。=150 Ω
注：100 Ω电阻包含在CDN 中。左边输入端口由一个(无源)50 Ω负载端接，而右边输入端口由试验信号发生器的
源阻抗端接。
U₀ 试验信号发生器源电压(e.m.f.)
Uom EUT 与参考平面之间的共模电压
Iom 通过EUT 的共模电流
Jm 在EUT 的导电平面或其他导体上的电流密度
E,H 电场和磁场
a) 在EUT 附近由EUT 电缆上的共模电流产生的电磁场的示意图


EUT
图 1 射频传导骚扰抗扰度试验


Ⅱ
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图1续 使用CDN 的抗扰度试验布置示意图.jpeg|400px]]


100Ω
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图1续 使用注入钳的抗扰度试验布置示意图.jpeg|400px]]


u
T 端接50 Ω负载
T2 功率衰减器(6 dB)
CDN 耦合/去耦网络
注入钳电流钳或电磁钳
使用注入钳的抗扰度试验布置示意图
b ) 射频传导骚扰抗扰度试验布置示意图


E
图1(续)


U₀
== 5 试验等级 ==


试验信号 发生器
本部分规定，来自射频发射机发射的电磁场感应的传导骚扰抗扰度测量的频率范围为150 kHz~80 MHz。


100Ω
表1规定了以有效值(r.m.s.) 表示的未调制骚扰信号的开路试验电压(e.m.f.)。


50Ω
表 1 试验等级


Zce CDN 系统的共模阻抗，Z= 150 Ω
{| class="wikitable"
|- style="vertical-align:middle;"
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 等级
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
|-
| U₀/V
| U₀/dB(μV)
|- style="vertical-align:middle;"
| 1
| 1
| 120
|}


注：100 Ω电阻包含在CDN 中。左边输入端口由一个( 无源)50 0负载端接，而右边输入端口由试验信号发生器的 源阻抗端接。


U 。 试验信号发生器源电压(e.m.f.)


Ueom EUT 与参考平面之间的共模电压
表1(续)


Icom 通过 EUT 的共模电流
{| class="wikitable"
 
|- style="vertical-align:middle;"
Jom 在 EUT 的导电平面或其他导体上的电流密度
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
 
|- style="vertical-align:middle;"
E,H 电场和磁场
| rowspan="2" | 等级
 
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
a) 在 EUT附近由EUT电缆上的共模电流产生的电磁场的示意图
|-
| U₀/V
| U₀/dB(μV)
|- style="vertical-align:middle;"
| 2
| 3
| 129.5
|- style="vertical-align:middle;"
| 3
| 10
| 140
|- style="vertical-align:middle;"
| X
| colspan="2" | 指定
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="3" | 注：X是一开放的等级，此等级应在专门的设备规范中规定。
|}


图 1 射频传导骚扰抗扰度试验
试验时，在耦合装置的 EUT 端口上设置骚扰信号的试验电平(见6.4),该信号使用1 kHz 正 弦 波 调幅(80%调制度)来模拟实际骚扰影响。实际的幅度调制如图2所示。附录C 中给出选择试验等级 的指南。


注1:TEC 61000-4-3(2)也规定了用于确定电气和电子设备对辐射电磁能的抗扰度测量方法，覆盖了80 MHz 以上 的频率范围。产品委员会可决定选择比80 MHz 低的或高的上限频率(见附录B)。


注 2: 产品委员会可选择替代的调制方式。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图2 试验等级1 时耦合装置EUT 端口上的开路电压波形.jpeg|400px]]


图 2 试验等级1时耦合装置 EUT 端口上的开路电压波形


射频信号源
== 6 试验设备及电平调整 ==


试验信号发生器
=== 6.1 试验信号发生器 ===


T2
试验信号发生器包括在适当的注入点上以规定的信号电平将骚扰信号施加给每个耦合装置输入端口的 全部设备和部件。以下部件的典型组装可以是分立的，也可以是集成到一个或多个测量设备中的(见图3):


EUT
——射频信号源 G1: 能覆盖所规定的频段，用1kHz 正弦波调幅，调制度为80%。应能够手动控制(比


AE 2
如，频率，幅度和调制度);或在具有射频合成器的情况下，可对频率步进和驻留时间编程控制。


CDN 2
——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平，可以包含在射频信号源中。


h≥30 mm
— — 射频开关S1: 当测量 EUT 的抗扰度时，可以接通和断开骚扰信号的射频开关。可以包含在射 频信号源中。


0.1m±0.05m
— — 宽带功率放大器PA: 当射频信号源的输出功率不足时，需要加功率放大器。


0.1m≤L≤0.3m L
— — 低通滤波器LPF 和/或高通滤波器 HPF: 为避免干扰某些类型的EUT, 例如，(高次或亚)谐波


参考地平面
可能对射频接收机产生干扰，需要时，应将它们加在宽带功率放大器PA 和衰减器 T2 之间。


CDN 1
——衰减器 T2: 具有足够额定功率的衰减器(固有衰减≥6 dB) 。 提供衰减器是为了减小因耦合装 置失配引起的功率放大器的电压驻波比(VSWR)。


支撑
注：T2 可包含在CDN 中，如果宽带功率放大器的输出阻抗在任意负载条件下可保持在规范内，可省略它。


AE 1
试验信号发生器的特性见表2。


L
表 2 试验信号发生器的特性


T
'''此处表格以截图代替'''


使用CDN 的抗扰度试验布置示意图
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图3 试验信号发生器的配置.jpeg|400px]]


图 3 试验信号发生器的配置


=== 6.2 耦合/去耦装置 ===


射频信号源
6.2.1 概述


试验信号发生器
耦合/去耦装置用于将骚扰信号合适地(覆盖全部频率，在EUT 端口上具有规定的共模阻抗)耦合 到连接 EUT 的各种电缆上，并防止试验信号影响 EUT 以外的装置、设备和系统。


L2
耦合/去耦装置可以组装在一个盒子内(称为 CDN 或电磁钳),或由几部分组成。


AE 2 T
出于对试验重现性和保护AE 方面的考虑，首选的耦合/去耦装置是 CDN 。 表3中规定了耦合/去 耦装置的主要参数——在EUT 端口的共模阻抗 Z 。 如 果CDN 不适用或无法从市场上获得，可以使 用其他注入方法。7.4.1给出了选择合适的注入方法的规则。其他注入方法，由于其电气性能，不确定能满足表3中的参数。


CDN
表 3 耦合/去耦装置的主要参数


2
{| class="wikitable"
|- style="vertical-align:middle;"
! rowspan="2" | 参数
! colspan="2" | 频 段
|-
| 0.15 MHz～24 MHz
| 24 MHz～80 MHz
|-
| style="vertical-align:middle;" | |Zce|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
|}


0.1m±0.05 m支撑
注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 ， 则CDN 可 能 并 不 适 用 。


0.1m≤L≤0.3m
注 2 :Z 的 幅 角 以 及 EUT 端 口 和 AE 端 口 之 间 的 去 耦 系 数 均 未 单 独 规 定 ， 由AE 端 口 对 参 考 地 平 面 开 路 或 短 路 时


L2≤0.3m (如果可能)
应 满 足 | Z| 容 差 的 要 求 来 体 现 对 这 些 参 数 的 要 求 。


T
注 3 : 钳 的 详 细 信 息 见 附 录 A。


CDN
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4 耦合去耦原理图.jpeg|400px]]


1
图 4 耦合/去耦原理图


0.1m±0.05m 支撑
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4续 直接注入到屏蔽电缆的原理图.jpeg|400px]]


参考地平面
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4续 CDN 法耦合到非屏蔽电缆的原理图.jpeg|400px]]


h≥30 mm
图 4 ( 续 )


注入钳
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图4续去耦原理图.jpeg|400px]]


例：典型C =47nF (只对非屏蔽电缆),La5 okHo≥280 μH;
低频电感：在一个铁氧体环上绕17匝线圈，材料：NiZn,pR=1200;
高频电感：2～4个铁氧体环(形成一个管),材料：NiZn,μg=700。


d) 去耦原理图


AE 1
图 4 ( 续 )


EUT
6.2.2 耦合/去耦网络(CDN)


6.2.2.1 概述


这些网络包含的耦合和去耦电路在一个盒子中。图4c)和图4d)给出了一些CDN 的典型原理图。 表4归纳了附录D 所述的一些不同类型 CDN 的使用方法。所选的 CDN 不应过分地影响功能信号(参 考图12所给建议)。在产品标准中可规定对这种影响的限制。


