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电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度GB 17626.6-2017:修订间差异

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== 标准状态 ==
== 标准状态 ==
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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IEC 60050(161) 国际电工词汇(IEV) 第161章:电磁兼容[International Electrotechnical Vo-
IEC 60050(161) 国际电工词汇(IEV) 第161章:电磁兼容[International Electrotechnical Vo- cabulary(IEV)—Chapter 161:Electromagnetic compatibility]
 
cabulary(IEV)—Chapter 161:Electromagnetic compatibility]


== 3 术语和定义 ==
== 3 术语和定义 ==
第57行: 第56行:


钳注入是通过电缆上的钳合式“电流”注入装置获得的。
钳注入是通过电缆上的钳合式“电流”注入装置获得的。




第142行: 第140行:
本部分所涉及的骚扰源,通常指来自射频发射机的电磁场,该电磁场可能作用于连接设备的整条电缆。虽然被干扰设备(多数是较大系统的 一 部分)的尺寸比骚扰信号的波长小,但与 EUT 相 连 的 输 入 线和输出线(例如电源线、通信线、接口电缆等)可能成为无源的接收天线网络和有用信号及无用信号的 传导路径。
本部分所涉及的骚扰源,通常指来自射频发射机的电磁场,该电磁场可能作用于连接设备的整条电缆。虽然被干扰设备(多数是较大系统的 一 部分)的尺寸比骚扰信号的波长小,但与 EUT 相 连 的 输 入 线和输出线(例如电源线、通信线、接口电缆等)可能成为无源的接收天线网络和有用信号及无用信号的 传导路径。


电缆网络间的敏感设备易受到流经设备的骚扰电流的影响。假设连接设备的电缆系统处于谐振的 方 式(A/4 和λ/2展开或折叠偶极子),由相对于参考地平面(板)具有150Ω共模阻抗的耦合/去耦装置 代表这种电缆系统。如果可能,EUT 连接在两个150Ω共模阻抗之间进行试验: 一 个提供射频信号源, 另 一 个提供电流回路。
电缆网络间的敏感设备易受到流经设备的骚扰电流的影响。假设连接设备的电缆系统处于谐振的 方 式(λ/4 和λ/2展开或折叠偶极子),由相对于参考地平面(板)具有150Ω共模阻抗的耦合/去耦装置 代表这种电缆系统。如果可能,EUT 连接在两个150Ω共模阻抗之间进行试验: 一 个提供射频信号源, 另 一 个提供电流回路。


该试验方法是使 EUT 处于骚扰源模拟实际发射机形成的电场和磁场中。这些骚扰场(电场和磁 场)是由如图1a)所示的试验装置产生的电压或电流形成的近区电场和磁场来近似表示的。
该试验方法是使 EUT 处于骚扰源模拟实际发射机形成的电场和磁场中。这些骚扰场(电场和磁 场)是由如图1a)所示的试验装置产生的电压或电流形成的近区电场和磁场来近似表示的。
第244行: 第242行:
试验信号发生器包括在适当的注入点上以规定的信号电平将骚扰信号施加给每个耦合装置输入端口的 全部设备和部件。以下部件的典型组装可以是分立的,也可以是集成到一个或多个测量设备中的(见图3):
试验信号发生器包括在适当的注入点上以规定的信号电平将骚扰信号施加给每个耦合装置输入端口的 全部设备和部件。以下部件的典型组装可以是分立的,也可以是集成到一个或多个测量设备中的(见图3):


——射频信号源 G1: 能覆盖所规定的频段,用1kHz 正弦波调幅,调制度为80%。应能够手动控制(
——射频信号源 G1: 能覆盖所规定的频段,用1kHz 正弦波调幅,调制度为80%。应能够手动控制(比如,频率,幅度和调制度);或在具有射频合成器的情况下,可对频率步进和驻留时间编程控制。
 
如,频率,幅度和调制度);或在具有射频合成器的情况下,可对频率步进和驻留时间编程控制。


——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平,可以包含在射频信号源中。
——衰减器T1( 典 型 0 dB~40 dB):具有合适的频率特性来控制试验信号源的输出电平,可以包含在射频信号源中。


— — 射频开关S1: 当测量 EUT 的抗扰度时,可以接通和断开骚扰信号的射频开关。可以包含在射 频信号源中。
—— 射频开关S1: 当测量 EUT 的抗扰度时,可以接通和断开骚扰信号的射频开关。可以包含在射 频信号源中。
 
— — 宽带功率放大器PA: 当射频信号源的输出功率不足时,需要加功率放大器。


— — 低通滤波器LPF 和/或高通滤波器 HPF: 为避免干扰某些类型的EUT, 例如,(高次或亚)谐波
—— 宽带功率放大器PA: 当射频信号源的输出功率不足时,需要加功率放大器。


可能对射频接收机产生干扰,需要时,应将它们加在宽带功率放大器PA 和衰减器 T2 之间。
—— 低通滤波器LPF 和/或高通滤波器 HPF: 为避免干扰某些类型的EUT, 例如,(高次或亚)谐波可能对射频接收机产生干扰,需要时,应将它们加在宽带功率放大器PA 和衰减器 T2 之间。


——衰减器 T2: 具有足够额定功率的衰减器(固有衰减≥6 dB) 。 提供衰减器是为了减小因耦合装 置失配引起的功率放大器的电压驻波比(VSWR)。
——衰减器 T2: 具有足够额定功率的衰减器(固有衰减≥6 dB) 。 提供衰减器是为了减小因耦合装 置失配引起的功率放大器的电压驻波比(VSWR)。
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表 2 试验信号发生器的特性
表 2 试验信号发生器的特性


'''此处表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表2 试验信号发生器的特性.jpeg|400px]]


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图3 试验信号发生器的配置.jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图3 试验信号发生器的配置.jpeg|400px]]
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| 24 MHz~80 MHz
| 24 MHz~80 MHz
|-
|-
| style="vertical-align:middle;" | |Zce|
| style="vertical-align:middle;" | |Z|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω Ω2a
|}
|}


注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 , 则CDN 可 能 并 不 适 用 。
注 1 : 如 果 CDN 的 内 部 信 号 衰 减 对 有 用 信 号 有 不 可 接 受 的 影 响 , 则CDN 可 能 并 不 适 用 。


注 2 :Z 的 幅 角 以 及 EUT 端 口 和 AE 端 口 之 间 的 去 耦 系 数 均 未 单 独 规 定 , 由AE 端 口 对 参 考 地 平 面 开 路 或 短 路
注 2 :Z 的 幅 角 以 及 EUT 端 口 和 AE 端 口 之 间 的 去 耦 系 数 均 未 单 独 规 定 , 由AE 端 口 对 参 考 地 平 面 开 路 或 短 路 时应 满 足 | Z| 容 差 的 要 求 来 体 现 对 这 些 参 数 的 要 求 。
 
满 足 | Z| 容 差 的 要 求 来 体 现 对 这 些 参 数 的 要 求 。


注 3 : 钳 的 详 细 信 息 见 附 录 A。
注 3 : 钳 的 详 细 信 息 见 附 录 A。
第368行: 第360行:
如果 EUT 具有功能接地端子(例如,为了射频的目的或者大的漏电流),应将它们连接到参考地平 面 上 :
如果 EUT 具有功能接地端子(例如,为了射频的目的或者大的漏电流),应将它们连接到参考地平 面 上 :


当EUT 的特性或规范允许时通过 CDN-M1 连接。在这种情况下,供电电源应通过合适的 CDN-Mx型网络提供;
—— 当EUT 的特性或规范允许时通过 CDN-M1 连接。在这种情况下,供电电源应通过合适的 CDN-Mx型网络提供;


—— 由于射频或其他原因,当EUT 的特性和规范不允许CDN -M1 网络串联于地端子上,地端子应 直接连接到参考地平面上 。在这种情况下,应使用CDN- M2 网络代替 CDN-M3 网络来防止 由保护地导体形成的射频短路。当设备已经通过 CDN-M 1 或 CDN -M2 供电,运行中应保留 它 们 。
—— 由于射频或其他原因,当EUT 的特性和规范不允许CDN -M1 网络串联于地端子上,地端子应 直接连接到参考地平面上 。在这种情况下,应使用CDN- M2 网络代替 CDN-M3 网络来防止 由保护地导体形成的射频短路。当设备已经通过 CDN-M 1 或 CDN -M2 供电,运行中应保留 它 们 。
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6.2.2.3 用于非屏蔽平衡线的CDN
6.2.2.3 用于非屏蔽平衡线的CDN


对于非屏蔽平衡线,可使用CDN-T2ACDM-T4 或 DN-T8 耦 合 和 去 耦 骚 扰 信 号 。 附 录 D
对于非屏蔽平衡线,可使用CDN-T2、CDM-T4 或 CDN-T8 耦 合 和 去 耦 骚 扰 信 号 。 附 录 D 的图 D.4、图 D.5 和 图 D.7 中给出这些电路简图
 
D.4、图 D.5 和 图 D.7 中给出这些电路简图


——CDN-T2 用于有1个对称对(2线)的电缆。
——CDN-T2 用于有1个对称对(2线)的电缆。
第388行: 第378行:
——CDN-T8 用于有4个对称对(8线)的电缆。
——CDN-T8 用于有4个对称对(8线)的电缆。


如果其他CDNTx 网 络 对指定的频率范围是合适的并满足6 .2. 1 的要求,也可以使用这些网络。 例如,CDN 的差模到共模变换损耗与所安装电缆或连接到所安装电缆的设备规定的度换率相比应具有 较大的值。如果规定的变换率对于电缆和设备是不同的,则较小的值适用。通常,由于没有适用的 CDN, 对平衡的多组对电缆采用钳注入法更合适。
如果其他CDN-Tx 网 络 对指定的频率范围是合适的并满足6 .2. 1 的要求,也可以使用这些网络。 例如,CDN 的差模到共模变换损耗与所安装电缆或连接到所安装电缆的设备规定的度换率相比应具有 较大的值。如果规定的变换率对于电缆和设备是不同的,则较小的值适用。通常,由于没有适用的 CDN, 对平衡的多组对电缆采用钳注入法更合适。


