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电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023：修订间差异

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电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 17626.3-2023 (查看源代码)

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第120行： 第120行：
注2:如边射天线的最大总尺寸D 大于波长λ,则通常取离天线的距离大于2D²/A 处为远场区。
注2:如边射天线的最大总尺寸D 大于波长λ,则通常取离天线的距离大于2D²/A 处为远场区。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


[来源：GB/T14733.10—2008.712-02-02, 有修改——“区域”一词已从术语中删除]
[来源：GB/T14733.10—2008.712-02-02, 有修改——“区域”一词已从术语中删除]
第283行： 第283行：


ERP: 有效辐射功率(Effective Radiated Power)
ERP: 有效辐射功率(Effective Radiated Power)
GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020


EUT: 受试设备(Equipment Under Test)
EUT: 受试设备(Equipment Under Test)
第328行： 第326行：
表 1 试验等级
表 1 试验等级


| |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- |
 
| 等级 | 试验场强 V/m |
|-
| 1 | 1 |
! 等级 !! 试验场强 V/m
| 2 | 3 |
 
| 3 | 10 |
|-
| 4 | 30 |
| 1 || 1
| X | 特定 |
 
| X是一开放的等级，其场强可为任意值。该等级应在产品标准中规定。 | |
|-
| 2 || 3
 
|-
| 3 || 10
 
|-
| 4 || 30
 
|-
| X || 特定
 
|-
| colspan="2" | X是一开放的等级，其场强可为任意值。该等级应在产品标准中规定。
 
|}


本文件不建议在整个频率范围内应用单一的试验等级。产品委员会应选择合适的试验的频率范围 和试验等级。附录 E 给出了产品委员会选择试验等级的指导意见。
本文件不建议在整个频率范围内应用单一的试验等级。产品委员会应选择合适的试验的频率范围 和试验等级。附录 E 给出了产品委员会选择试验等级的指导意见。
第346行： 第359行：
表 2 信号发生器输出端口的幅度调制特性
表 2 信号发生器输出端口的幅度调制特性


|  |  |  |
'''此处表格以截图替代'''
| --- | --- | --- |
| AM | 内部或外部  m=(80±10)%,在信号发生器输出端测量。 | |
| 调制因子m:  1 kHz±0.1 kHz正弦波 |  |
 




第369行： 第378行：
有关其他基础标准中定义的频率范围和试验方法的选择以及本文件在80 MHz 以下的应用的更多 信息，请参见附录F。
有关其他基础标准中定义的频率范围和试验方法的选择以及本文件在80 MHz 以下的应用的更多 信息，请参见附录F。


产品委员会选择用于试验的频率或频率范围可以是仅限于有意射频发射装置实际工作的频率或频
产品委员会选择用于试验的频率或频率范围可以是仅限于有意射频发射装置实际工作的频率或频率范围。
 
GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 
率范围。


产品委员会可以要求特定的试验等级和调制类型(作为80%AM 的替代品)。
产品委员会可以要求特定的试验等级和调制类型(作为80%AM 的替代品)。
第415行： 第420行：
详细导则见附录C。
详细导则见附录C。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 




第429行： 第434行：
本文件使用了UFA (见图3和图4)的概念，即场的垂直面，其变化在下文规定的范围内。6.3.2和 6.3.3中给出的方法用于证明试验设施和试验设备产生均匀试验场的能力。获得用于设置抗扰度试验 所需场强的数据，并用于试验所有EUT。
本文件使用了UFA (见图3和图4)的概念，即场的垂直面，其变化在下文规定的范围内。6.3.2和 6.3.3中给出的方法用于证明试验设施和试验设备产生均匀试验场的能力。获得用于设置抗扰度试验 所需场强的数据，并用于试验所有EUT。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 




第481行： 第486行：
注1:能用间距更小的网格在部分UFA上的采样来验证场分布的均匀性。
注1:能用间距更小的网格在部分UFA上的采样来验证场分布的均匀性。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