T2
表 4 CDN 的 使 用


L
{| class="wikitable" style="vertical-align:middle;"
|-
! 线缆类型
! 举例
! C D N 类 型
|-
| 电源(交流和直流)和接地
| 交流电源线、工业用直流线、接地线
| CDN-Mx (见图D.2)
|-
| 屏蔽电缆
| 同轴电缆、LAN和USB接口 <br />用电缆、音频系统用电缆
| CDN-Sx (见图D.1)
|-
| 非屏蔽平衡线
| ISDN线、电话线
| CDN-Tx (见图D.4、图D.5、图D.7和附录H)
|-
| 非屏蔽不平衡线
| 任何不属于其他几组的电缆
| CD N -AF x或CD N -Mx (见图D.3和图D.6)
|}


T 端 接 5 0 Ω 负 载
6.2.2.2 用于电源线的 CDN


T2 功率衰减器(6 dB)
所有电源连接推荐使用CDN 。 对于高功率(电流≥16 A) 和/或复杂电源系统(多相或各种并联电源电压)可选择其他注入方法。


CDN 耦合/去耦网络
用 CDN-M1 (单线)、CDN-M2 (双线)、CDN-M3 (三线)或等效网络(见附录 D) 使骚扰耦合到电源 线。对三相电源系统可规定类似网络。耦合电路见图4c)。


注入钳 电流钳或电磁钳
不应由 EUT 的工作电流导致磁性材料的饱和而引起 CDN 的性能过度降低。无论如何，网络的结 构应该确保正向电流的磁效应可以被返回电流的磁效应相抵消。


使用注入钳的抗扰度试验布置示意图
如果实际安装中电源线可各自分开走线，应使用分立的CDN-M1 。 所有输入端口应分开处理。


b) 射频传导骚扰抗扰度试验布置示意图
如果 EUT 具有功能接地端子(例如，为了射频的目的或者大的漏电流),应将它们连接到参考地平 面 上 ：


图1(续)
— 当EUT 的特性或规范允许时通过 CDN-M1 连接。在这种情况下，供电电源应通过合适的 CDN-Mx型网络提供；


== 5 试验等级 ==
—— 由于射频或其他原因，当EUT 的特性和规范不允许CDN -M1 网络串联于地端子上，地端子应 直接连接到参考地平面上 。在这种情况下，应使用CDN- M2 网络代替 CDN-M3 网络来防止 由保护地导体形成的射频短路。当设备已经通过 CDN-M 1 或 CDN -M2 供电，运行中应保留 它 们 。


本部分规定，来自射频发射机发射的电磁场感应的传导骚扰抗扰度测量的频率范围为150 kHz~
——对于三相电源，使用合适的CDN-Mx 型网络时需要进行类似的调整。


80 MHz。
警告：由于电容器跨接在CDN 的带电部分之间，可 能产生较高漏电流，因此必须要有 CDN 与参考 地平面之间的安全连接(在某些情况下，这些连接可由 CDN 的结构提供)。


表1规定了以有效值(r.m.s.) 表示的未调制骚扰信号的开路试验电压(e.m.f.)。
6.2.2.3 用于非屏蔽平衡线的CDN


表 1 试验等级
对于非屏蔽平衡线，可使用CDN-T2ACDM-T4 或 DN-T8 耦 合 和 去 耦 骚 扰 信 号 。 附 录 D 的


{| class="wikitable"
图 D.4、图 D.5 和 图 D.7 中给出这些电路简图
|- style="vertical-align:middle;"
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 等级
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
|-
| U₀/V
| U₀/dB(μV)
|- style="vertical-align:middle;"
| 1
| 1
| 120
|}


——CDN-T2 用于有1个对称对(2线)的电缆。


——CDN-T4 用于有2个对称对(4线)的电缆。


表1(续)
——CDN-T8 用于有4个对称对(8线)的电缆。


{| class="wikitable"
如果其他CDNTx 网 络 对指定的频率范围是合适的并满足6 .2. 1 的要求，也可以使用这些网络。 例如，CDN 的差模到共模变换损耗与所安装电缆或连接到所安装电缆的设备规定的度换率相比应具有 较大的值。如果规定的变换率对于电缆和设备是不同的，则较小的值适用。通常，由于没有适用的 CDN, 对平衡的多组对电缆采用钳注入法更合适。
|- style="vertical-align:middle;"
! colspan="3" | 频率范围150 kHz～80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 等级
| colspan="2" | 电压(e.m.f.)
|-
| U₀/V
| U₀/dB(μV)
|- style="vertical-align:middle;"
| 2
| 3
| 129.5
|- style="vertical-align:middle;"
| 3
| 10
| 140
|- style="vertical-align:middle;"
| X
| colspan="2" | 指定
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="3" | 注：X是一开放的等级，此等级应在专门的设备规范中规定。
|}
 
试验时，在耦合装置的 EUT 端口上设置骚扰信号的试验电平(见6.4),该信号使用1 kHz 正 弦 波 调幅(80%调制度)来模拟实际骚扰影响。实际的幅度调制如图2所示。附录C 中给出选择试验等级 的指南。
 
注1:TEC 61000-4-3(2)也规定了用于确定电气和电子设备对辐射电磁能的抗扰度测量方法，覆盖了80 MHz 以上 的频率范围。产品委员会可决定选择比80 MHz 低的或高的上限频率(见附录B)。
 
注 2: 产品委员会可选择替代的调制方式。
 
 
 
a) 未调制射频信号
 
Upp=2.82 V,Ums=1.00 V
 
 
 
b) 80%AM 射频调制信号
 
Upp=5.09 V,Urms=1.12 V,Umax ms=1.80V
 
图 2 试验等级1时耦合装置 EUT 端口上的开路电压波形
 
== 6 试验设备及电平调整 ==
 
=== 6.1 试验信号发生器 ===
 
试验信号发生器包括在适当的注入点上以规定的信号电平将骚扰信号施加给每个耦合装置输入端口的 全部设备和部件。以下部件的典型组装可以是分立的，也可以是集成到一个或多个测量设备中的(见图3):
 
——射频信号源 G1: 能覆盖所规定的频段，用1kHz 正弦波调幅，调制度为80%。应能够手动控制(比
 
如，频率，幅度和调制度);或在具有射频合成器的情况下，可对频率步进和驻留时间编程控制。
 
——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平，可以包含
 
 
 
在射频信号源中。
 
— — 射频开关S1: 当测量 EUT 的抗扰度时，可以接通和断开骚扰信号的射频开关。可以包含在射 频信号源中。
 
— — 宽带功率放大器PA: 当射频信号源的输出功率不足时，需要加功率放大器。
 
— — 低通滤波器LPF 和/或高通滤波器 HPF: 为避免干扰某些类型的EUT, 例如，(高次或亚)谐波
 
可能对射频接收机产生干扰，需要时，应将它们加在宽带功率放大器PA 和衰减器 T2 之间。
 
——衰减器 T2: 具有足够额定功率的衰减器(固有衰减≥6 dB) 。 提供衰减器是为了减小因耦合装 置失配引起的功率放大器的电压驻波比(VSWR)。
 
注：T2 可包含在CDN 中，如果宽带功率放大器的输出阻抗在任意负载条件下可保持在规范内，可省略它。
 
试验信号发生器的特性见表2。
 
表 2 试验信号发生器的特性
 
'''此处表格以截图代替'''
 
LPE/HPF
 
T1 S1 PA
 
T2
 
G1
 
( 非必需)
 
宽带功率放大器
 
射频信号源
 
80%AM
 
 
 
图 3 试验信号发生器的配置
 
=== 6.2 耦合/去耦装置 ===
 
6.2.1 概述
 
耦合/去耦装置用于将骚扰信号合适地(覆盖全部频率，在EUT 端口上具有规定的共模阻抗)耦合 到连接 EUT 的各种电缆上，并防止试验信号影响 EUT 以外的装置、设备和系统。
 
耦合/去耦装置可以组装在一个盒子内(称为 CDN 或电磁钳),或由几部分组成。
 
出于对试验重现性和保护AE 方面的考虑，首选的耦合/去耦装置是 CDN 。 表3中规定了耦合/去 耦装置的主要参数——在EUT 端口的共模阻抗 Z 。 如 果CDN 不适用或无法从市场上获得，可以使 用其他注入方法。7.4.1给出了选择合适的注入方法的规则。其他注入方法，由于其电气性能，不确定
 