6.2.2.4 用于非屏蔽不平衡线的 CDN
6.2.2.4 用于非屏蔽不平衡线的 CDN
第470行: 第460行:
6.3.1 概述
6.3.1 概述


耦合/去耦装置的特性由EUT 端口上的共模阻抗 |Z。 | 表示。合适的 | Z| 值可保证测量结
耦合/去耦装置的特性由EUT 端口上的共模阻抗 |Z。 | 表示。合适的 | Z。| 值可保证测量结果的重现性。耦合/去耦装置的共模阻抗校准按图8所示的配置。
 
果的重现性。耦合/去耦装置的共模阻抗校准按图8所示的配置。


耦合/去耦装置和阻抗参考平面[图8a]] 应放在参考地平面上,参考地平面的尺寸应超过装置所有 边的几何投影尺寸至少0.2 m。
耦合/去耦装置和阻抗参考平面[图8a]] 应放在参考地平面上,参考地平面的尺寸应超过装置所有 边的几何投影尺寸至少0.2 m。
第491行: 第479行:
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 a) 验证耦合去耦装置阻抗特性的配置示例.jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图8 a) 验证耦合去耦装置阻抗特性的配置示例.jpeg|400px]]


——参考地平面:应超过耦合/去耦装置和其他部件投影尺寸至少0.2 m。


——参考地平面:应超过耦合/去耦装置和其他部件投影尺寸至少0.2 m。
——同轴连接器应水平地连接至EUT 端口。
——同轴连接器应水平地连接至EUT 端口。
——EUT 端口的高度h 取决于CDN, 可能从30 mm~100 mm不等;尤其是大电流CDN 的EUT 端口位置更高。
——EUT 端口的高度h 取决于CDN, 可能从30 mm~100 mm不等;尤其是大电流CDN 的EUT 端口位置更高。
——同轴连接器平面(包含同轴连接器):h=30 mm 时尺寸为100 mm×100 mm,h 为其他值时尺寸为150 mm×
 
150 mm。
——同轴连接器平面(包含同轴连接器):h=30 mm 时尺寸为100 mm×100 mm,h 为其他值时尺寸为150 mm×150 mm。
 
——两连接器平面均应由铜、黄铜或铝制成,并且必须有良好的射频接触。
——两连接器平面均应由铜、黄铜或铝制成,并且必须有良好的射频接触。


第553行: 第543行:
对每 一 个耦合装置应遵循的程序:
对每 一 个耦合装置应遵循的程序:


a) 提供给耦合装置前向功率(无调制),使得在150 Ω~50Ω适配器的输出端口获得等于 Um 的 电压;记录射频信号源的电平 Pgen,和/或功率放大器输出端口的前向功率 Pfor以 及 1 5 0 Ω ~ 50Ω适配器输出端口的电压Umr;
a) 提供给耦合装置前向功率(无调制),使得在150 Ω~50Ω适配器的输出端口获得等于 Um 的 电压;记录射频信号源的电平 Pg,和/或功率放大器输出端口的前向功率 P以 及 1 5 0 Ω ~ 50Ω适配器输出端口的电压Um;


b) 以最大不超过当前频率1%的步进增加频率;
b) 以最大不超过当前频率1%的步进增加频率;
第559行: 第549行:
c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz);
c) 重复步骤 a) 和 b), 直到序列中的下 一 个频率将超出试验范围内的最高频率(例如80 MHz);


d) 利用记录的射频信号源电平Pgem、前向功率Por 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率;
d) 利用记录的射频信号源电平Pg、前向功率Pfo 和步骤 a) 中获得的电压 Um, 计算在耦合装置 EUT 端口产生需要的电压所必要的前向功率和/或射频信号源功率;


e) 应确保放大器不饱和,使用从步骤 d) 获得的数据调整试验信号发生器以产生所需的试验电 平。最高试验电平只需要使用步骤1)~4)来确定:
e) 应确保放大器不饱和,使用从步骤 d) 获得的数据调整试验信号发生器以产生所需的试验电平。最高试验电平只需要使用步骤1)~4)来确定:


1) 按照步进5.1 dB 增加射频信号源电平;
1) 按照步进5.1 dB 增加射频信号源电平;


2) 记录传递至耦合装置的新的输出功率 Pfor,ine或150 Q~50Ω 适配器输出端口的电 压 Umr,inc;
2) 记录传递至耦合装置的新的输出功率 Pfor,ime或150 Q~50Ω 适配器输出端口的电 压 Umr,in;


3 ) 计 算Pfor,ine与 Pfor或 Umr,ine与 Um 的差值(对数形式);
3 ) 计 算Por,inc与 Po或 Um,mc与 Um 的差值(对数形式);


4) 如果差值在3.1 dB~7.1 dB之间则说明放大器在允许范围内且试验系统在选定的试验等级上 满足需要。如果差值小于3.1 dB 或大于7.1 dB 则放大器处于非线性状态且不满足试验要求。
4) 如果差值在3.1 dB~7.1 dB之间则说明放大器在允许范围内且试验系统在选定的试验等级上 满足需要。如果差值小于3.1 dB 或大于7.1 dB 则放大器处于非线性状态且不满足试验要求。
第575行: 第565行:
调整程序的步骤 a) 中 的Umr应为:
调整程序的步骤 a) 中 的Umr应为:


线性值表示,或 ([1)](#bookmark44)
<math>U_{\mathrm{mr}}=\frac{U_0}{6}\binom{+19\%}{-16\%}</math>线性值表示,或


Umr=U₀-15.6 dB±1.5 dB 对数值表示 ([2)](#bookmark45)
Um=U₀-15.6 dB±1.5 dB 对数值表示
 
注3:U。是表1中定义的试验电压,U 是3.12和图9中定义的测量电压。为减小试验误差,试验信号发生器的输出电平


注3:U。是表1中定义的试验电压,Um 是3.12和图9中定义的测量电压。为减小试验误差,试验信号发生器的输出电平
通过连接150Ω负载(例如用150 Q~50Ω 适配器和50Ω终端阻抗)依据Um设置,而不是依据U₀ 来设置。
通过连接150Ω负载(例如用150 Q~50Ω 适配器和50Ω终端阻抗)依据Um设置,而不是依据U₀ 来设置。


第630行: 第619行:
EUT 应放在参考地平面上方0.1m 高的绝缘支架上。对于台式设备,参考地平面可以置于桌面上 (见图10)。
EUT 应放在参考地平面上方0.1m 高的绝缘支架上。对于台式设备,参考地平面可以置于桌面上 (见图10)。


在全部的被测电缆上,应插入耦合/去耦装置(见7.4.3)。耦合/去耦装置应置于参考地平面上距 EUT0.1m~0.3m 处,并与参考地平面直接接触。耦合/去耦装置以及EUT 之间的电缆应尽可能短并
在全部的被测电缆上,应插入耦合/去耦装置(见7.4.3)。耦合/去耦装置应置于参考地平面上距 EUT0.1m~0.3m 处,并与参考地平面直接接触。耦合/去耦装置以及EUT 之间的电缆应尽可能短并且不可捆扎或卷曲,电缆应置于参考地平面上方至少30 mm。
 
且不可捆扎或卷曲,电缆应置于参考地平面上方至少30 mm。


EUT 与 AE 之间的连接电缆应尽可能短。
EUT 与 AE 之间的连接电缆应尽可能短。
第653行: 第640行:
由 相 互 连 在 一 起 的 多 个 单 元 组 成 的 EUT, 应 用 下 述 方 法 之 一 进 行 试 验 ( 见 图 1 1 ) 。
由 相 互 连 在 一 起 的 多 个 单 元 组 成 的 EUT, 应 用 下 述 方 法 之 一 进 行 试 验 ( 见 图 1 1 ) 。


— — 优先法:每个分单元应作为 一 个 EUT 分 别 试 验 ( 见 7 . 2 ) , 其 他 所 有 单 元 被 视 为 AE。 耦 合 /
—— 优先法:每个分单元应作为 一 个 EUT 分 别 试 验 ( 见 7 . 2 ) , 其 他 所 有 单 元 被 视 为 AE。 耦 合 / 去耦 装 置 应 置 于 作 为 EUT 的分单元的电缆上(按7 . 4 . 1),全部分单元应依次进行试验。
 
装 置 应 置 于 作 为 EUT 的分单元的电缆上(按7 . 4 . 1),全部分单元应依次进行试验。


— — 代 替 法 : 总 是 由 短 电 缆 ( 即 ≤ 1 m) 互 连 并 作 为 EUT 的 一 部 分 的 分 单 元 , 可 被 认 为 是 一 个 EUT 。 这 些 互 连 电 缆 被 视 为 系 统 的 内 部 电 缆 , 不 再 对 它 们 进 行 传 导 抗 扰 度 试 验 。 作 为 EUT 一 部分的各分单元应尽可能相互靠近但不接触,并全部置于绝缘支架上,这些单元的互连电缆 也应放在绝缘支架上。所有其他电缆应按7 . 4~7 . 8进行试验。
—— 代 替 法 : 总 是 由 短 电 缆 ( 即 ≤ 1 m) 互 连 并 作 为 EUT 的 一 部 分 的 分 单 元 , 可 被 认 为 是 一 个 EUT 。 这 些 互 连 电 缆 被 视 为 系 统 的 内 部 电 缆 , 不 再 对 它 们 进 行 传 导 抗 扰 度 试 验 。 作 为 EUT 一 部分的各分单元应尽可能相互靠近但不接触,并全部置于绝缘支架上,这些单元的互连电缆 也应放在绝缘支架上。所有其他电缆应按7 . 4~7 . 8进行试验。


EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。
EUT 距 试 验 设 备 以 外 的 金 属 物 体 至 少 0 . 5 m。
第740行: 第725行:


图13 使用一个 CDN 时二端口 EUT 的抗扰度试验布置示意图
图13 使用一个 CDN 时二端口 EUT 的抗扰度试验布置示意图




第749行: 第731行:
当使用钳注入法时,AE 的配置应旱现尽可能接近 1 中 要 求 的 共 模 阻 抗 ( 见 附 录 H), 每 个 AE应尽可能体现实际使用时的安装条件。为了 能满足所需的共模阻抗要求,应采取以下措施:
当使用钳注入法时,AE 的配置应旱现尽可能接近 1 中 要 求 的 共 模 阻 抗 ( 见 附 录 H), 每 个 AE应尽可能体现实际使用时的安装条件。为了 能满足所需的共模阻抗要求,应采取以下措施:


— — 每个 AE 应置于参考地平面上方0 .m 高的绝缘支架上。
—— 每个 AE 应置于参考地平面上方0 .1m 高的绝缘支架上。


——钳应置于被测电缆I 将电平设置程厅中预先确定好的试验信号电平提供给钳。
——钳应置于被测电缆I 将电平设置程厅中预先确定好的试验信号电平提供给钳。


试验时,应将电流注尽钳输人端口的屏蔽层或电磁钳的接地村连接至参考地平面(见图14和图 1 5 ) 。
——试验时,应将电流注尽钳输人端口的屏蔽层或电磁钳的接地村连接至参考地平面(见图14和图 1 5 ) 。


去耦网络应安装在AE 与 EUT 之间的每一条电缆上,被测电缆除外。
——去耦网络应安装在AE 与 EUT 之间的每一条电缆上,被测电缆除外。


——除连接到EUT 的电缆外,应为连接到每个AE 的所有电缆提供去耦网络,见6 .2.5 和 图 5。
——除连接到EUT 的电缆外,应为连接到每个AE 的所有电缆提供去耦网络,见6 .2.5 和 图 5。


连接到每个AE 的去耦网络(除了在EUT 和 AE 之间的)距AE 的距离不应超过0.3 m (距离: L2) 。AE 与去耦网络之间的电缆或 AE 与注入钳之间的电缆既不捆扎,也不盘绕,且应保持 在高于参考地平面30mm 的高度(图 ·5)。
——连接到每个AE 的去耦网络(除了在EUT 和 AE 之间的)距AE 的距离不应超过0.3 m (距离: L2) 。AE 与去耦网络之间的电缆或 AE 与注入钳之间的电缆既不捆扎,也不盘绕,且应保持 在高于参考地平面30mm 的高度(图 5)。


——被测电缆一端是EUT, 另 一 端 是AE 。EUT 可 以 使 用CDN 连接到多个 AE; 然而,在 EUT 和 多 个 AE 之 间 应 只 有 一 个CDN 端 接 50 Ω 负 载 。 应 遵 循 7 . 5 中 的 优 先 次 序 选 择 被 端 接 的 CDN。
——被测电缆一端是EUT, 另 一 端 是AE 。EUT 可 以 使 用CDN 连接到多个 AE; 然而,在 EUT 和 多 个 AE 之 间 应 只 有 一 个CDN 端 接 50 Ω 负 载 。 应 遵 循 7 . 5 中 的 优 先 次 序 选 择 被 端 接 的 CDN。
第786行: 第768行:
——每种 AE 和 EUT 应尽可能接近实际运行的安装条件。例如,将 EUT 连接到参考地平面上或 者将其放在绝缘支架上(见图14和图15)。
——每种 AE 和 EUT 应尽可能接近实际运行的安装条件。例如,将 EUT 连接到参考地平面上或 者将其放在绝缘支架上(见图14和图15)。


——将电流监视探头(具有低插入损耗)插入注入钳和 EUT 之间,监视由感应电压(按照6.4.1调 整)产生的电流。如果电流超过下面给出的电路标称值 Imax,应减小试验信号发生器电平,直 到测得的电流等于 Imax值:
将电流监视探头(具有低插入损耗)插入注入钳和 EUT 之间,监视由感应电压(按照6.4.1调 整)产生的电流。如果电流超过下面给出的电路标称值 Imax,应减小试验信号发生器电平,直 到测得的电流等于 Imax值:


Imax=U₀/150Ω
Imax=U₀/150Ω
第800行: 第782行:
——EUT 应置于距参考地平面0.1m 高度的绝缘支架上。
——EUT 应置于距参考地平面0.1m 高度的绝缘支架上。


——在被测电缆上,去耦网络应位于注入点和 AE 之间,尽可能靠近注入点。第二个端口应使用
——在被测电缆上,去耦网络应位于注入点和 AE 之间,尽可能靠近注入点。第二个端口应使用150 Ω(CDN 用50Ω负载端接)。应按照7.5中的优先次序选择此端口。在所有其他附属于 EUT 的电缆上应安装去耦网络(当端口开路,CDN 可以认为是去耦网络)。


150 Ω(CDN 用50Ω负载端接)。应按照7.5中的优先次序选择此端口。在所有其他附属于 EUT 的电缆上应安装去耦网络(当端口开路,CDN 可以认为是去耦网络)。
——注入点应位于参考地平面上方,从EUT 的几何投影到注入点之间的距离为0.1 m~0.3 m。


——注入点应位于参考地平面上方,从EUT 的几何投影到注入点之间的距离为0.1 m~0.3 m。 ——试验信号应通过100 Ω电阻直接注入到电缆屏蔽层上(见6.2.4)。
——试验信号应通过100 Ω电阻直接注入到电缆屏蔽层上(见6.2.4)。


当直接连接到金属箔屏蔽层上时,应适当加以注意,以确保良好的连接来产生可靠的试验结果。
当直接连接到金属箔屏蔽层上时,应适当加以注意,以确保良好的连接来产生可靠的试验结果。
第856行: 第838行:
——EUT 的尺寸;
——EUT 的尺寸;


—-EUT 的典型工作状态;
——EUT 的典型工作状态;


——EUT 作为单个单元还是多个单元进行试验;
——EUT 作为单个单元还是多个单元进行试验;
第862行: 第844行:
— 互连电缆的类型,包括电缆的长度和连接到 EUT 上的那些端口;
— 互连电缆的类型,包括电缆的长度和连接到 EUT 上的那些端口;


——为满足要求而使用的任何特定条件,例如,电缆长度和类型,屏蔽或接地,或 EUT 工作状态; ——如果必要,提供EUT 的恢复时间;
——为满足要求而使用的任何特定条件,例如,电缆长度和类型,屏蔽或接地,或 EUT 工作状态;  
 
——如果必要,提供EUT 的恢复时间;


——使用的试验设备的类型,以及 EUT 、AE、耦合/去耦装置的位置;
——使用的试验设备的类型,以及 EUT 、AE、耦合/去耦装置的位置;
第878行: 第862行:
——试验所采用的频率范围;
——试验所采用的频率范围;


—-扫描频率、驻留时间和频率步进;
——扫描频率、驻留时间和频率步进;


——采用的试验等级;
——采用的试验等级;
第888行: 第872行:
——在试验骚扰施加过程中或之后,从 EUT 观察到的任何现象及其持续的时间;
——在试验骚扰施加过程中或之后,从 EUT 观察到的任何现象及其持续的时间;


—合格/不合格判定的依据(基于通用标准,产品标准和产品类标准中规定的性能判据,或制造商 与买方之间的共识)。
——合格/不合格判定的依据(基于通用标准,产品标准和产品类标准中规定的性能判据,或制造商 与买方之间的共识)。




第896行: 第880行:
(规范性附录) 电磁钳和去耦钳
(规范性附录) 电磁钳和去耦钳


A.1 电磁钳
=== A.1 电磁钳 ===


A.1.1 概述
A.1.1 概述
第906行: 第890行:
电磁钳用于对电缆注人试验信号。其特性参数为:
电磁钳用于对电缆注人试验信号。其特性参数为:


— — 工作频率范围:0.15 MHz~80 MHz;
——工作频率范围:0.15 MHz~80 MHz;


——长度:650 mm ± 50 mm;
——长度:650 mm ± 50 mm;


——钳开口中心在地平面上方的高度:50-mms70mm;
——钳开口中心在地平面上方的高度:50mm~70mm;


——钳开口直径:20 mm 2 mm:
——钳开口直径:20 mm ±2 mm:


——钳参考点(从外表面到第一个磁芯的距离:<30mm;
——钳参考点(从外表面到第一个磁芯的距离:<30mm;
第992行: 第976行:
图 A.2 电 磁 钳 的 原 理 图 示 例
图 A.2 电 磁 钳 的 原 理 图 示 例


A.2 电 磁 钳 的 特 性
=== A.2 电 磁 钳 的 特 性 ===


A.2.1 钳 试 验 夹 具 规 范
A.2.1 钳 试 验 夹 具 规 范


如 图 A.4 和 图 A.5 所示,用于测量钳 S 参 数 的 试 验 夹 具 应 在 金 属 板 ( 参 考 地 平 面 ) 上 方 具 有 一 个 圆 柱形金属杆。试验夹具由三部分组成:两个带有无损耗50Ω适配器的参考平面,以及在这两个参考平 面间形成的一条传输线,见图 A.3~图 A.5 。为测量电磁钳的特性,应使用单根金属杆。此金属杆的长 度 (LA+Ls+L 参考)设置为满足图 A.5 允 许 的 尺 寸 。
如 图 A.4 和 图 A.5 所示,用于测量钳 S 参 数 的 试 验 夹 具 应 在 金 属 板 ( 参 考 地 平 面 ) 上 方 具 有 一 个 圆 柱形金属杆。试验夹具由三部分组成:两个带有无损耗50Ω适配器的参考平面,以及在这两个参考平 面间形成的一条传输线,见图 A.3~图 A.5 。为测量电磁钳的特性,应使用单根金属杆。此金属杆的长 度 (LA+Lg+L 参考)设置为满足图 A.5 允 许 的 尺 寸 。


圆柱形金属杆的直径d 为4 mm 。在地平面上方的高度 h 由钳的尺寸定义,典型值为50 mm~ 70 mm。应在由钳开口的中心位置所定义的高度上实施测量。
圆柱形金属杆的直径d 为4 mm 。在地平面上方的高度 h 由钳的尺寸定义,典型值为50 mm~ 70 mm。应在由钳开口的中心位置所定义的高度上实施测量。
第1,002行: 第986行:
钳参考点(第一个磁芯)与夹具垂直边缘之间的距离LA 和 LB 应为30 mm±5mm (见图 A.5)。参 考地平面的尺寸应超出试验布置的各边至少0.2 m。
钳参考点(第一个磁芯)与夹具垂直边缘之间的距离LA 和 LB 应为30 mm±5mm (见图 A.5)。参 考地平面的尺寸应超出试验布置的各边至少0.2 m。


100 mm




第1,043行: 第1,024行:
注:所有计算均为复数形式。
注:所有计算均为复数形式。


Z=502 …………………… (A.1)
Z=50Ω …………………… (A.1)