第5个点在
第5个点在
第527行： 第532行：
表3 应用完全照射和部分照射的均匀场域要求
表3 应用完全照射和部分照射的均匀场域要求


| |  |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- | --- |
|- style="vertical-align:middle;"
| 频段 | UFA要求 | |
! rowspan="2" | 频段
| 完全照射法：当UFA全部覆盖EUT时UFA的 尺寸(见7.4)和电平设置要求(优选此方法) | 部分照射法：EUT及线缆的尺寸不符合UFA的 尺寸(见7.4) |
! colspan="2" | UFA要求
| 至少到1 GHz | UFA最小尺寸0.5m×0.5m。 UFA的栅格尺寸以0.5m步进(例如0.5m× 0.5m、0.5m×1.0 m、1.0m×1.0 m、1.5m× 1.0 m、1.5m×2.0 m、2.0 m×2.0 m等)电平设置 的栅格步进为0.5m×0.5 m。 如果UFA大于0.5 m×0.5 m,则要求至少75% 的电平设置点符合标准要求。 对于0.5 m×0.5 m的UFA.100%(所有5点)的 电平设置点应满足要求 | 最小的UFA尺寸为1.5 m×1.5 m。 UFA的栅格尺寸以0.5 m步进(例如1.5 m× 1.5 m、1.5 m×2.0 m、2.0 m×2.0 m等),电平设 置的栅格步进为0.5 m×0.5m。 75%的电平设置点符合标准要求 |
|-
| 1 GHz以上 | 最小的UFA尺寸为0.5m×0.5m。 UFA的栅格尺寸以0.5 m步进(例如0.5 m× 0.5m、0.5m×1.0m、1.0m×1.0m、1.0m× 1.5m、1.5m×2.0m、2.0 m×2.0m等)。 电平设置的栅格步进为0.5 m×0.5m。 如果UFA大于0.5m×0.5m,则要求至少75% 的电平设置点符合标准要求。 对于0.5 m×0.5m的UFA,100%(所有5点)的 电平设置点应满足要求 |
| 完全照射法：当UFA全部覆盖EUT时UFA的 尺寸(见7.4)和电平设置要求(优选此方法)
| 部分照射法：EUT及线缆的尺寸不符合UFA的 尺寸(见7.4)
|- style="vertical-align:middle;"
| 至少到1 GHz
| rowspan="2" | UFA最小尺寸0.5m×0.5m。 <br />UFA的栅格尺寸以0.5m步进(例如0.5m× 0.5m、0.5m×1.0 m、1.0m×1.0 m、1.5m× 1.0 m、1.5m×2.0 m、2.0 m×2.0 m等)电平设置 的栅格步进为0.5m×0.5 m。 <br />如果UFA大于0.5 m×0.5 m,则要求至少75% 的电平设置点符合标准要求。 <br />对于0.5 m×0.5 m的UFA.100%(所有5点)的 电平设置点应满足要求
| 最小的UFA尺寸为1.5 m×1.5 m。 <br />UFA的栅格尺寸以0.5 m步进(例如1.5 m× 1.5 m、1.5 m×2.0 m、2.0 m×2.0 m等),电平设 置的栅格步进为0.5 m×0.5m。 <br />75%的电平设置点符合标准要求
|-
| style="vertical-align:middle;" | 1 GHz以上
| 最小的UFA尺寸为0.5m×0.5m。 <br />UFA的栅格尺寸以0.5 m步进(例如0.5 m× 0.5m、0.5m×1.0m、1.0m×1.0m、1.0m× 1.5m、1.5m×2.0m、2.0 m×2.0m等)。 <br />电平设置的栅格步进为0.5 m×0.5m。 <br />如果UFA大于0.5m×0.5m,则要求至少75% 的电平设置点符合标准要求。 <br />对于0.5 m×0.5m的UFA,100%(所有5点)的 电平设置点应满足要求
|}


通常按图6所示的布置对电波暗室和半电波暗室进行场的电平设置。
通常按图6所示的布置对电波暗室和半电波暗室进行场的电平设置。
第570行： 第584行：
——在每个特定频率上建立。特定的频率是通过使用8.4中描述的频率步骤来确定。 ——按照图示逐个建立 UFA 电平设置点(见图4)。
——在每个特定频率上建立。特定的频率是通过使用8.4中描述的频率步骤来确定。 ——按照图示逐个建立 UFA 电平设置点(见图4)。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


——通过相应地调整正向功率来建立。
——通过相应地调整正向功率来建立。
第632行： 第646行：
c) 使用第8章的频率步进。
c) 使用第8章的频率步进。


d) 重复步骤 b) 和步骤c), 直至下一频率超过试验频率范围的上限频率。最后在此上限频率(例
d) 重复步骤 b) 和步骤c), 直至下一频率超过试验频率范围的上限频率。最后在此上限频率(例如1 GHz) 处重复步骤b)。
 
GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 
如1 GHz) 处重复步骤b)。


e) 将场强探头移至栅格的另一点，在每一频率点采用上述步骤 a)～ 步骤d), 并记录步骤 b) 的场 强和所施加的正向功率值。
e) 将场强探头移至栅格的另一点，在每一频率点采用上述步骤 a)～ 步骤d), 并记录步骤 b) 的场 强和所施加的正向功率值。
第712行： 第722行：
图 7 具有离开试验区域线缆的台式EUT 布置和线缆布局示例
图 7 具有离开试验区域线缆的台式EUT 布置和线缆布局示例


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


CMAD(如果使用)放置在地板上
CMAD(如果使用)放置在地板上
第752行： 第762行：
线缆2离开 暴露区域布置
线缆2离开 暴露区域布置


CMAD (如果
CMAD (如果使用)放置在
 
使用)放置在


地板上
地板上
第789行： 第797行：


线缆应连接到EUT, 并按照制造商的安装说明书在试验场上进行布置，要求重现典型的和使用最 多的安装。
线缆应连接到EUT, 并按照制造商的安装说明书在试验场上进行布置，要求重现典型的和使用最 多的安装。
GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020


应使用制造商规定线缆的类型和连接器，如果对EUT 的进、出线没有规定，则应使用非屏蔽平衡 导线。
应使用制造商规定线缆的类型和连接器，如果对EUT 的进、出线没有规定，则应使用非屏蔽平衡 导线。
第896行： 第902行：
调制载波在每个频率上的驻留时间不应少于EUT 动作和响应所需的时间，但在任何情况下均不 应少于0.5 s。
调制载波在每个频率上的驻留时间不应少于EUT 动作和响应所需的时间，但在任何情况下均不 应少于0.5 s。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


注 1:在每个频点，当试验条件稳定时，驻留时间开始。
注 1:在每个频点，当试验条件稳定时，驻留时间开始。
第986行： 第992行：
表 A.1 调制方式比较(GSM 和 DECT 的定义见附录 G)
表 A.1 调制方式比较(GSM 和 DECT 的定义见附录 G)


| |  |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- | --- |
 
| 调制方式 | 优点 | 缺点 |
|-
| 正 弦 波 A M | 1.实验表明，若最大RMS电平相同，在不同类型 的非恒定包络调制模式的干扰效应方面可建立 良好的相关性。  2.不必规定(或测量)TDMA脉冲的上升时间。 3.在本文件及IEC 61000-4-6中采用。 4.场容易产生且监测的仪器容易获得。 5.对模拟的无线电设备，EUT中的解调会产生  可用窄带电平表测量的音频响应，因而减少了背 景噪声。  6.在较低频率时，已经表明能有效模拟其他型式 的调制模式(如FM,相位调制，脉冲调制) | 1.不能模拟TDMA。 2.对于二次方律接收机，则试验略为严酷。 3.可能遗漏某些失效机理 |
! 调制方式 !! 优点 !! 缺点
| 方波AM | 1.类似于TDMA。 2.能普遍使用。 3.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较 大速率变化较敏感) | 1.不能精确模拟TDMA。 2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能 被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。  3.需规定上升时间 |
 