能满足表3中的参数。
 
表 3 耦合/去耦装置的主要参数
 
{| class="wikitable"
|- style="vertical-align:middle;"
! rowspan="2" | 参数
! colspan="2" | 频 段
|-
| 0.15 MHz～24 MHz
| 24 MHz～80 MHz
|-
| style="vertical-align:middle;" | |Zce|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
|}
 
注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 ， 则CDN 可 能 并 不 适 用 。
 
注 2 :Z 的 幅 角 以 及 EUT 端 口 和 AE 端 口 之 间 的 去 耦 系 数 均 未 单 独 规 定 ， 由AE 端 口 对 参 考 地 平 面 开 路 或 短 路 时
 
应 满 足 | Z| 容 差 的 要 求 来 体 现 对 这 些 参 数 的 要 求 。
 
注 3 : 钳 的 详 细 信 息 见 附 录 A。
 
50Ω同轴电缆
 
电源、信号或地线
 
5 0 2 同 轴 负 载
 
A
 
EUT CDN AE IN
 
T2
 
050Ω ~ 50②适配器，在 输入和输出端1之间 申 联100 Q 电阻的盒子
 
50 Q信号源
 
50 Ω测量设备，如选频电压表
 
10 dB,50Ω衰减器
 
具有EUT端、输入端(IN)和AE端的耦合去耦网络(CDN)
 
功率衰减器(6 dB)
 
a) 用 于 测 量 配 置 图 中 的 符 号 清 单
 
图 4 耦合/去耦原理图
 
 
 
 
|  |  |
| --- | --- |
| 0.1m≤L≤0.3m  L2≤0.3m (如果可能) L  *L2* |  |
|  | 50Q |
| AE EUT | T |
| 去耦装置 | CDN |
 
参考地平面 h≥30 mm
 
0.1m±0.05m 支撑 0.1m±0.05m 支撑
 
100Q
 
T2
 
u。
 
b) 直接注入到屏蔽电缆的原理图
 
 
 
n
 
EUT端口
 
C>20nF/n
 
R=n×100 Ω
 
50Q
 
试验信号发生器
 
U₀
 
c) CDN 法耦合到非屏蔽电缆的原理图
 
图 4 ( 续 )
 
 
 
低频电感
 
高频电感
 
EUT
 
AE
 
30 mm
 
Cdm
 
例：典型Cdee=47 nF(只对非屏蔽电缆),L(150 kHa)≥280 μH;
 
低频电感：在一个铁氧体环上绕17匝线圈，材料：NiZn,μR=1200;
 
高频电感：2～4个铁氧体环(形成一个管),材料：NiZn,μR=700。
 
d) 去耦原理图
 
图 4 ( 续 )
 
6.2.2 耦合/去耦网络(CDN)
 
6.2.2.1 概述
 
这些网络包含的耦合和去耦电路在一个盒子中。图4c)和图4d)给出了一些CDN 的典型原理图。 表4归纳了附录D 所述的一些不同类型 CDN 的使用方法。所选的 CDN 不应过分地影响功能信号(参 考图12所给建议)。在产品标准中可规定对这种影响的限制。
 
表 4 CDN 的 使 用
 
{| class="wikitable" style="vertical-align:middle;"
|-
! 线缆类型
! 举例
! C D N 类 型
|-
| 电源(交流和直流)和接地
| 交流电源线、工业用直流线、接地线
| CDN-Mx (见图D.2)
|-
| 屏蔽电缆
| 同轴电缆、LAN和USB接口 <br />用电缆、音频系统用电缆
| CDN-Sx (见图D.1)
|-
| 非屏蔽平衡线
| ISDN线、电话线
| CDN-Tx (见图D.4、图D.5、图D.7和附录H)
|-
| 非屏蔽不平衡线
| 任何不属于其他几组的电缆
| CD N -AF x或CD N -Mx (见图D.3和图D.6)
|}
 
6.2.2.2 用于电源线的 CDN
 
所有电源连接推荐使用CDN 。 对于高功率(电流≥16 A) 和/或复杂电源系统(多相或各种并联电
 
 
 
源电压)可选择其他注入方法。
 
用 CDN-M1 (单线)、CDN-M2 (双线)、CDN-M3 (三线)或等效网络(见附录 D) 使骚扰耦合到电源 线。对三相电源系统可规定类似网络。耦合电路见图4c)。
 
不应由 EUT 的工作电流导致磁性材料的饱和而引起 CDN 的性能过度降低。无论如何，网络的结 构应该确保正向电流的磁效应可以被返回电流的磁效应相抵消。
 
如果实际安装中电源线可各自分开走线，应使用分立的CDN-M1 。 所有输入端口应分开处理。
 
如果 EUT 具有功能接地端子(例如，为了射频的目的或者大的漏电流),应将它们连接到参考地平 面 上 ：
 
— 当EUT 的特性或规范允许时通过 CDN-M1 连接。在这种情况下，供电电源应通过合适的 CDN-Mx型网络提供；
 
—— 由于射频或其他原因，当EUT 的特性和规范不允许CDN -M1 网络串联于地端子上，地端子应 直接连接到参考地平面上 。在这种情况下，应使用CDN- M2 网络代替 CDN-M3 网络来防止 由保护地导体形成的射频短路。当设备已经通过 CDN-M 1 或 CDN -M2 供电，运行中应保留 它 们 。
 
——对于三相电源，使用合适的CDN-Mx 型网络时需要进行类似的调整。
 
警告：由于电容器跨接在CDN 的带电部分之间，可 能产生较高漏电流，因此必须要有 CDN 与参考 地平面之间的安全连接(在某些情况下，这些连接可由 CDN 的结构提供)。
 
6.2.2.3 用于非屏蔽平衡线的CDN
 
对于非屏蔽平衡线，可使用CDN-T2ACDM-T4 或 DN-T8 耦 合 和 去 耦 骚 扰 信 号 。 附 录 D 的
 
图 D.4、图 D.5 和 图 D.7 中给出这些电路简图
 
——CDN-T2 用于有1个对称对(2线)的电缆。
 
——CDN-T4 用于有2个对称对(4线)的电缆。
 
——CDN-T8 用于有4个对称对(8线)的电缆。
 
如果其他CDNTx 网 络 对指定的频率范围是合适的并满足6 .2. 1 的要求，也可以使用这些网络。 例如，CDN 的差模到共模变换损耗与所安装电缆或连接到所安装电缆的设备规定的度换率相比应具有 较大的值。如果规定的变换率对于电缆和设备是不同的，则较小的值适用。通常，由于没有适用的 CDN, 对平衡的多组对电缆采用钳注入法更合适。


6.2.2.4 用于非屏蔽不平衡线的 CDN
6.2.2.4 用于非屏蔽不平衡线的 CDN
第625行： 第406行：
6.2.3.1 概述
6.2.3.1 概述


对钳注入装置，耦合和去耦功能是分开的。由钳合式装置提供耦合，而共模阻抗和去耦功能是建立
对钳注入装置，耦合和去耦功能是分开的。由钳合式装置提供耦合，而共模阻抗和去耦功能是建立在 AE 上的。就此而言，AE 是耦合/去耦装置的一部分(见图5)。需要注意的是，通过钳注入装置施加 给 AE 和 EUT 的注入电流是相同的，因此 AE 需不受试验电平的影响。
 
 
 
在 AE 上的。就此而言，AE 是耦合/去耦装置的一部分(见图5)。需要注意的是，通过钳注入装置施加 给 AE 和 EUT 的注入电流是相同的，因此 AE 需不受试验电平的影响。


注1:当使用钳注入法时，如果不满足 AE 的共模阻抗要求，则可能无法满足 Z 的要求。然而，若采用7.7的规范， 钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
注1:当使用钳注入法时，如果不满足 AE 的共模阻抗要求，则可能无法满足 Z 的要求。然而，若采用7.7的规范， 钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
第639行： 第416行：
当用电磁钳或电流钳不满足7.6所给定的要求时，应采用7.7所规定的程序。感应电压的调整使用 与6.4. 1所述相同的方法。此外，应监视并限制产生的电流在 Imx 的范围内。在7 . 7所规定的程序中， 可能会使用较低的共模阻抗，但是共模电流值应限制在150Ω信号源输出电流的范围内。
当用电磁钳或电流钳不满足7.6所给定的要求时，应采用7.7所规定的程序。感应电压的调整使用 与6.4. 1所述相同的方法。此外，应监视并限制产生的电流在 Imx 的范围内。在7 . 7所规定的程序中， 可能会使用较低的共模阻抗，但是共模电流值应限制在150Ω信号源输出电流的范围内。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图5 按照钳注入法的耦合去耦原理图.jpeg|400px]]
 