…………………(A.2)
<math>A=\frac{(1+S_{11})(1-S_{22})+S_{12}S_{21}}{2S_{21}}</math>…………………(A.2)


……………………
<math>B=\frac{(1+S_{11})(1+S_{22})-S_{12}S_{21}}{2S_{21}}Z_{\mathrm{ref}}</math>……………………(A.3)


……………………
<math>C=\frac{(1-S_{11})(1-S_{22})-S_{12}S_{21}}{2S_{21}}Z_{\mathrm{ref}}</math>……………………(A.4)


……………………
<math>D=\frac{(1-S_{11})(1+S_{22})+S_{12}S_{21}}{2S_{21}}</math>……………………(A.5)


以 A 、B、C 、D 参数为依据,可以计算出一组基于试验夹具特性阻抗Z 的 S 参数。
以 A 、B、C 、D 参数为依据,可以计算出一组基于试验夹具特性阻抗Z 的 S 参数。


|  |  |
<math>Z_{\mathrm{ref}}^{\prime}=60\Omega\cosh^{-1}\left(\frac{2h}{d}\right)</math>……………………(A.6)
| --- | --- |
|  此处:  d: 夹具的导体直径(定义为4 mm );  h: 夹具的导体中心在地平面上方的高度。 | …………………… |


(A.3)
此处: 
d: 夹具的导体直径(定义为4 mm )
h: 夹具的导体中心在地平面上方的高度。


(A.4)
B'=B/Z'  ……………………(A.7)


(A.5)
C'=C·Z' …………………… (A.8)


(A.6)
<math>S_{11}^{\prime}=\frac{A+B^{\prime}-C^{\prime}-D}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>……………………(A.9)


B'=B/Z' ref ……………………(A.7)


C'=C·Z' ef …………………… (A.8)


……………………(A.9)
<math>S_{12}^{\prime}=\frac{2(AD-BC)}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>…………………… (A.10)






…………………… (A.10)
<math>S_{21}^{\prime}=\frac{2}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>……………………(A.11)






……………………(A.11)
<math>S_{22}^{\prime}=\frac{-A+B^{\prime}-C^{\prime}+D}{A+B^{\prime}+C^{\prime}+D}</math>…………………… (A.12)
 
 
 
…………………… (A.12)




第1,091行: 第1,066行:
输入阻抗由式(A.13) 给出:
输入阻抗由式(A.13) 给出:


……………………(A.13)
<math>Z_{\mathrm{~in}}=Z_{\mathrm{~ref}}^{\prime}\frac{1+S_{11}^{\prime}}{1-S_{11}^{\prime}}</math>……………………(A.13)


3种不同电磁钳阻抗曲线的典型实例见图 A.7。
3种不同电磁钳阻抗曲线的典型实例见图 A.7。
第1,107行: 第1,082行:
应使用A.2.2.1.1 和 A.2.2.1.2 所述的测量布置和转换方法。去耦系数由式(A.14) 计算:
应使用A.2.2.1.1 和 A.2.2.1.2 所述的测量布置和转换方法。去耦系数由式(A.14) 计算:


a[dB ]=20log₁ o(ABS(S ²1) ……………………(A.14)
<math>a[dB]=20logio(ABS(S^{\prime}z_1))</math> ……………………(A.14)


3种不同电磁钳去耦系数曲线的典型实例见图A.8。
3种不同电磁钳去耦系数曲线的典型实例见图A.8。




[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例.jpeg|400px]]


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例.jpeg|400px]]
图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例
图A.8 3 种电磁钳去耦系数的典型实例


第1,123行: 第1,098行:


图 A.9 耦合系数测量的归一化布置
图 A.9 耦合系数测量的归一化布置




第1,142行: 第1,116行:
A.3.1.1 测量布置
A.3.1.1 测量布置


阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。去耦钳应置于试验夹具中,见图 A.12 。 在阻抗测量 中去耦钳被视为一个二端口装置,其特性可以使用网络分析仪在50Ω系统中测量其S 参 数S₁1 、Si₂ 、 S₂ 和 S₂₂ 来表示。在测量之前,应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用适当的校准套件使用标准通
阻抗的测量应使用A.2.1 中定义的试验夹具。去耦钳应置于试验夹具中,见图 A.12 。 在阻抗测量 中去耦钳被视为一个二端口装置,其特性可以使用网络分析仪在50Ω系统中测量其S 参 数Su 、S 、 S₂ 和 S₂来表示。在测量之前,应在电缆末端(要连接到夹具的那一端)用适当的校准套件使用标准通断短匹配(TOSM) 法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之间长度带来的影响应通过矢量网络分 析仪(VNA) 的端口补偿或其他方式进行处理。
 
断短匹配(TOSM) 法归一化网络分析仪。电缆末端与钳参考点之间长度带来的影响应通过矢量网络分 析仪(VNA) 的端口补偿或其他方式进行处理。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.12 去耦钳特性的测量布置.jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.12 去耦钳特性的测量布置.jpeg|400px]]
第1,153行: 第1,125行:


使用A.2.2.1.2 描述的转换方法,输入阻抗(典型实例见图A.13) 由式(A.15) 给出:
使用A.2.2.1.2 描述的转换方法,输入阻抗(典型实例见图A.13) 由式(A.15) 给出:
<math>Z_{\mathrm{~in}}=Z_{\mathrm{~tef}}^{^{\prime}}\frac{1+S_{11}^{^{\prime}}}{1-S_{11}^{^{\prime}}}</math>……………………(A.15)


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.13 去耦钳阻抗的典型实例.jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图A.13 去耦钳阻抗的典型实例.jpeg|400px]]
第1,164行: 第1,138行:
A.3.2 去 耦 系 数
A.3.2 去 耦 系 数


应 使 用A.3.1.1 和 A.2.2.1.2 所 述 的 测 量 布 置 和 转 换 方 法 。 去 耦 系 数 ( 典 型 实 例 见 图 A.14) 由 式(A.
应 使 用A.3.1.1 和 A.2.2.1.2 所 述 的 测 量 布 置 和 转 换 方 法 。 去 耦 系 数 ( 典 型 实 例 见 图 A.14) 由 式(A.16 ) 计 算 :


1 6 ) 计 算 :
<math>a[dB]=20logio(ABS(S^{\prime}z_1))</math> ……………………(A.16)
 
 
 
a[dB]=20log₁₀(ABS(S'21)) ……………………(A.16)


注:共模吸收装置(CMAD) ( 见 CISPR 16-1-44)设 计 为 在 3 0 MHz 到 2 0 0 MHz 之 间 具 有 良 好 的 去 耦 特 性 , 可 能 因
注:共模吸收装置(CMAD) ( 见 CISPR 16-1-44)设 计 为 在 3 0 MHz 到 2 0 0 MHz 之 间 具 有 良 好 的 去 耦 特 性 , 可 能 因
第1,201行: 第1,171行:
| 80 MHz~230 MHz
| 80 MHz~230 MHz
|-
|-
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z<sub>o</sub>|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω=4a
| 150 Ω±60Ω
| 150 Ω±60Ω
|- style="vertical-align:middle;"
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="4" | 注1:Z<sub>ce</sub>的幅角以及EUT端口和AE端口之间的去耦系数均未单独规定,由AE端口对参考地平面开路或短路 时应满足|Z<sub>ce</sub>| 容差的要求来体现这些参数。 <br />注2:当使用钳注入法时,如果不满足AE的共模阻抗要求,则可能无法满足Z<sub>ce</sub>的要求。然而,若采用7.7的规 范,钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
| colspan="4" | 注1:Z<sub>o</sub>的幅角以及EUT端口和AE端口之间的去耦系数均未单独规定,由AE端口对参考地平面开路或短路 时应满足|Z<sub>o</sub>| 容差的要求来体现这些参数。 <br />注2:当使用钳注入法时,如果不满足AE的共模阻抗要求,则可能无法满足Z的要求。然而,若采用7.7的规 范,钳注入法可以提供能够接受的试验结果。
|}
|}


第1,213行: 第1,183行:
考虑3种不同情况:
考虑3种不同情况:


a) 既不连接到地又不连接其他任何设备,且充电期间不工作的电池供电设备(尺寸小于A/4), 无 需按照本部分进行试验。如果在充电期间设备工作,则采用b) 或 c)。
a) 既不连接到地又不连接其他任何设备,且充电期间不工作的电池供电设备(尺寸小于λ/4), 无 需按照本部分进行试验。如果在充电期间设备工作,则采用b) 或 c)。


对电池供电设备(尺寸不小于λ/4),基于其尺寸、包括连接电缆的最大长度来确定其起始频 率,见图 B.1。
对电池供电设备(尺寸不小于λ/4),基于其尺寸、包括连接电缆的最大长度来确定其起始频 率,见图 B.1。
第1,220行: 第1,190行:


c) 设备连接到电网(电源),也通过控制、数据或通信电缆连接到其他隔离或非隔离设备。起始频 率为150 kHz。
c) 设备连接到电网(电源),也通过控制、数据或通信电缆连接到其他隔离或非隔离设备。起始频 率为150 kHz。




第1,227行: 第1,196行:
例:
例:


—对电缆连接到键盘(延长尺寸≥λ/4)由电池供电的个人计算机,并带有长度为4 m 的环绕式电缆,起始频率应 是6.67 MHz,由模拟手覆盖键盘,对带有恰好2 m 长电缆的鼠标器,起始频率是15 MHz 等。
——对电缆连接到键盘(延长尺寸≥λ/4)由电池供电的个人计算机,并带有长度为4 m 的环绕式电缆,起始频率应 是6.67 MHz,由模拟手覆盖键盘,对带有恰好2 m 长电缆的鼠标器,起始频率是15 MHz 等。


——带可选择交直流适配器的袖珍式计算器,应在适配器电源一端从150 kHz 开始扫频试验,并由模拟手覆盖袖珍 式 计 算 器 。
——带可选择交直流适配器的袖珍式计算器,应在适配器电源一端从150 kHz 开始扫频试验,并由模拟手覆盖袖珍 式 计 算 器 。
第1,238行: 第1,207行:


图 B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率
图 B.1 以电缆长度和设备尺寸为函数表示的起始频率




第1,264行: 第1,232行:


在上述场所,骚扰源的强度很少超过试验等级所描述的典型电平值。在某些地点可能超过这些值, 例如,在同一建筑物中的高功率发射机或工、科 读设 备附 近 。此情况下,对房间或建筑物进行屏蔽以及 对设备的电源线和信号线滤波可能比规定全部设备 具 有免 受这些电平影响的能力更好。
在上述场所,骚扰源的强度很少超过试验等级所描述的典型电平值。在某些地点可能超过这些值, 例如,在同一建筑物中的高功率发射机或工、科 读设 备附 近 。此情况下,对房间或建筑物进行屏蔽以及 对设备的电源线和信号线滤波可能比规定全部设备 具 有免 受这些电平影响的能力更好。




第1,277行: 第1,244行:
CDN 应提供:
CDN 应提供:


— — 对 EUT 耦合骚扰信号;
——对 EUT 耦合骚扰信号;


——从 EUT 看进去的稳定阻抗,与 AE 的共模阻抗无关;
——从 EUT 看进去的稳定阻抗,与 AE 的共模阻抗无关;
第1,287行: 第1,254行:
CDN 在 1 5 0 kHz~80 MHz 频率范围内的典型参数见6.2. 1,D.2 列举了 一 些CDN。
CDN 在 1 5 0 kHz~80 MHz 频率范围内的典型参数见6.2. 1,D.2 列举了 一 些CDN。


在图 D.1~D7 中,共模阻抗 Z 是由试验信号发生器的内阻抗(50 Ω)和被测电缆的导体并联组合 的等效电阻(100Q) 形成的。当使用合适的电感器L(wLI>>150 Ω)时,去耦元件电容器 C₂ 不 应 影 响共模阻抗 Z。
在图 D.1~D7 中,共模阻抗 Z 是由试验信号发生器的内阻抗(50 Ω)和被测电缆的导体并联组合 的等效电阻(100Q) 形成的。当使用合适的电感器L(lwL|>>150 Ω)时,去耦元件电容器 C₂ 不 应 影 响共模阻抗 Z。


CDN 上的EUT 端 口 的中心应位于参考地平面上方30 mm 处 。CDN 和 EUT 之间的电缆,如果位 于参考地平面上方30 mm 处 ,即可代表约1500特性阻抗的传输 线
CDN 上的EUT 端 口 的中心应位于参考地平面上方30 mm 处 。CDN 和 EUT 之间的电缆,如果位 于参考地平面上方30 mm 处 ,即可代表约150Ω特性阻抗的传输 线


为试验信号发生器和CDN 的 每一根电缆携供直流和低频隔离的 电 容C ,其阻抗在规定频率范围 内应远小于150 h
为试验信号发生器和CDN 的 每一根电缆携供直流和低频隔离的 电 容C<sub>1</sub> ,其阻抗在规定频率范围 内应远小于150Ω


对非屏蔽电缆,用共模电感器干和电容器或者只用电感器1为AE 去耦。对屏蔽电缆,由于在 AE 侧屏蔽层会连接至参考地平面,故无需电容器C 2
对非屏蔽电缆,用共模电感器L和电容器C或者只用电感器L为AE 去耦。对屏蔽电缆,由于在 AE 侧屏蔽层会连接至参考地平面,故无需电容器C2


对非屏蔽电缆,所选的( 值不应迂分影响有用信号, 对CDN ,有用信号过分影响CDN 的 参 数 是 不允许的,例如,在CDN -MI 中 ,铁氧体的饱和。
对非屏蔽电缆,所选的( 值不应迂分影响有用信号, 对CDN ,有用信号过分影响CDN 的 参 数 是 不允许的,例如,在CDN -MI 中 ,铁氧体的饱和。


警告:在用于电源的 CDN 中,因为C 和 C₂ 跨接带电部分,应使用合适的Y 电 容。由 于 漏 电 流 大 , 在全部试验条件下,CDN 应具有接地端子并连接到参考地平面,且参考地平面应以适当的方式连接到 保护地上。
警告:在用于电源的 CDN 中,因为C<sub>1</sub> 和 C₂ 跨接带电部分,应使用合适的Y 电 容。由 于 漏 电 流 大 , 在全部试验条件下,CDN 应具有接地端子并连接到参考地平面,且参考地平面应以适当的方式连接到 保护地上。


D.2 耦合/去耦网络的举例
=== D.2 耦合/去耦网络的举例 ===


图 D.1~ 图 D.7 给出了几种可能的CDN ,因为仅用一种 CDN 不可能满足所有功能要求。
图 D.1~ 图 D.7 给出了几种可能的CDN ,因为仅用一种 CDN 不可能满足所有功能要求。
第1,334行: 第1,301行:




C(典型值)=5 . 6 mF,R=4000 年在150 kHz 时 ,L 280 =6mH
C(典型值)=5 . 6 mF,R=400Ω;在150 kHz 时 ,L<sub>1</sub> >> 280μH,L<sub>2</sub> =6mH


图 D.5 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T4 简 化电路图示例(见6 .2 .2.3 )
图 D.5 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T4 简 化电路图示例(见6 .2 .2.3 )
第1,346行: 第1,313行:
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.7 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图D.7 用于非屏蔽平衡线对的CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3).jpeg|400px]]


C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ,L -280pH 、La>>6 ml。
C(典型值)=2.2 nF,R=800 Ω;在150 kHz 时 ,L<sub>1</sub> >>280pH 、L<sub>2</sub>>>6 mH。


图D.7 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3)
图D.7 用于非屏蔽平衡线对的 CDN-T8 简化电路图示例(见6.2.2.3)




第1,382行: 第1,348行:
| colspan="3" | 注:使用输出电平调整电路[见图9c]]可以测得3.6中定义的耦合系数。耦合系数是当使用耦合/去耦装置串联 150Ω/50Ω适配器时所获得的输出电压Um与当使用两个串联的1502/50 Ω适配器时所获得的输出电压 之比。
| colspan="3" | 注:使用输出电平调整电路[见图9c]]可以测得3.6中定义的耦合系数。耦合系数是当使用耦合/去耦装置串联 150Ω/50Ω适配器时所获得的输出电压Um与当使用两个串联的1502/50 Ω适配器时所获得的输出电压 之比。
|}
|}




第1,429行: 第1,394行:
图 F.1 使用提高的水平参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例
图 F.1 使用提高的水平参考地平面的大尺寸 EUT 试验布置示例


图 F.2 中所示的垂直参考地平面是这种试验布置的参考地平面。垂直参考地平面的目的是减小
图 F.2 中所示的垂直参考地平面是这种试验布置的参考地平面。垂直参考地平面的目的是减小EUT 与 CDN 之间的电缆长度,从而控制和减小电缆中的谐振效应。
 
EUT 与 CDN 之间的电缆长度,从而控制和减小电缆中的谐振效应。


注2:在EUT的输入输出电缆在不同的高度或仅使用一个CDN的情况下,垂直参考地平面比水平参考地平面更 适 用 。
注2:在EUT的输入输出电缆在不同的高度或仅使用一个CDN的情况下,垂直参考地平面比水平参考地平面更 适 用 。
第1,455行: 第1,418行:
试验电压电平的测量不确定度
试验电压电平的测量不确定度


G.1 概述
=== G.1 概述 ===


依据本部分正文中所述试验方法的特定要求,附录G 给出了试验仪器所产生的电压的测量不确定 度的信息。有关测量不确定度的进一步信息可以参见[ 1,2, 3]1
依据本部分正文中所述试验方法的特定要求,附录G 给出了试验仪器所产生的电压的测量不确定 度的信息。有关测量不确定度的进一步信息可以参见[ 1,2, 3]


附录 G 主要以电平调整的不确定度为例,说明了如何基于试验仪器的不确定度和6.4中所述的试 验电压电平调整程序进行不确定度评定。影响量的其他参数(如调制频率、调制深度等)可能同样重要, 实验室也应视情况进行考虑。 附 录G 所示方法适用于所有影响量的参数。
附录 G 主要以电平调整的不确定度为例,说明了如何基于试验仪器的不确定度和6.4中所述的试 验电压电平调整程序进行不确定度评定。影响量的其他参数(如调制频率、调制深度等)可能同样重要, 实验室也应视情况进行考虑。 附 录G 所示方法适用于所有影响量的参数。
第1,463行: 第1,426行:
附录G 的主要内容是评估6.4节中的试验电平调整程序要求的在 EUT 阻 抗15 0Ω的情况下电压 电平调整的不确定度。关于不同实验室对同一 EUT 的试验无法复现问题的分析不在本附录范围内。
附录G 的主要内容是评估6.4节中的试验电平调整程序要求的在 EUT 阻 抗15 0Ω的情况下电压 电平调整的不确定度。关于不同实验室对同一 EUT 的试验无法复现问题的分析不在本附录范围内。


G.2 通用符号
=== G.2 通用符号 ===


表 G.1 以及下面列出的通用符号是E1]中定义的通用符号的 部 分
表 G.1 以及下面列出的通用符号是E1]中定义的通用符号的 部 分


X ; — 影响量;
X<sub>1</sub>—— 影响量;


x ; —X 的 估 值 ;
x ; ——X 的 估 值 ;


u( x;)—— x 的 标 准 不 确定度:
u( x;)—— x; 的 标 准 不 确定度:


c; —灵 敏 系 数 ;
c; ——灵 敏 系 数 ;


y —— 测量结果,(被测量的估值)所识别到的显著的系统影响均已修正 ;
y —— 测量结果,(被测量的估值)所识别到的显著的系统影响均已修正 ;


u(y) y 的(合成的)标准不确定度:
u(y)—— y 的(合成的)标准不确定度:


U(y) ——y 的扩展不确定度;
U(y) ——y 的扩展不确定度;
第1,485行: 第1,448行:
δX; —— 影 响 量X; 的 修 正。
δX; —— 影 响 量X; 的 修 正。


G.3 试验方法的不确定度评定
=== G.3 试验方法的不确定度评定 ===


G.3.1 被测量的定义
G.3.1 被测量的定义
第1,491行: 第1,454行:
被测量是第5章中定义的开路试验电压U₀。
被测量是第5章中定义的开路试验电压U₀。