| RF脉冲 | 1.能很好模拟TDMA。 2.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较 大速率变化较敏感) | 1.为匹配不同系统(如GSM、DECT等),需改变 调制细节。  2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能 被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。  3.需规定上升时间 |
|-
| OFDM | 1.数字调制的良好表现。 2.可能暴露“未知”失效机制(对射频包络的较大 速率变化率敏感) | 1.为匹配不同的无线电服务(如LTE、DAB、 DVB—T),需要改变OFDM参数的细节 |
| 正弦波AM ||
1.实验表明，若最大RMS电平相同，在不同类型的非恒定包络调制模式的干扰效应方面可建立良好的相关性。<br/>
2.不必规定(或测量)TDMA脉冲的上升时间。<br/>
3.在本文件及IEC 61000-4-6中采用。<br/>
4.场容易产生且监测的仪器容易获得。<br/>
5.对模拟的无线电设备，EUT中的解调会产生可用窄带电平表测量的音频响应，因而减少了背景噪声。<br/>
6.在较低频率时，已经表明能有效模拟其他型式的调制模式(如FM,相位调制，脉冲调制)  
||  
1.不能模拟TDMA。<br/>
2.对于二次方律接收机，则试验略为严酷。<br/>
3.可能遗漏某些失效机理
 
|-
| 方波AM ||
1.类似于TDMA。<br/>
2.能普遍使用。<br/>
3.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较大速率变化较敏感)
||  
1.不能精确模拟TDMA。<br/>
2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。<br/>
3.需规定上升时间
 
|-
| RF脉冲 ||
1.能很好模拟TDMA。<br/>
2.可能暴露“未知”的失效机理(对射频包络的较大速率变化较敏感)
||  
1.为匹配不同系统(如GSM、DECT等),需改变调制细节。<br/>
2.EUT解调时，会产生宽带音频响应，该响应能被宽带电平表测量，因而增加了背景噪声。<br/>
3.需规定上升时间
 
|-
| OFDM ||
1.数字调制的良好表现。<br/>
2.可能暴露“未知”失效机制(对射频包络的较大速率变化率敏感)  
||  
1.为匹配不同的无线电服务(如LTE、DAB、DVB—T),需要改变OFDM参数的细节
 
|}


A.2 试验结果
A.2 试验结果
第1,008行： 第1,052行：
试验结果汇总于表 A.2 与表 A.3。
试验结果汇总于表 A.2 与表 A.3。


表 A.2 相对干扰电平
表 A.2 相对干扰电平<sup>a</sup>


| |  |  |  |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- | --- | --- | --- |
|- style="vertical-align:middle;"
| 调制方式 | | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,占空比1:8 dB | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,占空比1:24 dB |
! colspan="2" | 调制方式<sup>b</sup>
| 设备 | 音频响应 |
! rowspan="2" | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB
| 助听器 | 未加权的 21 Hz～21 kHz | 0 | 0 | -3 |
! rowspan="2" | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,占空比1:8 dB
| A加权的 | 0 | -4 | -7 |
! rowspan="2" | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,占空比1:24 dB
| 模拟电话 | 未加权的 | 0 | -3 | -7 |
|- style="vertical-align:middle;"
| A加权的 | -1 | -6 | -8 |
| 设备
| 无线电装置 | 未加权的 | 0 | +1 | -2 |
| 音频响应
| A加权的 | -1 | -3 | -7 |
|- style="vertical-align:middle;"
| “对骚扰的音频响应为干扰电平。干扰电平低则表示抗扰度等级高。  重点：调整载波幅度，使所有调制的干扰信号(暴露)的最大有效值(见3.1.19)相同。 暴露是通过入射900 MHz电磁场产生的。类似DECT的调制的占空比为1:2而不是1:24,音频响应是测 量连接0.5 m长聚氯乙烯管的人工耳的声学输出。 4这种情况被选作音频响应的参考点，即0 dB。 暴露方式是在电话线施加900 MHz的射频电流，音频响应为电话线上测得的音频电压。 暴露方式是在电源线缆施加900 MHz的射频电流，音频响应为用麦克风测得的喇叭音频输出。 | | | | |
| rowspan="2" | 助听器<sup>c</sup>
| 未加权的 21 Hz～21 kHz
| 0<sup>d</sup>
| 0
| -3
|-
| A加权的
| 0
| -4
| -7
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 模拟电话<sup>e</sup>
| 未加权的
| 0<sup>d</sup>
| -3
| -7
|-
| A加权的
| -1
| -6
| -8
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | 无线电装置<sup>f</sup>
| 未加权的
| 0<sup>d</sup>
| +1
| -2
|-
| A加权的
| -1
| -3
| -7
|-
| colspan="5" style="vertical-align:middle;" | <sup>a</sup>对骚扰的音频响应为干扰电平。干扰电平低则表示抗扰度等级高。 <br /><sup>b</sup>重点：调整载波幅度，使所有调制的干扰信号(暴露)的最大有效值(见3.1.19)相同。 <br /><sup>c</sup>暴露是通过入射900 MHz电磁场产生的。类似DECT的调制的占空比为1:2而不是1:24,音频响应是测 量连接0.5 m长聚氯乙烯管的人工耳的声学输出。 <br /><sup>d</sup>这种情况被选作音频响应的参考点，即0 dB。 <br /><sup>e</sup>暴露方式是在电话线施加900 MHz的射频电流，音频响应为电话线上测得的音频电压。 <br /><sup>f</sup>暴露方式是在电源线缆施加900 MHz的射频电流，音频响应为用麦克风测得的喇叭音频输出。
|}