0.1m≤L≤0.3m
 
*L2*
 
L2≤0.3m (如果可能)
 
50 Q
 
T
 
CDN 1
 
参考地平面
 
b≥30mm 0.1m±0.05m 支撑
 
0./1m±0.05m 支撑
 
EUT T
 
短接地金属带
 
CDN
 
2
 
12
 
50Ω
 
AE
 
L


CDN 连接到AE, 例如，连接到所示接地端的CDN-M1减 CDN-M3应在其输入端口端接50Ω负载(见7.7)。
CDN 连接到AE, 例如，连接到所示接地端的CDN-M1减 CDN-M3应在其输入端口端接50Ω负载(见7.7)。
第695行： 第438行：
注 2 :通常使电缆通过钳的中心位置，以使电容耦合最小。
注 2 :通常使电缆通过钳的中心位置，以使电容耦合最小。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图6 使用150 Ω试验夹具的电平调整设置电路示例.jpeg|400px]]
 
以
 
 
 
-
 
电流注入探头
 
50Ω
 
100Ω
 
<
 
50Q
 
V
 
50Ω
 
≤
 
试验信号发生器
 
测量装置
 
50Ω
 
负载
 
100Q
 
S


图6 使用150 Ω试验夹具的电平调整设置电路示例
图6 使用150 Ω试验夹具的电平调整设置电路示例


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图7 电流钳的性能评价电路示例.jpeg|400px]]
 
50Ω
 
负载
 
电流注入探头
 
测量装置
 
100Ω
 
V
 
50Ω
 
 
 
试验信号发生器
 
 
 
100Ω


图7 电流钳的性能评价电路示例
图7 电流钳的性能评价电路示例


6.2.3.3 电磁钳
6.2.3.3 电磁钳
第804行： 第489行：




[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 a) 验证耦合去耦装置阻抗特性的配置示例.jpeg|400px]]




 
——参考地平面：应超过耦合/去耦装置和其他部件投影尺寸至少0.2 m。
输入端口
——同轴连接器应水平地连接至EUT 端口。
 
——EUT 端口的高度h 取决于CDN, 可能从30 mm～100 mm不等；尤其是大电流CDN 的EUT 端口位置更高。
≤0.03m
——同轴连接器平面(包含同轴连接器):h=30 mm 时尺寸为100 mm×100 mm,h 为其他值时尺寸为150 mm×
 
金属
 
Z 的
 
AE
 
端口
 
耦合去耦网络
 
同轴连接器
 
>0.2m
 
绝缘材料
 
同轴连接器平面(金属)
 
EUT
 
端口
 
参考点
 
>0.2m
 
 
 
参考地平面
 
— — 参考地平面：应超过 耦 合 / 去耦 装置和其他部件投影尺寸至少0 . 2 m。
 
— — 同 轴 连 接 器 应 水平 地 连接至 EUT 端 口 。
 
——EUT 端 口 的高 度 h 取 决 于 CDN, 可 能 从 3 0 mm~100mm 不等；尤其是大电流CDN 的 EUT 端口位置更高。
 
— — 同轴连接器平 面 (包含 同 轴 连 接 器 ) :h=30mm 时 尺 寸 为 1 0 0 mm×100 mm,h 为 其 他 值时尺寸为150 mm×
 
150 mm。
150 mm。
 
——两连接器平面均应由铜、黄铜或铝制成，并且必须有良好的射频接触。
— — 两连接器平面均应由铜、黄铜或铝制成，并且必须有良好的射频接触。


a) 验证耦合/去耦装置阻抗特性的配置示例
a) 验证耦合/去耦装置阻抗特性的配置示例


CDN
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 b) 验证耦合去耦装置Z 的配置原理图.jpeg|400px]]
 
阻抗网络分析仪 或类似设备
 
E-
 
EUT
 
输 入
 
阻抗参考平面
 
50Q


开 关 S 通和断时应满足阻抗要求(见6 . 3)。
开关S 通和断时应满足阻抗要求(见6.3)。


b ) 验证耦合/去耦装置Z 的 配 置 原 理 图
b ) 验证耦合/去耦装置Z 的 配 置 原 理 图


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 c ) 测量两个1 5 0 Ω  5 0 Ω 适配器的插入损耗的配置原理图.jpeg|400px]]


 
插入损耗(dB)=Um (开关置于2)(dBμV)-Um, (开关置于1)(dBμV)
插 入 损 耗(dB)=Um ( 开 关 置 于 2 )(dBμV)-Um ( 开 关 置 于 1 )(dBμV)


c) 测量两个150 Ω/50Ω适配器的插入损耗的配置原理图
c) 测量两个150 Ω/50Ω适配器的插入损耗的配置原理图
第881行： 第515行：
图 8 验证耦合/去耦装置及150 Ω/50Ω适配器的基本特性的详细配置和部件
图 8 验证耦合/去耦装置及150 Ω/50Ω适配器的基本特性的详细配置和部件


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8续 d) 150 Ω 50 Ω适配器电路.jpeg|400px]]
 
 
 
150 Ω端口 50Ω端口
 
0-
 
注：低感电阻：额定功率≥2 .5 W


d) 150 Ω/50 Ω适配器电路
d) 150 Ω/50 Ω适配器电路


150 mm
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8续 e) 150 Ω50 Ω适配器结构(150 mm×150 mm 示例).jpeg|400px]]
 
 
 
100Ω
 
N或BNC型 连接器
 
 
 
 
 
金属
 
150 mm
 
0


注：同 图 8a)(阻抗参考平面),但增加 100Ω低感电阻
注：同图8a)(阻抗参考平面),但增加100 Ω低感电阻


e) 1502/50Ω 适配器结构(150 mm×150 mm 示例)
e) 1502/50Ω 适配器结构(150 mm×150 mm 示例)
第948行： 第558行：


c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz);
c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz);


d) 利用记录的射频信号源电平Pgem、前向功率Por 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率；
d) 利用记录的射频信号源电平Pgem、前向功率Por 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率；
第981行： 第589行：
应记录试验信号发生器设置(软件参数、衰减器设置等)的控制参数并用于试验。
应记录试验信号发生器设置(软件参数、衰减器设置等)的控制参数并用于试验。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图9 a) 非屏蔽电缆的共模点定义.jpeg|400px]]


a) 非屏蔽电缆的共模点定义
a) 非屏蔽电缆的共模点定义


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图9 b) 屏蔽电缆的共模点定义.jpeg|400px]]


b) 屏蔽电缆的共模点定义
b) 屏蔽电缆的共模点定义
第992行： 第600行：




[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图9 c) 耦合去耦装置EUT 端口电平调整的配置.jpeg|400px]]


30 mm
150Ω转50Ω 适配器
100Ω
Umr
u
参考地平面
共模点 共模点
耦合去耦 装置
试验信号 发生器
(注) 150Ω
EUT
AE
IN


耦合/去耦装置的举例：
耦合/去耦装置的举例：
——CDN;
——CDN;
 
——直接注入网络(有去耦);
--直接注入网络(有去耦);
 
——钳注入装置(电磁钳)。
——钳注入装置(电磁钳)。
 
注：在AE 端口加载150Ω,例如，150 Ω/50Ω适配器端接50Ω负载，只用于非屏蔽电缆(若为屏蔽电缆，其屏蔽层应
注：在AE 端口加载150Ω,例如，150Ω/50Ω适配器端接50Ω负载，只用于非屏蔽电缆(若为屏蔽电缆，其屏蔽层应 连接到参考地平面上)。
连接到参考地平面上)。


c) 耦合/去耦装置 EUT 端口电平调整的配置
c) 耦合/去耦装置 EUT 端口电平调整的配置
第1,059行： 第638行：
如果 EUT 具有其他接地端子，允许时，应将这些端子通过CDN-M1 连接到参考地平面，见6.2.2.2 (即连接到CDN-M1 的 AE 端口，然后连接到参考地平面)。
如果 EUT 具有其他接地端子，允许时，应将这些端子通过CDN-M1 连接到参考地平面，见6.2.2.2 (即连接到CDN-M1 的 AE 端口，然后连接到参考地平面)。