注:U, 是在150 kHz~80 MHz频率范围内一个特定频率上,通过一个加在150Ω负载上的耦合装置提供的电压。 为了计算不确定度,用dB(μV) 表示。
注:U<sub>o</sub> 是在150 kHz~80 MHz频率范围内一个特定频率上,通过一个加在150Ω负载上的耦合装置提供的电压。 为了计算不确定度,用dB(μV) 表示。


G.3.2 被测量的不确定度来源
G.3.2 被测量的不确定度来源
第1,515行: 第1,478行:


图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例
图 G.4 使用直接注入对试验电压电平的影响量示例




第1,528行: 第1,490行:
式(G.1) 给出了 CDN 电压电平调整程序的模型函数(所有量均使用对数单位):
式(G.1) 给出了 CDN 电压电平调整程序的模型函数(所有量均使用对数单位):


U₀=ULMe+15.6dB+δLM 。+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML
U₀=ULme+15.6dB+δLM 。+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML……………………(G.1)
 
……………………(G.1)


式(G.1) 中的影响量 ULM。是直接来自功率计上的或转换为 dB(μV) 的指示电压Umr。
式(G.1) 中的影响量 ULM。是直接来自功率计上的或转换为 dB(μV) 的指示电压Umr。
第1,538行: 第1,498行:
式(G.2) 和式(G.3) 给出了CDN 试验过程的模型函数(所有量均使用对数单位):
式(G.2) 和式(G.3) 给出了CDN 试验过程的模型函数(所有量均使用对数单位):


U₀=U+20log1o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW
U₀=U+20log1o(6/5)+δLMC+δCAL+δSW……………………(G.2)
 
……………………(G.2)


U=ULMe+20log10(5) ……………………(G.3)
U=ULme+20logio(5) ……………………(G.3)


注2:符号包含在下面的缩写词解释中。
注2:符号包含在下面的缩写词解释中。
第1,552行: 第1,510行:
表 G.1 CDN 电平调整程序
表 G.1 CDN 电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-表 G.1 CDN 电平调整程序.jpeg|400px]]
 
表 G.2 CDN 试验程序
表 G.2 CDN 试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.2 CDN 试验程序.jpeg|400px]]


注3:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或者试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量写人表G.1 和表G.2 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分,其 并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注4)。然而表 G.1 和表 G.2 包含试验信 号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详细的分 析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。
注3:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或者试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量写人表G.1 和表G.2 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分,其 并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注4)。然而表 G.1 和表 G.2 包含试验信 号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详细的分 析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。
第1,565行: 第1,524行:
对表 G.1 和表 G.2 中使用的缩写词解释如下:
对表 G.1 和表 G.2 中使用的缩写词解释如下:


RCAL——150 Q/50Ω适配器的不确定度。这种影响量通常可以从校准报告中获得。或者可以使 用网络分析仪测量插入损耗[见图8c]]。规定的插入损耗(9.5 dB) 的最大偏差及其校准不确定度应该
RCAL——150Ω /50Ω适配器的不确定度。这种影响量通常可以从校准报告中获得。或者可以使 用网络分析仪测量插入损耗[见图8c]]。规定的插入损耗(9.5 dB) 的最大偏差及其校准不确定度应该包括在表G.1 和 表G.2 。 如果校准证书只申明符合规定的容差,那么建议使用0 .5 dB。
 
 
 
包括在表G.1 和 表G.2 。 如果校准证书只申明符合规定的容差,那么建议使用0 .5 dB。


注6:偏差可以用软件修正。在这种情况下,最大偏差可以简化为插值不确定度和校准不确定度。
注6:偏差可以用软件修正。在这种情况下,最大偏差可以简化为插值不确定度和校准不确定度。


注7:150Ω~50Ω适配器的阻抗也可以直接测量,例如,使用网络分析仪或引用校准证书。在这种情况下,来自
注7:150Ω~50Ω适配器的阻抗也可以直接测量,例如,使用网络分析仪或引用校准证书。在这种情况下,来自100 Ω的偏差和校准不确定度可以插入表G.1 和表G.2 。其灵敏系数c 相应改变。
 
100 Ω的偏差和校准不确定度可以插入表G.1 和表G.2 。其灵敏系数c 相应改变。


SETUP—— 由电平调整的设置引入的合成不确定度,即校准夹具,CDN 和 CDN 适配器与参考地 平面之间的连接的影响,例如,连接参考地平面。这种影响量可以从变化条件的复现性试验中得出或根 据本示例的经验进行评估而得到。
SETUP—— 由电平调整的设置引入的合成不确定度,即校准夹具,CDN 和 CDN 适配器与参考地 平面之间的连接的影响,例如,连接参考地平面。这种影响量可以从变化条件的复现性试验中得出或根 据本示例的经验进行评估而得到。
第1,581行: 第1,534行:
LMe—— 电平表的不确定度,即用于在CDN 输出端测量电平的电压表或功率计的不确定度。它可 以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。
LMe—— 电平表的不确定度,即用于在CDN 输出端测量电平的电压表或功率计的不确定度。它可 以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。


SW.—— 来自电平调整程序中用于电平调整的信号发生器和软件系统的不连续的电平步进的不确 定度。实验室通常可以对软件系统进行调整。
SWe—— 来自电平调整程序中用于电平调整的信号发生器和软件系统的不连续的电平步进的不确 定度。实验室通常可以对软件系统进行调整。


LMCe ——电平表的不确定度,即用于信号发生器和放大器输出电平的控制回路的电压表或功率
LMC——电平表的不确定度,即用于信号发生器和放大器输出电平的控制回路的电压表或功率计的不确定度。可以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。


计的不确定度。可以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。
TGe—— 试验信号发生器的不确定度,包括频率发生器,功率放大器和衰减器的不确定度。可以从制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。
 
TG—— 试验信号发生器的不确定度,包括频率发生器,功率放大器和衰减器的不确定度。可以从
 
制造商的说明书得到也可以从其他来源确定。


注8:试验信号爱生器的单个组件的不确定度(例如,信号发生器、功率放大器稳定性、功率放大器的快速增益变化, 衰减器等)可以分开评估,特别是试验配置中未使用控制回路时。
注8:试验信号爱生器的单个组件的不确定度(例如,信号发生器、功率放大器稳定性、功率放大器的快速增益变化, 衰减器等)可以分开评估,特别是试验配置中未使用控制回路时。
第1,597行: 第1,546行:
ML ——CDN 和电平表之间的失配
ML ——CDN 和电平表之间的失配


CAL— 电平调整程序中试验电压电平的牧展不确定度。
CAL—— 电平调整程序中试验电压电平的牧展不确定度。


LMC. —电平表的不确定度,例如,制造商的说明书中采用的圻率放大器的输出端使用的电平表 的不确定度。或者,为了获得较低的不确定度可 使 用 功率计。
LMC<sub>1</sub>——电平表的不确定度,例如,制造商的说明书中采用的圻率放大器的输出端使用的电平表 的不确定度。或者,为了获得较低的不确定度可 使 用 功率计。


TG₁ 试验信号发生器的不确定度,包据频察发生器功率放大器和衰减器的不确定度。可以从
TG₁ ——试验信号发生器的不确定度,包据频察发生器功率放大器和衰减器的不确定度。可以从制造商的说明书获得,也可以庆其 他 来 源确 定。
 
制造商的说明书获得,也可以庆其 他 来 源确 定。


注9:试验僵号发生器的单个组件的不确定度(例如主信号源、功率放天器稳定性、功率敢大器的快速增益变化,衰减
注9:试验僵号发生器的单个组件的不确定度(例如主信号源、功率放天器稳定性、功率敢大器的快速增益变化,衰减
第1,611行: 第1,558行:
MT₁——放大器、衰减器与CDN 之间失配的合成。如果电平调整和试验使用相同的衰减器和电 缆,则此影响量可以忽略。
MT₁——放大器、衰减器与CDN 之间失配的合成。如果电平调整和试验使用相同的衰减器和电 缆,则此影响量可以忽略。


Sw.—— 来自信号发生器的不连续的电平步进和试验过程中用于电平调整的软件窗口的不确定 度。实验室通常可以调整软件窗日
SW<sub>1</sub>—— 来自信号发生器的不连续的电平步进和试验过程中用于电平调整的软件窗口的不确定 度。实验室通常可以调整软件窗口


式(G.4) 给出了电磁钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.4) 给出了电磁钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=ULm 。+15.6dB+δLM +δRCAL+OSETUP+δSW.+δML
U₀=U₁M.+15.6dB+δLM.+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML……………………(G.4)
 
……………………(G.4)


式(G.4) 中的影响量ULm。是直接来自功率计上的或转化为 dB(μV) 的 指 示 电 压Um。
式(G.4) 中的影响量ULm。是直接来自功率计上的或转化为 dB(μV) 的 指 示 电 压Um。
第1,625行: 第1,570行:
式(G.5) 和 式(G.6) 给出了电磁钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.5) 和 式(G.6) 给出了电磁钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=U,+20log₁o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δAETERM
U₀=U,+20log₀(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW₁+δAETERM……………………(G.5)


……………………(G.5)
U=ULm+20logi₀(5) ……………………(G.6)
 
U=ULM 。+20log₁₀(5) ……………………(G.6)


注11:符号包含在下面的缩写词解释中。
注11:符号包含在下面的缩写词解释中。




表 G.3 电磁钳电平调整程序
表 G.3 电磁钳电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.3 电磁钳电平调整程序.jpeg|400px]]


表 G.4 电磁钳试验程序
表 G.4 电磁钳试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.4 电磁钳试验程序.jpeg|400px]]


注12:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.3和表 G.4中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注13)。然而表 G.3 和表G.4 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。
注12:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.3和表 G.4中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注13)。然而表 G.3 和表G.4 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。
第1,665行: 第1,607行:
式(G.7) 给出了电流钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.7) 给出了电流钳电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=ULM +15.6 dB+δLM.+δRCAL+δJIG+δSW +δML
U₀=ULM.+15.6     dB+δLM.+δRCAL+δJIG+δSW.+δML……………………(G.7)


……………………(G.7)
式(G.7) 中的影响量ULm 是直接来自功率计上的或转换为dB(μV 的指示电压Umr
 
式(G.7) 中的影响量ULm 是直接来自功率计上的或转换为dB(μV 的指示电压Um


注16:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
注16:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
第1,675行: 第1,615行:
式(G.8) 和 式(G.9 )给出了电流钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.8) 和 式(G.9 )给出了电流钳试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):