表 A.3 相对抗扰度电平
表 A.3 相对抗扰度电平<sup>a</sup>


| |  |  |  |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- | --- | --- | --- |
|- style="vertical-align:middle;"
| 调制方式 | | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,1:8的占空比 dB | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,1:24的占空比 dB |
! colspan="2" | 调制方式<sup>b</sup>
| 设备 | 响应 |
! rowspan="2" | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB
| 电视机 | 明显干扰 | 0 | -2 | -2 |
! rowspan="2" | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,1:8的占空比 dB
| 强干扰 | +4 | +1 | +2 |
! rowspan="2" | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,1:24的占空比 dB
| 显示器关闭 | ~+19 | +18 | +19 |
|- style="vertical-align:middle;"
| RS232接口的 数据终端 | 对显示屏幕干扰 | 04 | 0 | |
| 设备
| 数据错误 | >+16 | >+16 | 一 |
| 响应
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="3" | 电视机
| 明显干扰
| 0<sup>d</sup>
| -2
| -2
|-
| 强干扰
| +4
| +1
| +2
|-
| 显示器关闭
| ~+19
| +18
| +19
|- style="vertical-align:middle;"
| rowspan="2" | RS232接口的 数据终端<sup>f</sup>
| 对显示屏幕干扰
| 0<sup>d</sup>
| 0
| -
|-
| 数据错误
| >+16
| >+16
| -
|}


表 A.3 相对抗扰度电平"( 续 )
表 A.3 相对抗扰度电平<sup>a</sup>( 续 )


| |  |  |  |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- | --- | --- | --- |
|- style="vertical-align:middle;"
| 调制方式 | | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,1:8的占空比 dB | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,1:24的占空比 dB |
! colspan="2" | 调制方式<sup>b</sup>
| 设备 | 响应 |
! rowspan="2" | 1 kHz 80%AM 调制的正弦波 dB
| RS232调制解调 器 ' | 数据错误(从电话机 注入干扰时) | 0 | 0 | 0 |
! rowspan="2" | 类似GSM的射频脉冲， 200 Hz,1:8的占空比 dB
| 数据错误(从RS232 注入干扰时) | >+9 | >+9 | >+9 |
! rowspan="2" | 类似DECT的射频脉冲， 100 Hz,1:24的占空比 dB
| 可调式实验室电 源“ | DC输出电流2% 误差 | 0 | +3 | +7 |
|- style="vertical-align:middle;"
| SDH交叉连接" | 出现误码 | 04 | 0 | |
| 设备
| 表中数据为使用各种调制方式产生相同干扰电平信号(暴露)所需要的最大RMS电平值(见3.1.19)的相关数 据。分贝值高则表示抗扰度等级高。 调节骚扰信号以便在各种调制方式下具有相同的响应(干扰)。 暴露方式是在线缆电源线缆施加900 MHz的RF电流。响应为屏幕上产生的干扰电平。由于不同场合状况下 干扰的类型不同.使得评价结论更带有主观的成分。 “这种情况被选定为参考电平，即0 dB。 暴露方式为在RS232线缆端施加900 MHz的RF电流。 暴露方式为在电话或RS232线缆施加900 MHz的RF电流。 “暴露方式为在直流输出线缆施加900 MHz的RF电流。 SDH为同步数据层，暴露方式是人射935 MHz电磁场。 | | | | |
| 响应
|- style="vertical-align:middle;"
| RS232调制解调器<sup>f</sup>
| 数据错误(从电话机 注入干扰时)
| 0
| 0
| 0
|- style="vertical-align:middle;"
| 数据错误(从RS232 注入干扰时)
| >+9
| >+9
| >+9
|  
|- style="vertical-align:middle;"
| 可调式实验室电源<sup>g</sup>
| DC输出电流2% 误差
| 0d
| +3
| +7
|- style="vertical-align:middle;"
| SDH交叉连接<sup>h</sup>
| 出现误码
| 0d
| 0
|  
|-
| colspan="5" style="vertical-align:middle;" | <sup>a</sup>表中数据为使用各种调制方式产生相同干扰电平信号(暴露)所需要的最大RMS电平值(见3.1.19)的相关数 据。分贝值高则表示抗扰度等级高。 <br /><sup>b</sup>调节骚扰信号以便在各种调制方式下具有相同的响应(干扰)。 <br /><sup>c</sup>暴露方式是在线缆电源线缆施加900 MHz的RF电流。响应为屏幕上产生的干扰电平。由于不同场合状况下 干扰的类型不同.使得评价结论更带有主观的成分。 <br /><sup>d</sup>这种情况被选定为参考电平，即0 dB。 <br /><sup>e</sup>暴露方式为在RS232线缆端施加900 MHz的RF电流。 <br /><sup>f</sup>暴露方式为在电话或RS232线缆施加900 MHz的RF电流。 <br />g暴露方式为在直流输出线缆施加900 MHz的RF电流。 <br /><sup>h</sup>SDH为同步数据层，暴露方式是人射935 MHz电磁场。
|}


使用正弦波AM 和脉冲调制(占空比1:2)以高达30 V/m 场强对下列数字设备进行试验：
使用正弦波AM 和脉冲调制(占空比1:2)以高达30 V/m 场强对下列数字设备进行试验：
第1,278行： 第1,411行：
如 果 数 据 不 符 合 线 性 判 据 ， 则 采 用D.4.2.4。
如 果 数 据 不 符 合 线 性 判 据 ， 则 采 用D.4.2.4。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