 
如果 EUT 带有键盘或手持附件，模拟手应放在键盘上或包裹在附件上然后再连接到参考地平面。
 
如 果 EUT 带有键盘或手持附件，模拟手应放在键盘上或包裹在附件上然后再连接到参考地平面。


根据产品委员会的规定，按照 EUT 的 工 作 状 态 选 择 所 需 的AE, 例如，通信设备、调制解调器、打印 机、传感器等，以及为保证数据传输和功能评价所必需的 AE, 均 应 通 过 耦 合 / 去 耦 装 置 连 接 到 EUT 上 。 被测电缆的数量可能是有限的，但所有类型的物理端口均应被注入。
根据产品委员会的规定，按照 EUT 的 工 作 状 态 选 择 所 需 的AE, 例如，通信设备、调制解调器、打印 机、传感器等，以及为保证数据传输和功能评价所必需的 AE, 均 应 通 过 耦 合 / 去 耦 装 置 连 接 到 EUT 上 。 被测电缆的数量可能是有限的，但所有类型的物理端口均应被注入。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图10 单一单元组成的EUT 试验布置示例(俯视图).jpeg|400px]]
 
≥0.5m
 
0.1m≤L≤0.3m
 
CDN-
 
、
 
CDN-
 
EUT
 
9
 
b)
 
CDN
 
9
 
绝缘支架
 
参考接地平面
 
T为50Ω终端阻抗
 
射频信号源
 
试验信号发生器
 
≥0.5m
 
T2
 
a)


a) EUT 距试验设备以外的金属物体至少0.5 m。
a) EUT 距试验设备以外的金属物体至少0.5 m。
 
b) 不用于注入的CDN 中只有一个用50 Ω负载端接，提供唯一的返回路径，所有其他的CDN作为去耦网络。
b) 不用于注入的CDN中只有一个用500负载端接，提供唯一的返回路径，所有其他的 CDN 作为去耦网络。


图10 单一单元组成的EUT试验布置示例(俯视图)
图10 单一单元组成的EUT试验布置示例(俯视图)
第1,121行： 第661行：
EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。
EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图11 多单元EUT 试验布置示例(俯视图).jpeg|400px]]


a) 不用于注入的CDN 中只有一个用50Ω负载端接，提供唯一的返回路径。所有其他的CDN 作为去耦网络。
b) 属于EUT 的互连电缆(≤1 m) 应置于绝缘支架上。


≥0.5m
图 11 多单元 EUT 试验布置示例( 俯视图)
 
CDN-Mx
 
O
 
 
 
0.1m≤L≤0.3m
 
0.1m≤L≤0.3m
 
EUT1
 
例如
 
个人计算机 ≥0.5m
 
绝缘支架
 
h=0.1m±005m
 
EUT2
 
例如
 
显示器
 
509
 
220 p5
 
模拟手
 
CDN- O
 
CDN-
 
O
 
CDN-
 
O
 
参考接地平面
 
T2 L
 
a)
 
T
 
T2
 
T为50 Ω终端阻抗
 
T2为功率衰减器(6 dB)
 
射频信号源
 
a) 不用于注入的CDN 中只有一个用50Ω负载端接，提供唯一 的返回路径。所有其他的CDN 作为去耦网络。
 
b) 属 于EUT 的互连电缆 (≤1m) 应置于绝缘支架上。
 
图 1 1 多单元 EUT 试验布置示例( 俯视图)


=== 7.4 选择注入法和试验点的原则 ===
=== 7.4 选择注入法和试验点的原则 ===
第1,193行： 第672行：
7.4.1 概述
7.4.1 概述


根据电缆的类型和数目选择耦合/去耦装置，应考虑典型安装条件的物理结构，例如，最长电缆的大
根据电缆的类型和数目选择耦合/去耦装置，应考虑典型安装条件的物理结构，例如，最长电缆的大概长度 。
 
概 长 度 。


对于所有试验，EUT 与 AE 之间电缆的总长度(包括使用的所有 CDN 以内的走线)不应超过 EUT 制造商所规定的最大长度。
对于所有试验，EUT 与 AE 之间电缆的总长度(包括使用的所有 CDN 以内的走线)不应超过 EUT 制造商所规定的最大长度。
第1,203行： 第680行：
选择注入法的规则见图12。
选择注入法的规则见图12。


是—
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图12 选择注入法的规则.jpeg|400px]]
 
使 用CDN 注入见
 
7.51)
 
否 -
 
使用直接注入见 7.8
 
选择注入方法
 
CDN是否合
 
适?
 
是-
 
电磁或电流钳注入
 
是否合适?
 
否
 
屏蔽电缆?2 否
 
是-
 
检查以下要求：
 
I.AE 阻抗150Ω
 
Ⅱ.满足图5的测试配置 Ⅲ.AE 抗扰度足够
 
-是— 是否满足要求?
 
使用电磁或电流 钳注入见7.6
 
否
 
使用电磁或电流 钳注入见7.7


1 见表4。
1) 见表4。


2)见6.2.4。
2)见6.2.4。
第1,261行： 第698行：
任何一个试验都需要两个150Ω的网络，用于将试验信号注入的网络可以在不同的被测端口之间 转移。当一个CDN 从一个端口上移除时，可以用另一个去耦网络替代它。
任何一个试验都需要两个150Ω的网络，用于将试验信号注入的网络可以在不同的被测端口之间 转移。当一个CDN 从一个端口上移除时，可以用另一个去耦网络替代它。


如果 EUT 有多个相同的端口(相同的输入或输出电子电路，负载，连接设备等),至少要选择其中
如果 EUT 有多个相同的端口(相同的输入或输出电子电路，负载，连接设备等),至少要选择其中一个端口进行试验，以确保试验包含了所有不同类型的端口。
 
 
 
一个端口进行试验，以确保试验包含了所有不同类型的端口。


=== 7.5 使用 CDN 注入 ===
=== 7.5 使用 CDN 注入 ===
第1,300行： 第733行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图13 a) 仅连接一个CDN 的二端口EUT 布置示意图.jpeg|400px]]
射频信号源
 
试验信号发生器
 
T2
 
EUT
 
CDN
 
参考接地平面
 
0.1m±0.05m 支撑
 
50Q T
 
CDN 2
 
0.1m±0.05m 支撑
 
0.1m≤L≤0.3m
 
互连电缆
 
h≥30 mm
 
AE
 
L
 
L


如果可能，互连电缆应设置为1 m 长。
如果可能，互连电缆应设置为1 m 长。
第1,345行： 第747行：
=== 7.6 当满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===
=== 7.6 当满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===


当使用钳注入法时，AE 的配置应旱现尽可能接近 1 中 要 求 的 共 模 阻 抗 ( 见 附 录 H), 每 个 AE
当使用钳注入法时，AE 的配置应旱现尽可能接近 1 中 要 求 的 共 模 阻 抗 ( 见 附 录 H), 每 个 AE应尽可能体现实际使用时的安装条件。为了 能满足所需的共模阻抗要求，应采取以下措施：
 
应尽可能体现实际使用时的安装条件。为了 能满足所需的共模阻抗要求，应采取以下措施：


— — 每个 AE 应置于参考地平面上方0 .m 高的绝缘支架上。
— — 每个 AE 应置于参考地平面上方0 .m 高的绝缘支架上。
第1,353行： 第753行：
——钳应置于被测电缆I 将电平设置程厅中预先确定好的试验信号电平提供给钳。
——钳应置于被测电缆I 将电平设置程厅中预先确定好的试验信号电平提供给钳。


试验时，应将电流注尽钳输人端口的屏蔽层或电磁钳的接地村连接至参考地平面(见图14和
试验时，应将电流注尽钳输人端口的屏蔽层或电磁钳的接地村连接至参考地平面(见图14和图 1 5 ) 。
 
图 1 5 ) 。


去耦网络应安装在AE 与 EUT 之间的每一条电缆上，被测电缆除外。
去耦网络应安装在AE 与 EUT 之间的每一条电缆上，被测电缆除外。
第1,370行： 第768行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图13 b) 举例：试验中AE 出现错误时的布置示意图.jpeg|400px]]
 
 
射频信号源
 
0.1m≤L≤0.3m
 
试验信号发生器
 
L
 
L2≤0.3m 如果可能
 
T2
 
*L2*
 
50
 
T
 
CDN 2
 
参考接地平面
 
h≥30 mm
 
0.1m±0.05m 支撑
 
0.1m±0.05m 支撑
 
短接地带(如果需要)
 
50Ω
 
T
 
CDN 1
 
监视探头 (如果需要)
 