U₆=U,+20log₁o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δAETERM
U₀=U₄+20logi₀(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW₁+δAETERM…………………( G.8)
 
… ………………( G.8)


U.-U₁m.+20logi₀(5) …… ……………( G.9)
U=ULMe+20logi₀(5) …………………( G.9)


注17:符号包含在下面的缩写词解释中。
注17:符号包含在下面的缩写词解释中。
第1,685行: 第1,623行:
表 G 5 电流钳电平调整程序
表 G 5 电流钳电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 表 G.5 电流钳电平调整程序.jpeg|400px]]


表 G.6 电流钳试验程序
表 G.6 电流钳试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 表 G.6 电流钳试验程序.jpeg|400px]]
 




表 G.6 ( 续)
表 G.6 ( 续)


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 表 G.6 (续).jpeg|400px]]


注18:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路将LMC 或试验信号发 生器(TO 其 中一个影响量加入表G.5 和表G.6 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注19)。然而表G5 和表 G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释
注18:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路将LMC 或试验信号发 生器(TO 其 中一个影响量加入表G.5 和表G.6 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注19)。然而表G5 和表 G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释
第1,707行: 第1,644行:
原则上,若干与前例(如 EDN 方法)相同的项目不再解释,可参考前例。
原则上,若干与前例(如 EDN 方法)相同的项目不再解释,可参考前例。


注21:在使用监视探头和应用电流限幅的情况下,附象G 未考虑7,7涉 及的不确定度。此条件下U 。的值与电平
注21:在使用监视探头和应用电流限幅的情况下,附象G 未考虑7,7涉 及的不确定度。此条件下U。的值与电平


调整程序所确定的值不再相同,它会减少到一个未知值,因此,在这种情况下无法分配 U。的不确定度。
调整程序所确定的值不再相同,它会减少到一个未知值,因此,在这种情况下无法分配 U。的不确定度。
第1,715行: 第1,652行:
式(G.10) 给出了直接注入电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):
式(G.10) 给出了直接注入电压电平调整程序的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀ULme+15.6 dB+8LM 。+δRCAL+δSETUP+8SW.+0ML
U₀=ULMe+15.6     dB+δLM.+δRCAL+δSETUP+δSW.+δML………………………(G.1 0)


*………………………(G.1 0)*
式 ( G.1 0 )中 的 影 响 量Um ULM直接来自功率计上的或转换为 dB((μV )的指示电压Um。
 
式 ( G.1 0 )中 的 影 响 量U ULMe直接来自功率计上的或转换为 dBCpV )的指示电压Umr。


注 22:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
注 22:其他符号包含在下面的缩写词解释中。
第1,725行: 第1,660行:
式 (G.11) 和 式(G.12) 给出了直接注人试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):
式 (G.11) 和 式(G.12) 给出了直接注人试验过程的模型函数(所有量使用对数单位):


U₀=U+20log1o(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δDD
U₀=U,+20logi₀(6/5)+δLMC,+δCAL+δSW,+δDD


……………………(G.11)
……………………(G.11)


U,=ULMe+20log10(5) ……………………(G.12)
U,=Urm.+20logio(5) ……………………(G.12)


注 23:符号包含在下面的缩写词解释中。
注 23:符号包含在下面的缩写词解释中。




表 G.7 直接注入电平调整程序
表 G.7 直接注入电平调整程序


'''此表格以截图代替'''
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表 G.8 直接注入试验程序
表 G.8 直接注入试验程序


'''此表格以截图代替'''
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017表 G.8 直接注入试验程序.jpeg|400px]]


注24:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.7 和表 G.8 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注25)。然而表 G.5 和表G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。
注24:对于电平调整和/或试验,需根据是否使用信号发生器和放大器输出电平控制回路,将 LMC 或试验信号发 生器(TG) 其中一个影响量加入表G.7 和表 G.8 中。在此例中,因为试验信号发生器是控制回路的一部分, 其并不影响不确定度评定。控制回路的影响量是由电平表确定的(见注25)。然而表 G.5 和表G.6 包含试 验信号发生器,这是提醒实验室,他们可以根据实验室特定的试验设置考虑此项。在这种情况下需要更详 细的分析试验信号发生器的影响量,参见缩写词解释。
第1,754行: 第1,688行:




 
DD—— 夫耦装置和 AE 终端阻抗的合成不确定度。良好的去耦对 AE 终端阻抗影响较少,较差的 去耦会产生较大影响。这种影响量可以根据去耦单元的阻抗计算得到。
*DD-* 夫耦装置和 AE 终端阻抗的合成不确定度。良好的去耦对 AE 终端阻抗影响较少,较差的 去耦会产生较大影响。这种影响量可以根据去耦单元的阻抗计算得到。


G.4 计算出的测量不确定度表示及其应用
G.4 计算出的测量不确定度表示及其应用
第1,767行: 第1,700行:
用对数单位表示:
用对数单位表示:


U₀=129.5 dB(μV)±1.36 dB
U。=129.5 dB(μV)±1.36 dB


(CDN 注入法示例)
(CDN 注入法示例)
第1,789行: 第1,722行:
(资料性附录) AE 阻抗的测量
(资料性附录) AE 阻抗的测量


H.1 概述
=== H.1 概述 ===


附 录H 给出了当 AE 与 EUT 一 同使用时如何测量 AE 共模阻抗的 一 些资料。 EUT 试验的详细 布置在本部分的正文中描述。如果一个专用的AE 单 元 总 是 与EUT 一 同使用,则也应在试验中使用 它。在后一种情况下,AE 看 作 是EUT 的 一部分,并免除以下阻抗要求。
附 录H 给出了当 AE 与 EUT 一同使用时如何测量 AE 共模阻抗的 一 些资料。 EUT 试验的详细 布置在本部分的正文中描述。如果一个专用的AE 单 元 总 是 与EUT 一 同使用,则也应在试验中使用 它。在后一种情况下,AE 看 作 是EUT 的 一部分,并免除以下阻抗要求。


附 录 H 给出了测量 AE 阻抗的示例,并进一步提供了使AE 共模阻抗更接近于理想的150Ω阻抗 的指导。
附 录 H 给出了测量 AE 阻抗的示例,并进一步提供了使AE 共模阻抗更接近于理想的150Ω阻抗 的指导。


H.2 共模阻抗
=== H.2 共模阻抗 ===


H.2.1 阻抗要求
H.2.1 阻抗要求
第1,811行: 第1,744行:
| 24 MHz~80 MHz
| 24 MHz~80 MHz
|- style="vertical-align:middle;"
|- style="vertical-align:middle;"
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω±20Ω
| 150Ω<sup>+</sup>60Ω<sub>-</sub>45Ω
| 150 Ω=
|- style="vertical-align:middle;"
|- style="vertical-align:middle;"
| colspan="3" | 注:当按照7.7进行试验时,AE阻抗很可能低手表中的规定。关于钳座人时电流监视的更多信息请见7.7.
| colspan="3" | 注:当按照7.7进行试验时,AE阻抗很可能低手表中的规定。关于钳座人时电流监视的更多信息请见7.7.
第1,844行: 第1,777行:
| 24 MHz~80 MHz
| 24 MHz~80 MHz
|-
|-
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z|
| 150 Ω±20 Ω
| 150 Ω±20 Ω
| 150 Ω<sup>+60 Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω±98 Ω
|-
|-
| style="vertical-align:middle;" | 理 论 值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)
| style="vertical-align:middle;" | 理 论 值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)
第1,872行: 第1,805行:
AE 阻抗也可以用7 . 7中提到的电流监视探头进行测量。在这种情况下,AE 应并联 一 个合适的 CDN, 然后监视注人 CDN 的电流并与理想的150 QAE 阻抗电流相比较。
AE 阻抗也可以用7 . 7中提到的电流监视探头进行测量。在这种情况下,AE 应并联 一 个合适的 CDN, 然后监视注人 CDN 的电流并与理想的150 QAE 阻抗电流相比较。


使 用 图H.2 所示布置测量 AE 阻抗。应注意,在测量期间AE 应处于工作状态并连接电源及其AE (如果有)。由于 CDN 可能会影响 AE 和 EUT 之间功能信号的传输,信号电缆上的 AE 可能无法正常
使 用 图H.2 所示布置测量 AE 阻抗。应注意,在测量期间AE 应处于工作状态并连接电源及其AE (如果有)。由于 CDN 可能会影响 AE 和 EUT 之间功能信号的传输,信号电缆上的 AE 可能无法正常工作
 
工 作


通过加载 AE, 试验电平U 。的分压比将发生变化,从而得出AE 阻抗。50Ω电压表上读到的电压 限值见表 H.3 。 需注意,这些数据是假定电流探头具有理想变换系数0 dB(V/A) 时得到的。如果探头 的变换系数不是0 dB(V/A), 应使用实际的变换系数修正电压读数。
通过加载 AE, 试验电平U 。的分压比将发生变化,从而得出AE 阻抗。50Ω电压表上读到的电压 限值见表 H.3 。 需注意,这些数据是假定电流探头具有理想变换系数0 dB(V/A) 时得到的。如果探头 的变换系数不是0 dB(V/A), 应使用实际的变换系数修正电压读数。




第1,890行: 第1,820行:
| 24 MHz~80 MHz
| 24 MHz~80 MHz
|-
|-
| |Z<sub>ce</sub>|
| |Z|
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω±20Ω
| 150 Ω<sup>+60Ω</sup><sub>-45Ω</sub>
| 150 Ω=6
|-
|-
| style="vertical-align:middle;" | 理论值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)(假设探头变换系数为0 dB)
| style="vertical-align:middle;" | 理论值 (|Z<sub>ce</sub>|=150Ω)(假设探头变换系数为0 dB)
第1,921行: 第1,851行:
——屏蔽电缆,屏蔽层连接到AE 的金属机壳(或其PCB 的接地平面);
——屏蔽电缆,屏蔽层连接到AE 的金属机壳(或其PCB 的接地平面);


—或非屏蔽电缆,但某些导线连接到或具有较高的容性耦合到金属机壳或 PCB 的接地平面。
——或非屏蔽电缆,但某些导线连接到或具有较高的容性耦合到金属机壳或 PCB 的接地平面。