放大器检出电平/dBm
放大器检出电平/dBm
第1,370行： 第1,503行：
另一种方法适用于没有反馈的系统，其中正向功率电平设置需要在每个期望试验电平下进行。
另一种方法适用于没有反馈的系统，其中正向功率电平设置需要在每个期望试验电平下进行。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


附 录 E
附 录 E
第1,426行： 第1,559行：
宜按预期的电磁场选择试验等级，要考虑无线电设备的功率以及发射天线和 EUT 之 间 的 大 致 距 离。通常，对移动设备的要求要比对基站的要求更严酷(由于移动设备常常比基站更靠近潜在的敏感设
宜按预期的电磁场选择试验等级，要考虑无线电设备的功率以及发射天线和 EUT 之 间 的 大 致 距 离。通常，对移动设备的要求要比对基站的要求更严酷(由于移动设备常常比基站更靠近潜在的敏感设


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


备)。
备)。
第1,438行： 第1,571行：
表E.1 试验等级、相应保护距离及建议的性能判据的示例
表E.1 试验等级、相应保护距离及建议的性能判据的示例


| |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
{| class="wikitable" style="text-align:center;"
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
|- style="text-align:left; vertical-align:middle;"
| 试验 等级 | 载波 场强 V/m | 最大RMS 场强 V/m | 保护距离 | | | | | | 性能判据 | |
! rowspan="2" | 试验 等级
| 2W GSM m | 8W GSM m | 1/4 W DECT m | LTE/ UMTS (通用移  动通信  系统) 0.25W m | WiMAX (微波接入  的全球操  作网络) 1.26W m | WI-FI (无限局  域网) 1W m | 例 1 | 例 2 ° |
! rowspan="2" | 载波 场强 V/m
| 1 | 1 | 1.8 | 5.5 | 11 | 1.9 | 1.7 | 4.4 | 3.9 | 一 | 一 |
! rowspan="2" | 最大RMS 场强 V/m
| 2 | 3 | 5.4 | 1.8 | 3.7 | 0.6 | 0.6 | 1.5 | 1.3 | A | 一 |
! colspan="6" style="text-align:center;" | 保护距离
| 3 | 10 | 18 | 0.6 | 1.1 | ~0.2 | ~0.2 | 0.4 | 0.4 | B | A |
! colspan="2" | 性能判据<sup>a</sup>
| 4 | 30 | 54 | ~0.24 | 0.4 | ~0.14 | ~0.1 | ~0.1 | ~0.1 | 一 | B |
|- style="text-align:left;"
| 相关产品委员会定义的性能指标。 设备失效后果不严重。 设备失效后果严重。 “在此距离或更近距离时远场公式E.1不准确。如果使用的发射器离EUT的距离小于0.2 m,则宜考虑根据 IEC 61000-4-39(参见附录F)进行的试验。 A性能等级，按第9章要求。 B性能等级，按第9章要求。 | | | | | | | | | | |
| 2W GSM m
| 8W GSM m
| 1/4 W DECT m
| LTE/ UMTS (通用移动通信系统) 0.25W m
| WiMAX (微波接入的全球操作网络) 1.26W m
| WI-FI (无限局域网) 1W m
| 例 1<sup>b</sup>
| 例 2<sup>c</sup>
|-
| style="vertical-align:middle;" | 1
| style="vertical-align:middle;" | 1
| style="vertical-align:middle;" | 1.8
| style="vertical-align:middle;" | 5.5
| style="vertical-align:middle;" | 11
| style="vertical-align:middle;" | 1.9
| style="vertical-align:middle;" | 1.7
| style="vertical-align:middle;" | 4.4
| style="vertical-align:middle;" | 3.9
| -
| -
|-
| style="vertical-align:middle;" | 2
| style="vertical-align:middle;" | 3
| style="vertical-align:middle;" | 5.4
| style="vertical-align:middle;" | 1.8
| style="vertical-align:middle;" | 3.7
| style="vertical-align:middle;" | 0.6
| style="vertical-align:middle;" | 0.6
| style="vertical-align:middle;" | 1.5
| style="vertical-align:middle;" | 1.3
| style="vertical-align:middle;" | A
| -
|- style="vertical-align:middle;"
| 3
| 10
| 18
| 0.6
| 1.1
| ~0.2<sup>d</sup>
| ~0.2<sup>d</sup>
| 0.4
| 0.4
| B
| A
|- style="vertical-align:middle;"
| 4
| 30
| 54
| ~0.2<sup>d</sup>
| 0.4
| ~0.1<sup>d</sup>
| ~0.1<sup>d</sup>
| ~0.1<sup>d</sup>
| ~0.1<sup>d</sup>
| -
| B
|- style="text-align:left;"
| colspan="11" style="vertical-align:middle;" | <sup>a</sup>相关产品委员会定义的性能指标。 <br /><sup>b</sup>设备失效后果不严重。 <br /><sup>c</sup>设备失效后果严重。 <br /><sup>d</sup>在此距离或更近距离时远场公式E.1不准确。如果使用的发射器离EUT的距离小于0.2 m,则宜考虑根据 IEC 61000-4-39(参见附录F)进行的试验。 <br />A性能等级，按第9章要求。 <br />B性能等级，按第9章要求。
|}


上表中考虑了以下事项。
上表中考虑了以下事项。
第1,458行： 第1,649行：
——安全运行的预计最小距离也称保护距离，是按式(E.1) 用 k=7 计算取得的，且未考虑由于墙 壁、地面以及顶部反射的场强变化。其数量级为±6 dB。
——安全运行的预计最小距离也称保护距离，是按式(E.1) 用 k=7 计算取得的，且未考虑由于墙 壁、地面以及顶部反射的场强变化。其数量级为±6 dB。