钳注入装置
 
测量设备
 
AE 1
 
EUT
 
L
 
L


注 ：关于监视探头的使用，见7 .7。
注 ：关于监视探头的使用，见7 .7。
第1,427行： 第774行：
图14 使用钳注入装置的试验布置一般原理图
图14 使用钳注入装置的试验布置一般原理图


=0.5m
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图15 位于接地平面上的试验单元使用钳注入示例(俯视图).jpeg|400px]]
 
1m≤L≤
 
≥0.5m
 
EUT
 
绝缘支撑
 
h=0.1m±0.05m
 
测量设备


注 ：关于监视探头的使用，见7 . 7。
注 ：关于监视探头的使用，见7 . 7。
DN-T
CDNM
T
50Q
钳注入装置
T2功率衰减器(6
射频信号源
试验信号发生器
参考接地平板
AE2
绝缘支撑 h=0.1m±0.05m
AE1 CDN-Mx
Q
T
dB) 50Ω


图15 位于接地平面上的试验单元使用钳注入示例(俯视图)
图15 位于接地平面上的试验单元使用钳注入示例(俯视图)
第1,481行： 第782行：
=== 7.7 当不满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===
=== 7.7 当不满足共模阻抗要求时的钳注入应用 ===


当使用钳注入且在AE 一侧不满足共模阻抗要求时，AE 的共模阻抗必须小于或等于EUT 的被测
当使用钳注入且在AE 一侧不满足共模阻抗要求时，AE 的共模阻抗必须小于或等于EUT 的被测端口的共模阻抗，否则，在AE 端口应采取措施(例如，使用CDN-M1 或从AE 到地之间加150Ω电阻), 以满足此条件并防止谐振。本程序中，仅给出与7.6中提出的措施有关的差异。
 
 
 
端口的共模阻抗，否则，在AE 端口应采取措施(例如，使用CDN-M1 或从AE 到地之间加150Ω电阻), 以满足此条件并防止谐振。本程序中，仅给出与7.6中提出的措施有关的差异。


——每种 AE 和 EUT 应尽可能接近实际运行的安装条件。例如，将 EUT 连接到参考地平面上或 者将其放在绝缘支架上(见图14和图15)。
——每种 AE 和 EUT 应尽可能接近实际运行的安装条件。例如，将 EUT 连接到参考地平面上或 者将其放在绝缘支架上(见图14和图15)。
第1,532行： 第829行：


应按照试验计划进行试验。
应按照试验计划进行试验。


可以进行一些研究性的试验，以确立试验计划中的某些方面。
可以进行一些研究性的试验，以确立试验计划中的某些方面。
第1,597行： 第892行：




附 录 A
== 附 录 A ==


(规范性附录) 电磁钳和去耦钳
(规范性附录) 电磁钳和去耦钳
第1,630行： 第925行：


注：若钳本身符合A.2定义的参数，也可以使用其他物理尽寸的锥飞例如对较大直径的电缆进行试验)。
注：若钳本身符合A.2定义的参数，也可以使用其他物理尽寸的锥飞例如对较大直径的电缆进行试验)。


单位为 mm
单位为 mm
第1,637行： 第930行：
电磁钳0.15 MHz~80 MHz
电磁钳0.15 MHz~80 MHz


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.1 举例：电磁钳的详细结构.jpeg|400px]]
 
正面(剖视)图
 
EUT
 
 
 
底面(俯视)图


部 件 ：
部 件 ：
第1,684行： 第969行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.2 电磁钳的原理图示例.jpeg|400px]]




第1,722行： 第1,007行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.3 参考平面尺寸.jpeg|400px]]
金属板
 
(例如铜)
 
4 mm金属杆
 
100 mm 100 mm
 
N型连接器
 
正面 侧面 侧面细节


图 A.3 参考平面尺寸
图 A.3 参考平面尺寸


L 考 Lg
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.4 试验夹具.jpeg|400px]]
 
山


图 A.4 试验夹具
图 A.4 试验夹具


*LA* La
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.5 插入被测钳的试验夹具.jpeg|400px]]
 
被测钳
 
山
 
参考接地平板
 
直径4 mm 的金属杆
 
在接地平板上方的高度h


图 A.5 插入被测钳的试验夹具
图 A.5 插入被测钳的试验夹具
第1,767行： 第1,029行：
统中测量其 S 参数 S 、Si ₂、S ₂₁和 S 2₂来表示。在测量之前，应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用 适当的校准套件使用标准直通、开路、短路匹配(TOSM )法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之 间长度带来的影响应通过矢量网络分析仪(VNA )的端口补偿或其他方式进行处理。
统中测量其 S 参数 S 、Si ₂、S ₂₁和 S 2₂来表示。在测量之前，应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用 适当的校准套件使用标准直通、开路、短路匹配(TOSM )法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之 间长度带来的影响应通过矢量网络分析仪(VNA )的端口补偿或其他方式进行处理。


EUT 50Ω
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.6 阻抗去耦系数测量布置.jpeg|400px]]
 
 
 
50 Ω终端负载
 
VNA端口1 LA
 
注入连接器
 
电磁钳
 
VNA端口2
 
La
 
参考接地平板


图A.6 阻抗/去耦系数测量布置
图A.6 阻抗/去耦系数测量布置
第1,849行： 第1,095行：
3种不同电磁钳阻抗曲线的典型实例见图 A.7。
3种不同电磁钳阻抗曲线的典型实例见图 A.7。


2/5
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A . 7 三种电磁钳阻抗的典型实例.jpeg|400px]]
 
 
 
电磁钳-|Z\_EUT|(TOSM-ABCD转换)
 
400
 
350-
 
300-
 
250-
 
200-
 
150-
 
100-
 
50
 
1.0 10.0 100.0
 
%.1
 
频率/MHz


图 A.7 三种电磁钳阻抗的典型实例
图 A.7 三种电磁钳阻抗的典型实例
第1,893行： 第1,113行：




电磁钳-去耦系数(TOSM/ABCD 转换)
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例.jpeg|400px]]
 
a/dB
 
 
 
0
 
-2
 
-4
 
4
 
—6—
 
—8—
 
—10—
 
—12—
 
-14
 
—16—
 
—18—
 
-20. 1.0 10.0
 
100.0
 
频率/MHz
 
图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例
图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例


第1,933行： 第1,120行：
耦合系数应按图 A.10 所示的布置在150Ω系统中测量。 A.2.1 中描述的试验夹具应采用以下调 整：圆柱形金属杆的高度应调整为在钳开口的底部位置。此外，参考平板上应插入150 Ω~50 Ω适配 器。测量前，将夹具背对背连接到参考地平面来归一化试验布置，见图 A.9。推荐使用图 A.9 和图A.10 所示的两个10 dB 衰减器。
耦合系数应按图 A.10 所示的布置在150Ω系统中测量。 A.2.1 中描述的试验夹具应采用以下调 整：圆柱形金属杆的高度应调整为在钳开口的底部位置。此外，参考平板上应插入150 Ω~50 Ω适配 器。测量前，将夹具背对背连接到参考地平面来归一化试验布置，见图 A.9。推荐使用图 A.9 和图A.10 所示的两个10 dB 衰减器。


VNA端口2
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.9 耦合系数测量的归一化布置.jpeg|400px]]
 
(S₂₁)
 
VNA 端口1
 
(S₂1)
 
10 dB 100Ω  100Ω 10 dB
 
参考地平面


图 A.9 耦合系数测量的归一化布置
图 A.9 耦合系数测量的归一化布置
第1,949行： 第1,126行：




EUT
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.10 S₂₁ 耦合系数测量布置.jpeg|400px]]
 
10 dB
 
 
 
VNA 端口1
 
(S21)
 
VNA端口2
 
注入连接器
 
50 Ω终端负载
 
电磁钳
 
(S₂i) *LA*
 
10 dB 100 Q
 
 
 
100Ω
 
50Ω
 
Lg
 
参考接地平板


图 A.10 S₂1 耦合系数测量布置
图 A.10 S₂1 耦合系数测量布置
第1,985行： 第1,132行：
3种不同电磁钳耦合系数曲线的典型实例见图 A.11。
3种不同电磁钳耦合系数曲线的典型实例见图 A.11。


耦合系数/dB
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.11 3 种典型电磁钳耦合系数的典型实例.jpeg|400px]]
 
 
 