以下建议适用于当 AE 使用金属机壳时建立150Ω阻抗:
以下建议适用于当 AE 使用金属机壳时建立150Ω阻抗:


通 过 1 5 0 Ω 电 阻 连 接 AE 金属机壳与参考地平面;
—— 通 过 1 5 0 Ω 电 阻 连 接 AE 金属机壳与参考地平面;


使用 一 个低电容(<100 pF) 电源隔离变压器为AE 提供电源。保护接地线不得直接连接到 大地。出于安全考虑,要使用大于280μH 的射频扼流圈。此程序也适用于直流供电(带有电
—— 使用 一 个低电容(<100 pF) 电源隔离变压器为AE 提供电源。保护接地线不得直接连接到 大地。出于安全考虑,要使用大于280μH 的射频扼流圈。此程序也适用于直流供电(带有电气隔离)或电池供电;
 
气隔离)或电池供电;


——使用尽可能少的外部电缆;
——使用尽可能少的外部电缆;


——将 AE 电缆收拢靠近 AE, 将 AE 置于300 mm 的绝缘材料上以减小与参考地平面的耦合; ——使用光纤信号转换器连接到其他 AE。
——将 AE 电缆收拢靠近 AE, 将 AE 置于300 mm 的绝缘材料上以减小与参考地平面的耦合; ——使用光纤信号转换器连接到其他 AE。
第1,944行: 第1,870行:


按以上措施,若还是无法接近 ZAE≤150 Ω,如果可能,则尝试将AE 额外端接 CDN 来减小 ZAE。 另见表H.1 中的注。
按以上措施,若还是无法接近 ZAE≤150 Ω,如果可能,则尝试将AE 额外端接 CDN 来减小 ZAE。 另见表H.1 中的注。




第1,951行: 第1,876行:
(资料性附录) 端口间注入
(资料性附录) 端口间注入


I.1 概述
=== I.1 概述 ===


经验表明,当一个端口被注入且另一个相同端口被端接时, 一些特定 EUT 会对射频信号更加敏 感。产品委员会可以决定用附录I 中描述的方法代替本部分正文中的试验程序。
经验表明,当一个端口被注入且另一个相同端口被端接时, 一些特定 EUT 会对射频信号更加敏 感。产品委员会可以决定用附录I 中描述的方法代替本部分正文中的试验程序。
第1,961行: 第1,886行:
相同端口可以是,但不限于:局域网(以太网等)、Pt100 温度传感器输入模拟输入/输出、数字输 入/输出、转速表计数器输入。
相同端口可以是,但不限于:局域网(以太网等)、Pt100 温度传感器输入模拟输入/输出、数字输 入/输出、转速表计数器输入。


I.2 相同端口注入的试验布置
=== I.2 相同端口注入的试验布置 ===


1.2.1 端口的选择
1.2.1 端口的选择
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图1.1 端只间注入试验布置的示例
图1.1 端只间注入试验布置的示例




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放大器的压缩和非线性
放大器的压缩和非线性


J.1 限制放大器失真的目的
=== J.1 限制放大器失真的目的 ===


放大器的非线性会增大施加给 EUT 的骚扰信号的不确定度。附录J 的目的是保持放大器的非线 性度足够低使其不会过多影响不确定度。附录J 可以帮助实验室了解和限制放大器的失真。
放大器的非线性会增大施加给 EUT 的骚扰信号的不确定度。附录J 的目的是保持放大器的非线 性度足够低使其不会过多影响不确定度。附录J 可以帮助实验室了解和限制放大器的失真。


J.2 谐波和饱和可能会引起的问题
=== J.2 谐波和饱和可能会引起的问题 ===


放大器运行在饱和状态可能会产生以下情况:
放大器运行在饱和状态可能会产生以下情况:


a) 由于功率计测量的总功率包括基波和谐波两部分,谐波可能显著地影响试验电平调整程序得 到的测量值。假设,在电磁钳的输入端,二次谐波和三次谐波都低于基波频率15 dB 且所有 其他谐波都可以忽略不计;进一步假设,实际的电磁钳系数在三次谐波处比基波频率处低
a) 由于功率计测量的总功率包括基波和谐波两部分,谐波可能显著地影响试验电平调整程序得 到的测量值。假设,在电磁钳的输入端,二次谐波和三次谐波都低于基波频率15 dB 且所有 其他谐波都可以忽略不计;进一步假设,实际的电磁钳系数在三次谐波处比基波频率处低5 dB;那么基波频率的电压电平将只比三次谐波的电压电平大10 dB 。如果测得的总幅值为10 V,基波频率可能仅有9.5 V 。当它小于电磁钳校准的不确定度时,这是可以接受的误差。 诸如频谱分析仪这样的选频设备则不会存在这些误差。
 
5 dB;那么基波频率的电压电平将只比三次谐波的电压电平大10 dB 。如果测得的总幅值为
 
10 V,基波频率可能仅有9.5 V 。当它小于电磁钳校准的不确定度时,这是可以接受的误差。 诸如频谱分析仪这样的选频设备则不会存在这些误差。


b) 如果 EUT 在预期的基波频率较稳定而在谐波频率不稳定,则谐波可能会引起 EUT 不合格, 如果错误的记录了此不合格,可能导致不正确的重新设计。
b) 如果 EUT 在预期的基波频率较稳定而在谐波频率不稳定,则谐波可能会引起 EUT 不合格, 如果错误的记录了此不合格,可能导致不正确的重新设计。
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1) 如果在校准过程中发生这种情况,线性的假设将被用于6.4.2中所述的计算过程,从而获 得错误的校准数据。
1) 如果在校准过程中发生这种情况,线性的假设将被用于6.4.2中所述的计算过程,从而获 得错误的校准数据。


2) 在试验过程中,这种类型的饱和会导致不正确的调制指数和调制频率(通常为1 kHz)的谐波。 根据以上示例,显然无法得出放大器失真的定量限值,失真的影响很大程度上取决于EUT 试验的
2) 在试验过程中,这种类型的饱和会导致不正确的调制指数和调制频率(通常为1 kHz)的谐波。 根据以上示例,显然无法得出放大器失真的定量限值,失真的影响很大程度上取决于EUT 试验的类 型 。
 
型 。


J.3 骚扰信号中的谐波的限制
=== J.3 骚扰信号中的谐波的限制 ===


在放大器的输出端口通过使用一个可调节/跟踪/调谐的低通滤波器来限制骚扰信号中的谐波。
在放大器的输出端口通过使用一个可调节/跟踪/调谐的低通滤波器来限制骚扰信号中的谐波。
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在放大器饱和且低通滤波器抑制谐波的情况下,无论如何放大器的压缩点不应超过2 dB。( 例 如 , 最差的频率,经调制的最大骚扰电压电平)。在2 dB 压缩点,其峰值幅度(电压)将减小20%。这将导 致调幅指数从80%下降到64%,即调整过的到EUT 的电压将减小20%。
在放大器饱和且低通滤波器抑制谐波的情况下,无论如何放大器的压缩点不应超过2 dB。( 例 如 , 最差的频率,经调制的最大骚扰电压电平)。在2 dB 压缩点,其峰值幅度(电压)将减小20%。这将导 致调幅指数从80%下降到64%,即调整过的到EUT 的电压将减小20%。


J.4 线性特性对抗扰度试验的影响
=== J.4 线性特性对抗扰度试验的影响 ===


J.4.1 概述
J.4.1 概述
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1) 由于设置了适当的耦合装置,应确定信号发生器设置以便产生最小和最大电平(见J.4.2.1)。
1) 由于设置了适当的耦合装置,应确定信号发生器设置以便产生最小和最大电平(见J.4.2.1)。


2)将信号发生器设置为步骤1)所确定的最小值,并记录信号发生器的输出和功率放大器的正向
2)将信号发生器设置为步骤1)所确定的最小值,并记录信号发生器的输出和功率放大器的正向功 率 。
 
率 。


3) 将信号发生器的设置提高1 dB, 并记录信号发生器的输出和放大器的正向功率。
3) 将信号发生器的设置提高1 dB, 并记录信号发生器的输出和放大器的正向功率。
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如果按照J.4.2.2 所定义的程序测得的数据满足±1 dB 的规范,则实验室所使用的放大器是符合线 性度准则的。如果测得的数据超过了此线性度规范,则需进一步使用J.4.2.4和J4.2.5。
如果按照J.4.2.2 所定义的程序测得的数据满足±1 dB 的规范,则实验室所使用的放大器是符合线 性度准则的。如果测得的数据超过了此线性度规范,则需进一步使用J.4.2.4和J4.2.5。


图 J.2 给出了在单一频率基于放大器输出所定义的±1dB 允差的示例。此示例中信号发生器的输
图 J.2 给出了在单一频率基于放大器输出所定义的±1dB 允差的示例。此示例中信号发生器的输出在最小电平-30ABm 和最大电平0 dBm 之间变化。此示例中的放大器超出了允差。
 
出在最小电平-30ABm 和最大电平0 dBm 之间变化。此示例中的放大器超出了允差。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.2 线性特性.jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.2 线性特性.jpeg|400px]]
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3)调整频谱分析仪,使载波频谱、上边带频谱和下边带频谱显示在屏幕上。例如,分辨率带宽= 100 Hz,跨度=10kHz。
3)调整频谱分析仪,使载波频谱、上边带频谱和下边带频谱显示在屏幕上。例如,分辨率带宽= 100 Hz,跨度=10kHz。


4) 记录载波电平 crie )与上或下边带电平(L sidcband)之间的幅度差( L。)。( 参见图J.4)L=
4) 记录载波电平 (Larier)与上或下边带电平(Lsidchad)之间的幅度差( L)。( 参见图J.4)L=Lcarier -Lsidehand。


*Lcarier -Lsidehand。*
当 L。大于10 dB[m(调制度)<64%]或L<6dB 时,试验报告中应包含此结果。
 
当 L。大于10 dB[m(调制度)<64%]或L.6dB 时,试验报告中应包含此结果。


[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.4 AM 调制信号的频谱示意图.jpeg|400px]]
[[文件:电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB 17626.6-2017 图J.4 AM 调制信号的频谱示意图.jpeg|400px]]
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以上两种情况都应符合6.1中的要求。
以上两种情况都应符合6.1中的要求。




刘佳明
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