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——按公式(E.1) 计算的保护距离与数字无线电话的ERP 有关，与工作频率无关。
——按公式(E.1) 计算的保护距离与数字无线电话的ERP 有关，与工作频率无关。
第1,466行： 第1,657行：
附录中推导出的电平是一些典型值，在所述的场所中很少会被超过。但在某些场所这些值将会被 超出，如：雷达设备，在同一建筑物里的大功率发射机或工科医射频设备附近。在这些情况下，宁可把房 间或建筑物屏蔽，对设备的信号和电源线进行滤波，而不是规定所有设备具有该等级的抗干扰能力。
附录中推导出的电平是一些典型值，在所述的场所中很少会被超过。但在某些场所这些值将会被 超出，如：雷达设备，在同一建筑物里的大功率发射机或工科医射频设备附近。在这些情况下，宁可把房 间或建筑物屏蔽，对设备的信号和电源线进行滤波，而不是规定所有设备具有该等级的抗干扰能力。


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附 录 F
附 录 F
第1,538行： 第1,729行：
通过转动EUT 来确保将电磁场能够直接感应到 EUT 的机柜中。这是必要的，因为电路板和子组 件中敏感的电子电路可能直接暴露在辐射中。如果转动所有机柜不需要对布线做出重大改动，那么每 个机柜都可在不改变布线的情况下转动。如果线缆布置满足上述至少一种线缆布线规则，则在每次转 动EUT 时不需要重新安排线缆。试验实验室自行安排试验布置，例如，旋转对称(方式),这样就可将 EUT 放置在一个自动转台上；或者，只要遵循试验布置的总体规则，可布置成每个分段扫描时可手动转 动 EUT 机柜。
通过转动EUT 来确保将电磁场能够直接感应到 EUT 的机柜中。这是必要的，因为电路板和子组 件中敏感的电子电路可能直接暴露在辐射中。如果转动所有机柜不需要对布线做出重大改动，那么每 个机柜都可在不改变布线的情况下转动。如果线缆布置满足上述至少一种线缆布线规则，则在每次转 动EUT 时不需要重新安排线缆。试验实验室自行安排试验布置，例如，旋转对称(方式),这样就可将 EUT 放置在一个自动转台上；或者，只要遵循试验布置的总体规则，可布置成每个分段扫描时可手动转 动 EUT 机柜。


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附 录 H
附 录 H
第1,590行： 第1,781行：
UFA 非导电支撑物
UFA 非导电支撑物


|  |  |
| --- | --- |
| EUT/AE  连接AE的信号线  测试暗室的穿线孔，  并且为转台中心 | 电源 线缆    EUT/AE CMAD |


绝缘支撑物/托盘
绝缘支撑物/托盘
第1,614行： 第1,800行：
图 H.2 带有架空线缆的 EUT 试验布置示例图
图 H.2 带有架空线缆的 EUT 试验布置示例图


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H.3 带有多根线缆和 AE 的 EUT
H.3 带有多根线缆和 AE 的 EUT
第1,670行： 第1,856行：
图 H.4 为带有侧馈线缆的大型EUT 的试验布置示例图，需要用多个UFA 窗口进行覆盖。每次沿 EUT 进行试验后，宜移动单个 UFA 窗口，使EUT (包括外部馈电线缆)能够完整的被 UFA 覆盖。天 线和吸波材料(可选)宜如图 H.4 所示移动，直到整个EUT 被 UFA 窗口覆盖。如果可能的话，连接
图 H.4 为带有侧馈线缆的大型EUT 的试验布置示例图，需要用多个UFA 窗口进行覆盖。每次沿 EUT 进行试验后，宜移动单个 UFA 窗口，使EUT (包括外部馈电线缆)能够完整的被 UFA 覆盖。天 线和吸波材料(可选)宜如图 H.4 所示移动，直到整个EUT 被 UFA 窗口覆盖。如果可能的话，连接


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EUT 装置的多余长度的线缆宜在线的中心捆扎成低感性线束。
EUT 装置的多余长度的线缆宜在线的中心捆扎成低感性线束。
第1,704行： 第1,890行：
图 H.4 带有侧馈线缆并需要多个 UFA 窗口的大型设备试验布置示例图
图 H.4 带有侧馈线缆并需要多个 UFA 窗口的大型设备试验布置示例图


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附 录 I (资料性) 多信号试验
附 录 I (资料性) 多信号试验
第1,742行： 第1,928行：
产生多个信号所需的功率可用峰值和平均值来定义。
产生多个信号所需的功率可用峰值和平均值来定义。


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如果每个信号具有相同的功率，则可使用以下公式：
如果每个信号具有相同的功率，则可使用以下公式：
第1,784行： 第1,970行：
在驻留时间内用一个以上的信号进行试验会使EUT 暴露在超出标准要求强度的辐射下。这种过 度暴露可能导致 EUT 丧失功能或性能下降，而这非是由单一频率的照射造成的。由于本文件的要求 是针对单个频率试验的，因此需在导致性能下降的频率集内对试品重新进行每个单频的试验，以单一频 率试验的结果为准。
在驻留时间内用一个以上的信号进行试验会使EUT 暴露在超出标准要求强度的辐射下。这种过 度暴露可能导致 EUT 丧失功能或性能下降，而这非是由单一频率的照射造成的。由于本文件的要求 是针对单个频率试验的，因此需在导致性能下降的频率集内对试品重新进行每个单频的试验，以单一频 率试验的结果为准。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