电磁钳-耦合系数
 
100
 
频率/MHz


图 A.11 3 种典型电磁钳耦合系数的典型实例
图 A.11 3 种典型电磁钳耦合系数的典型实例
第2,007行： 第1,146行：
断短匹配(TOSM) 法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之间长度带来的影响应通过矢量网络分 析仪(VNA) 的端口补偿或其他方式进行处理。
断短匹配(TOSM) 法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之间长度带来的影响应通过矢量网络分 析仪(VNA) 的端口补偿或其他方式进行处理。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.12 去耦钳特性的测量布置.jpeg|400px]]
 
VNA 端口1 *LA* LB VNA端口2
 
被测去耦钳
 
参考接地平板


图 A.12 去 耦 钳 特 性 的 测 量 布 置
图 A.12 去 耦 钳 特 性 的 测 量 布 置
第2,021行： 第1,154行：
使用A.2.2.1.2 描述的转换方法，输入阻抗(典型实例见图A.13) 由式(A.15) 给出：
使用A.2.2.1.2 描述的转换方法，输入阻抗(典型实例见图A.13) 由式(A.15) 给出：


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.13 去耦钳阻抗的典型实例.jpeg|400px]]
 
… ………………
 
(A.15)
 
IZICTOSM ABCD转换，延时)
 
2/5
 
 
 
2000
 
1800
 
1600-
 
1400
 
1200-
 
1000-
 
800-
 
600-
 
400-
 
200-
 
%.1 1.0 10.0 100.0
 
频率/MHz
 
|  |  |  |
| --- | --- | --- |
| … | - 去 耦 钳 | ---CMAD |


图 A.13 去 耦 钳 阻 抗 的 典 型 实 例
图 A.13 去 耦 钳 阻 抗 的 典 型 实 例
第2,081行： 第1,176行：
此 不 适 用 于 本 部 分 中 涉 及 的 较 低 的 频 率 范 围 。
此 不 适 用 于 本 部 分 中 涉 及 的 较 低 的 频 率 范 围 。


a/dB
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.14 去耦系数的典型实例.jpeg|400px]]
 
 
 
去耦系数(TOSM/ABCD 转换，延时)
 
0
 
—5—
 
—10—
 
—15—
 
—20—
 
—25—
 
-301 1.0 10.0 100.0
 
频率XNHz
 
|  |  |
| --- | --- |
| 去 耦 钳 | ---CMAD |


图 A.14 去 耦系数的典型实例
图 A.14 去 耦系数的典型实例


附 录 B
== 附 录 B ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第2,152行： 第1,223行：




2H/nnnF
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率.jpeg|400px]]
 
 
 
100 M
 
*P-*
 
10M
 
1M-
 
100kL
 
0.1 1 10 100 1000
 
延伸长度L/m
 
co=3×10⁸(m/s);
 
L= 电缆长度+设备尺寸。


例：
例：
第2,190行： 第1,241行：




附 录 C
== 附 录 C ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第2,216行： 第1,267行：




附 录 D
== 附 录 D ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第2,253行： 第1,304行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.1 用于屏蔽电缆的CDN-S1 简化电路图示例(见6.2.2.5).jpeg|400px]]
输入端口
 
R
 
AE 端口
 
L
 
EUT 端口
 
R=100Ω; 在150 kHz 时 ，L≥280μH。


图 D.1 用 于 屏 蔽 电 缆 的 CDN-S1 简化电路图示例(见6 . 2 . 2 . 5)
图 D.1 用 于 屏 蔽 电 缆 的 CDN-S1 简化电路图示例(见6 . 2 . 2 . 5)


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.2 用于非屏蔽电源线的CDN-M1-M2-M3 简化电路图示例(见6.2.2.2).jpeg|400px]]


CDN-M3,C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=300 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH;
CDN-M3,C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=300 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH;
第2,278行： 第1,318行：
图 D.2 用 于 非 屏 蔽 电 源 线 的 CDN-M1/-M2/-M3 简化电路图示例(见6 .2 .2 .2)
图 D.2 用 于 非 屏 蔽 电 源 线 的 CDN-M1/-M2/-M3 简化电路图示例(见6 .2 .2 .2)


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.3 用于非屏蔽不平衡线的CDN-AF2 简化电路图示例(见6.2.2.4).jpeg|400px]]
 
 
 
输 入 端 口
 
R
 
二c₁
 
AE 端口 EUT端口
 
L
 
C₂ 二


C₁(典型值)=10nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=200 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH。
C₁(典型值)=10nF,C₂ (典型值)=47 nF,R=200 Ω;在150 kHz 时 ，L≥280μH。
第2,298行： 第1,324行：
图 D.3 用 于 非 屏 蔽 不 平 衡 线 的CDN-AF2 简化电路图示例(见6 .2 .2 .4)
图 D.3 用 于 非 屏 蔽 不 平 衡 线 的CDN-AF2 简化电路图示例(见6 .2 .2 .4)


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.4 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T2 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]


 
C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47nF,R=200Ω; 在150 kHz 时 ，L₁ ≥280μH,L₂=L₃=6mH (当不使用 C₂和L₃ 时 ，L₁≥30 mH)。
C₁ (典型值)=10 nF,C₂ (典型值)=47nF,R=200Ω; 在150 kHz 时 ，L₁ ≥280μH,L₂=L₃=6mH (当不使用 C₂
 
和L₃ 时 ，L₁≥30 mH)。


图 D.4 用 于 非 屏 蔽 平 衡 线 对 的 CDN-T2 简化电路图示例(见6 .2 .2 . 3)
图 D.4 用 于 非 屏 蔽 平 衡 线 对 的 CDN-T2 简化电路图示例(见6 .2 .2 . 3)




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.5 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T4 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]




第2,314行： 第1,338行：
图 D.5 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T4 简 化电路图示例(见6 .2 .2.3 )
图 D.5 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T4 简 化电路图示例(见6 .2 .2.3 )


输入端口
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8简化电路图示例(见6.2.2.4).jpeg|400px]]
 
 


C ( 典 型 值 ) = 2 . 2 nF,R=800Ω; 在 1 5 0 kHz 时 ，L>>280μH。
C ( 典 型 值 ) = 2 . 2 nF,R=800Ω; 在 1 5 0 kHz 时 ，L>>280μH。
第2,322行： 第1,344行：
图 D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8 简化电路图示例(见6.2.2.4)
图 D.6 用于非屏蔽不平衡线的CDN AF8 简化电路图示例(见6.2.2.4)


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.7 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]


C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ，L -280pH 、La>>6 ml。
C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ，L -280pH 、La>>6 ml。
第2,330行： 第1,352行：




附 录 E
== 附 录 E ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第2,363行： 第1,385行：




附 录 F
== 附 录 F ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第2,401行： 第1,423行：
AE 可以放置在提高的参考地平面上，但如果AE 通过 CDN 连接到EUT 时，则AE 不需要放置在 提高的参考地平面上。当使用直接注入法时，如果使用适当的去耦方式，AE 可以位于提高的参考地平 面之外。在使用钳注入替代 CDN 注入时，AE 必须放置在提高的参考地平面上。
AE 可以放置在提高的参考地平面上，但如果AE 通过 CDN 连接到EUT 时，则AE 不需要放置在 提高的参考地平面上。当使用直接注入法时，如果使用适当的去耦方式，AE 可以位于提高的参考地平 面之外。在使用钳注入替代 CDN 注入时，AE 必须放置在提高的参考地平面上。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图F.1 使用提高的水平参考地平面的大尺寸EUT 试验布置示例.jpeg|400px]]
 
 
 
CDN-M¹
 
CDN AE
 
提高的参考
 
地平面
 
EUT
 
绝缘支撑
 
接地连接
 
地平面


本测试中，EUT 接地通过M1连 接到附加平面上
本测试中，EUT 接地通过M1连 接到附加平面上
第2,439行： 第1,443行：
在使用水平提高的参考地平面的试验布置中给出的说明(例如，绝缘支架和 AE 的位置)也适用于 使用垂直参考地平面的试验布置。
在使用水平提高的参考地平面的试验布置中给出的说明(例如，绝缘支架和 AE 的位置)也适用于 使用垂直参考地平面的试验布置。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸EUT 试验布置示例.jpeg|400px]]
 
CDN
 
EUT
 
CDN-M1
 
垂直地平面
 
接地连接
 
AE


图 F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例
图 F.2 使用垂直参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例
第2,457行： 第1,449行：




附 录 G
== 附 录 G ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第2,507行： 第1,499行：
1) 方括号中的数字参见附录G 结尾处的参考文献。
1) 方括号中的数字参见附录G 结尾处的参考文献。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.1 使用CDN 对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]
 
试验电压等 级的不确定 度
 
功率放大器压缩
 
SW电平精度功率放大器谐波 CDN 校准数据 试验发生器/CDN 150Ω到50Ω转换器
 
失配


图 G.1 使 用CDN 对试验电压电平的影响量示例
图 G.1 使 用CDN 对试验电压电平的影响量示例


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.2 使用电磁钳对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]
 
电 平 表 试验发生器电平 试验发生器电平漂移 电平表/钳失配
 
试验发生器线性度
 
试验电压 等级的不 确定度
 
功率放人器压缩
 
150Ω到50Ω转换器
 
sw 电 平 精 度 功率放大器谐波 监 测 系 统 电 流 探 头 电 做 钳 校 准 试 验 发 生 器 甜 失 配
 
和 电 流 计


图 G2 使用电磁钳对试验电压电平的影响量示例
图 G2 使用电磁钳对试验电压电平的影响量示例




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.3 使用电流钳对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]
电 平 表 试验发生器电平 试验发生器电平源移 1 5 0 9 到 5 0Q 转 换 器 多 电平表/钳失配
 
试验发生器线性度
 
试验电压 等级的不 确定度
 
功率放大器压缩
 
功率放大器谐波 监测系统(电流探头， 电 表 )
 
钳校准 试验发生器/钳失配
 
SW电 平 精 度


图 G.3 使用电流钳对试验电压电平的影响量示例
图 G.3 使用电流钳对试验电压电平的影响量示例


电 平 表 试验发生器电平 试验发生器电平漂移
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例.jpeg|400px]]
 
试验发生器线性度
 
试验发生器/
 
注入失配 150Ω到50Ω转换器
 
试验电压 等级的不 确定度
 
功率放大器压缩
 
功率放大器谐波 直接注入校准 去耦装置
 
sw 电平精度


图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例
图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例
第2,603行： 第1,546行：
注2:符号包含在下面的缩写词解释中。
注2:符号包含在下面的缩写词解释中。


U₀
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图G.5 电平调整电路示意图.jpeg|400px]]
 
*UICe/*
 
UMe
 
50Ω
 
发生器/功率放大器/衰减器6 dB
 
1002
 
耦合去耦网络
 
100Q
 
测试夹具
 
电平表 *Umm*
 
50Ω


图 G.5 电平调整电路示意图
图 G.5 电平调整电路示意图
U


表 G.1 CDN 电平调整程序
表 G.1 CDN 电平调整程序
第2,866行： 第1,785行：




附 录 H
== 附 录 H ==


(资料性附录) AE 阻抗的测量
(资料性附录) AE 阻抗的测量
第2,914行： 第1,833行：


通过加载 AE, 试验电平U。的分压比将发生变化，从而得出AE 阻抗，见图 H.1 。50Ω 电压表上读 到的电压限值见表 H.2。
通过加载 AE, 试验电平U。的分压比将发生变化，从而得出AE 阻抗，见图 H.1 。50Ω 电压表上读 到的电压限值见表 H.2。
GB/T 17626.6—2017/IEC 61000-4-6:2013


表 H.2 用于 AE 阻抗测量的导出分压比
表 H.2 用于 AE 阻抗测量的导出分压比
第2,947行： 第1,864行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图H.1 使用电压表阻抗测量框图.jpeg|400px]]
装有50Ω 负载的CDN
 
O
 
o
 
T2
 
1000
 
校准
 
电 阻
 
参考接地平板
 
502射频电压表 射频信号源
 
试验发生器
 
0.1m±0.05m 支 撑
 
到EUT
 
AE


图 H.1 使用电压表阻抗测量框图
图 H.1 使用电压表阻抗测量框图
第3,017行： 第1,909行：
|}
|}


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图H . 2 使用电流探头测量阻抗.jpeg|400px]]
 
装有50Ω 负载的CDN
 
CDN
 
O
 
到EUT
 
9
 
T2
 
100Ω 校准 电阻
 
0.1m±0.05m 支撑
 
参考接地平板
 
射频信号源
 
试验发生器
 
50Q 射频电压表
 
电流监视探头
 
AE


图 H.2 使用电流探头测量阻抗
图 H.2 使用电流探头测量阻抗
第3,083行： 第1,947行：




附 录 I
== 附 录 I ==


(资料性附录) 端口间注入
(资料性附录) 端口间注入
第3,118行： 第1,982行：




 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图I.1 端口间注入试验布置的示例.jpeg|400px]]
 
 
CDN-M2
 
电源
 
C
 
CDN-T4 50Ω端接
 
EUT
 
0
 
电信类AE
 
CDN-T4
 
电信类AE
 
o
 
T2
 
绝缘支撑
 
h=0.1 m±0.05m
 
参考接地平板
 
射频信号源
 
试验发生器
 
以太网2
 
以太网1
 
电源


图1.1 端只间注入试验布置的示例
图1.1 端只间注入试验布置的示例
第3,163行： 第1,988行：




附 录 J
== 附 录 J ==


(资料性附录)
(资料性附录)
第3,203行： 第2,028行：
这样可以将骚扰电压电平的误差限制在10%内。例如，测得一个10 V 的宽带信号中的9 V 来 自 基波，4.5 V 来自谐波。对于校准不确定度这可能是可以接受的。
这样可以将骚扰电压电平的误差限制在10%内。例如，测得一个10 V 的宽带信号中的9 V 来 自 基波，4.5 V 来自谐波。对于校准不确定度这可能是可以接受的。


对于在输出端有一个固定的低通滤波器的放大器，基波频率的上限是放大器规定的最大频率的三
对于在输出端有一个固定的低通滤波器的放大器，基波频率的上限是放大器规定的最大频率的三分之一。
 
 
 
分之一。


在放大器饱和且低通滤波器抑制谐波的情况下，无论如何放大器的压缩点不应超过2 dB。( 例 如 ， 最差的频率，经调制的最大骚扰电压电平)。在2 dB 压缩点，其峰值幅度(电压)将减小20%。这将导 致调幅指数从80%下降到64%,即调整过的到EUT 的电压将减小20%。
在放大器饱和且低通滤波器抑制谐波的情况下，无论如何放大器的压缩点不应超过2 dB。( 例 如 ， 最差的频率，经调制的最大骚扰电压电平)。在2 dB 压缩点，其峰值幅度(电压)将减小20%。这将导 致调幅指数从80%下降到64%,即调整过的到EUT 的电压将减小20%。
第3,245行： 第2,066行：
注：选择的其他频率点的适用性可以用放大器试验数据的评估来证明。
注：选择的其他频率点的适用性可以用放大器试验数据的评估来证明。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.1 放大器的线性测量的布置.jpeg|400px]]
 
衰减器
 
信号发生器 功率放大器
 
耦合装置
 
功率计
 
定向耦合器 T2
 
频谱分析仪


图 J.1 放大器的线性测量的布置
图 J.1 放大器的线性测量的布置
第3,285行： 第2,094行：
出在最小电平-30ABm 和最大电平0 dBm 之间变化。此示例中的放大器超出了允差。
出在最小电平-30ABm 和最大电平0 dBm 之间变化。此示例中的放大器超出了允差。


放大器输出电平/dBm
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.2 线性特性.jpeg|400px]]
 
 
 
10-
 
5
 
 
 
-5
 
-10
 
—15—
 
—20—
 
-2530 -25 -20 -10 -5 0
 
信号发生器输出电平/dBm


图 J.2 线性特性
图 J.2 线性特性
第3,315行： 第2,104行：
试验频率应是J.4.2.3 中确定的所有不符合的频率。
试验频率应是J.4.2.3 中确定的所有不符合的频率。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.3 调制深度的测量布置.jpeg|400px]]
 
衰减器
 
信号发生器 功率放大器 定向耦合器
 
耦合装置
 
频谱分析仪
 
正向功率


图 J.3 调制深度的测量布置
图 J.3 调制深度的测量布置
第3,341行： 第2,120行：
当 L。大于10 dB[m(调制度)<64%]或L.6dB 时，试验报告中应包含此结果。
当 L。大于10 dB[m(调制度)<64%]或L.6dB 时，试验报告中应包含此结果。


 
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.4 AM 调制信号的频谱示意图.jpeg|400px]]
 
电压
 
*Les*
 
频率
 
L L


图 J.4 AM 调制信号的频谱示意图
图 J.4 AM 调制信号的频谱示意图
焦雨桐
5,472

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