附 录 J
附 录 J
第1,856行： 第2,042行：
表J.1 电平设置过程
表J.1 电平设置过程


|  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
'''此表格以截图代替'''
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 符号 | 不确定度来源X | U(X) | 分布 | 因子 | u(x) | C | u,(y) | 单位 | u(y)² |
| FP | 场强探头电平设置 | 1.7 | 正态k=2 | 2 | 0.85 | 1 | 0.85 | dB | 0.72 |
| PM | 功率计 | 0.3 | 矩形 | 1.73 | 0.17 | 1 | 0.17 | dB | 0.03 |
| PA | PA快速增益变化 | 0.2 | 矩形 | 1.73 | 0.12 | 1 | 0.12 | dB | 0.01 |
| SW | SW电平精度 | 0.6 | 矩形 | 1.73 | 0.35 | 1 | 0.35 | dB | 0.12 |
|  | | | | ∑u(y) | | | | 0.88 | |
| √ ∑ (y)² | | | | 0.94 | |
| 扩 展 不 确 定 度 U ( y ) ( C A L ) , k = 2 | | | | 1.88 dB | |


表J.2 试验过程
表J.2 试验过程


|  |  |  |  |  |  |  |  |  |
'''此表格以截图代替'''
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 符号 | 不确定度来源X | U(X,)/dB | 分布 | 因子 | n(x)/dB | C | u(y)/dB | a(y)² |
| CAL | 电平设置 | 1.88 | 正 态 k = 2 | 2.00 | 0.94 | 1 | 0.94 | 0.89 |
| AL | 天线位置和吸波材料放置变化 | 0.38 | k=1 | 1 | 0.38 | 1 | 0.38 | 0.14 |
| PM, | 功率计 | 0.3 | 矩形 | 1.73 | 0.17 | 1 | 0.17 | 0.03 |
| PA | PA增益快速变化 | 0.2 | 矩形 | 1.73 | 0.12 | 1 | 0.12 | 0.01 |
| SW | SW电平精度 | 0.6 | 矩形 | 1.73 | 0.35 | 1 | 0.35 | 0.12 |
| SG | 信号发生器稳定度 | 0.13 | 矩形 | 1.73 | 0.08 |  | 0.08 | 0.01 |
|  | | | | ∑n(y) | | | | 1.20 |
| √>u(y)² | | | | 1.10 |
| 扩展不确定度U(y),k=2 | | | | 2.19 dB |
| 如果用功率计对信号发生器的输出电平进行控制，则在表格中包含PM,。否则，应考虑信号发生器及功率放 大器的稳定度和漂移。在这个例子中，因为功率放大器作为功率放大器输出控制的一部分，不会对不确定度 预评估产生影响，所以考虑功率计的不确定度贡献就足够了 | | | | | | | | |


J.2.4 术语解释
J.2.4 术语解释
第1,889行： 第2,054行：
PMc 是包括功率计探头在内的功率计不确定度，可从制造商的说明书(作为矩形分布处理)或电平 设置证书(作为正态分布处理)中获得。如果电平设置和试验使用同一个功率计，不确定度贡献可减少
PMc 是包括功率计探头在内的功率计不确定度，可从制造商的说明书(作为矩形分布处理)或电平 设置证书(作为正态分布处理)中获得。如果电平设置和试验使用同一个功率计，不确定度贡献可减少


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


到功率计的可重复性和线性度，此方法与表格一起应用。
到功率计的可重复性和线性度，此方法与表格一起应用。
第1,979行： 第2,144行：
注：校准使用CW信号，不加调制。
注：校准使用CW信号，不加调制。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 


表 K.1 校准场强等级表
表 K.1 校准场强等级表


| |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- |
 
| 校准等级 | 校准场强 |
|-
| 1 | 2 V/m |
! 校准等级 !! 校准场强
| 2 | 6 V/m |
 
| 3 | 20 V/m |
|-
| 4 | 60 V/m |
| 1 || 2 V/m
| X | Y V/m |
 
| 注：X,Y是开放的校准等级，可比等级1~4高或者低。产品规范或试验实验室可给出这个等级。 | |
|-
| 2 || 6 V/m
 
|-
| 3 || 20 V/m
 
|-
| 4 || 60 V/m
 
|-
| X || Y V/m
 
|-
| colspan="2" | 注：X、Y是开放的校准等级，可比等级1~4高或者低。产品规范或试验实验室可给出这个等级。
 
|}


K.3 校准仪器的要求
K.3 校准仪器的要求
第2,023行： 第2,203行：
表 K.2 探头线性测量的示例
表 K.2 探头线性测量的示例


| |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- |
 
| 信号电平 dB | 校准场强 V/m |
|-
| -6.0 | 13.2 |
 
| -5.0 | 14.4 |
! 信号电平 dB !! 校准场强 V/m
 
|-
 
| -6.0 || 13.2
 
|-
 
| -5.0 || 14.4
 
|}


表 K.2 探头线性测量的示例 (续)
表 K.2 探头线性测量的示例 (续)


| |  |
{| class="wikitable"
| --- | --- |
 
| 信号电平 dB | 校准场强 V/m |
|-
| -4.0 | 14.8 |
! 信号电平 dB !! 校准场强 V/m
| -3.0 | 15.2 |
 
| -2.0 | 16.3 |
|-
| -1.0 | 18.0 |
| -4.0 || 14.8
| 0 | 20.0 |
 
| 1.0 | 22.2 |
|-
| 2.0 | 24.7 |
| -3.0 || 15.2
| 3.0 | 27.4 |
 
| 4.0 | 30.5 |
|-
| 5.0 | 34.0 |
| -2.0 || 16.3
| 6.0 | 38.0 |
 
|-
| -1.0 || 18.0
 
|-
| 0 || 20.0
 
|-
| 1.0 || 22.2
 
|-
| 2.0 || 24.7
 
|-
| 3.0 || 27.4
 
|-
| 4.0 || 30.5
 
|-
| 5.0 || 34.0
 
|-
| 6.0 || 38.0
 
|}




第2,094行： 第2,309行：
传递到发射装置的净功率可使用一个4端口的双向定向耦合器试验，或者两个3端口的单向定向 耦合器背对背地连接(构成“双向定向耦合器”)。使用双向定向耦合器测量装置的净功率的通用设置显 示在图K.2。
传递到发射装置的净功率可使用一个4端口的双向定向耦合器试验，或者两个3端口的单向定向 耦合器背对背地连接(构成“双向定向耦合器”)。使用双向定向耦合器测量装置的净功率的通用设置显 示在图K.2。


GB/T 17626.3—2023/IEC 61000-4-3:2020
 




第2,162行： 第2,377行：
暗室的VSWR 试验应覆盖预期的电平设置探头的频率范围，使用和K.2.3 一样的频率步进。
暗室的VSWR 试验应覆盖预期的电平设置探头的频率范围，使用和K.2.3 一样的频率步进。


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暗室 VSWR 试验应在所用的每个天线的最低和最高的工作频率进行。如果用窄带吸波材料，例如 铁氧体，需要试验更多频率点。仅在符合VSWR 判据的频率范围内，暗室宜用于探头校准。
暗室 VSWR 试验应在所用的每个天线的最低和最高的工作频率进行。如果用窄带吸波材料，例如 铁氧体，需要试验更多频率点。仅在符合VSWR 判据的频率范围内，暗室宜用于探头校准。
第2,210行： 第2,425行：
位置包括L-10cm,L-8cm,L-6cm,…,L 。,L+2cm,L+4cm, … ,L+20cm,△L=2 cm。如果探头放在发射 喇叭天线的近场(距离<2D²/λ,D 是天线的最大尺寸，λ是自由空间波长),发射天线的增益不是常 数，需要分别确定发射天线在每个点的增益。在所有探头位置上，使用1m 的距离恒定功率生成相应
位置包括L-10cm,L-8cm,L-6cm,…,L 。,L+2cm,L+4cm, … ,L+20cm,△L=2 cm。如果探头放在发射 喇叭天线的近场(距离<2D²/λ,D 是天线的最大尺寸，λ是自由空间波长),发射天线的增益不是常 数，需要分别确定发射天线在每个点的增益。在所有探头位置上，使用1m 的距离恒定功率生成相应


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的场强(例如20 V/m) 进行试验。当发射天线和场强探头都垂直极化时，在所有位置所有频率记录探 头读数。天线和探头都水平极化时，重复试验。
的场强(例如20 V/m) 进行试验。当发射天线和场强探头都垂直极化时，在所有位置所有频率记录探 头读数。天线和探头都水平极化时，重复试验。
第2,266行： 第2,481行：
a) 把探头放在相对介电常数小于1.2,损耗正切角小于0.005的支撑材料上。探头的位置要与校 准设置一样。参考固定装置宜尽可能地小。其他支撑物要不影响试验，并且至少离探头 50 cm 远。避免支撑材料在探头之前(探头和天线之间)或之后。
a) 把探头放在相对介电常数小于1.2,损耗正切角小于0.005的支撑材料上。探头的位置要与校 准设置一样。参考固定装置宜尽可能地小。其他支撑物要不影响试验，并且至少离探头 50 cm 远。避免支撑材料在探头之前(探头和天线之间)或之后。


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b) 在校准位置生成探头的动态范围内的标准场。
b) 在校准位置生成探头的动态范围内的标准场。
第2,320行： 第2,535行：
为防止对测量产生影响，最好使用低介电常数的材料做探头固定装置。用于探头校准的固定装置 应另外评估(见K.4.2.7)。
为防止对测量产生影响，最好使用低介电常数的材料做探头固定装置。用于探头校准的固定装置 应另外评估(见K.4.2.7)。


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位置分别为L-30cm,L-25cm,L-20cm, … ,Lo,L+5cm,L+10cm, … ,L+30cm,△L 为 5 cm。
位置分别为L-30cm,L-25cm,L-20cm, … ,Lo,L+5cm,L+10cm, … ,L+30cm,△L 为 5 cm。
第2,412行： 第2,627行：
注：IEEE Std 1309[2]中包括的探头MU的指南。
注：IEEE Std 1309[2]中包括的探头MU的指南。


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K.5 替代的探头校准环境和方法
K.5 替代的探头校准环境和方法
第2,450行： 第2,665行：
式 中 ， 和e 是波导材料的磁导率和介电常数。对充满空气的波导，u=μo=400π nH/m 和 e= Eo= 8.854 pF/m。充满空气的波导室的截止频率为：
式 中 ， 和e 是波导材料的磁导率和介电常数。对充满空气的波导，u=μo=400π nH/m 和 e= Eo= 8.854 pF/m。充满空气的波导室的截止频率为：


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…………………………(K.9) 波导中心电场强度的均方根值为：
…………………………(K.9) 波导中心电场强度的均方根值为：
第2,498行： 第2,713行：
[4]NEWELL,Allen C.,BAIRD,Ramon C.and Wacker,Paul F.Accurate measurement of an- tenna gain and polarization at reduced distances by extrapolation technique.IEEE Trans.On Antennas
[4]NEWELL,Allen C.,BAIRD,Ramon C.and Wacker,Paul F.Accurate measurement of an- tenna gain and polarization at reduced distances by extrapolation technique.IEEE Trans.On Antennas


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and Propagation,July 1973,Vol.AP—21,No.4
and Propagation,July 1973,Vol.AP—21,No.4
第2,510行： 第2,725行：
[8]GARN,H.,BUCHMAYR,M.,and MULLNER,W.Precise calibration of electric field sen- sors for radiated—susceptibility testing.Frequenz 53(1999)9—10,Page 190—194
[8]GARN,H.,BUCHMAYR,M.,and MULLNER,W.Precise calibration of electric field sen- sors for radiated—susceptibility testing.Frequenz 53(1999)9—10,Page 190—194


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参 考 文 献
参 考 文 献
焦雨桐
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